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专业分类
物理学
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出版年
1997年
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1.
X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响
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朱海军
蒋最敏
郑文莉
姜晓明
徐阿妹
毛明春
胡冬枝
张翔九
王迅
《物理学报》
1997,46(9):1796-1800
利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的X射线衍射技术,研究了活化剂Sb对于Ge在Si上外延过程的影响.当没有活化剂、Ge层厚度为6nm时,外延Ge层形成岛状,应力完全释放.当有Sb时、Ge在Si上的生长是二维的,并且应力释放是缓慢的,即使Ge外延层厚为6nm,仍有42%的应变没有弛豫.
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