广义的一维Fibonacci结构

本文提出一维k组元的Fibonacci结构,它包含k个无公度的基本长度,是具有两个基本长度的标准Fibonacci结构的自然推广,投影理论被用来处理它的X射线衍射花样及其指标化问题,理论模拟被用于验证投影理论的结果,值得注意的是,对于有限的链长,当k足够大时,它的衍射谱将趋于混沌。 关键词：     

钼在千周范围内的位错内耗

用Marx方法(频率为86kc/s及102kc/s)测量了区熔提纯钼单晶及工业纯钼多晶的内耗振幅依赖关系。钼单晶在2000℃氢气炉中退火后可测得Granato-Lücke型的内耗-振幅曲线。微量冷加工后内耗增大,并使内耗振幅曲线上出现转折平台(或称极大值),与铝在低温低振幅下测得的结果相似。根据位错蚀坑的观察结果,初步认为此转折平台的出现是与冷加工在晶体中产生的未被钉扎的新位错有关,并求得转折平台处内耗的增值与新位错密度成正比的关系。此外还做了温度和时效(200—300℃)对内耗振幅曲线的影响,随着温度的降低和时效时间的增长,内耗明显下降。以上的结果我们用推广的GL理论进行了讨论。测量了冷加工对工业纯钼多晶的内耗振幅曲线的影响,基本符合GL理论。     

KTa＿（1－x）Nb＿xO＿3晶体的同步辐射X射线白光形貌术研究

利用北京同步辐射光源，对居里点在室温附近的掺铁钽铌酸钾光折变晶体进行了Ｘ射线白光形貌术研究．观察显示，晶体内部除了杂质偏析物和一组沿［０１０］方向的生长层外，还有一组与之正交的畴组态，后者被发现不满足一般面缺陷的衬度消光规律，仅有异常散射效应揭示其衬度．利用同步辐射波长的可调谐性，揭示了该组畴随波长改变其衍时衬度变化的规律，而且畴的衍射强度被发现违背Ｆｒｉｅｄｅｌ定律．依据实验证据，这组畴被确认为１８０°铁电畴．对畴形成原因和晶体生长特性进行了讨论．     

X射线截面形貌术中衍衬干涉条纹的消衰现象

用X射线衍射截面形貌术研究了金刚石晶体中Pendellosung条纹的消衰(fading)现象。实验表明,在尖劈形晶体和平板状晶体以及包含一片层错的晶体中都观察到动力学衍衬干涉条纹的消衰现象。用动力学理论和实验结果进行定量的比较,结果是一致的。 关键词：     

LiNbO_3晶体中缺陷的X射线形貌研究

用X射线透射扫描形貌方法观察了直拉法生长LiNbO~3晶体中各种类型点阵缺陷,诸如铁电畴壁、生长层、位错、亚晶界和胞状组织等;用不同衍射矢量对[001]和[210]方向生长的晶体的形貌消象规律,结合X射线铁电异常散射效应和光学显微观察,讨论了晶体中180°铁电畴和生长层的衬度及其分布,并研究了LiNbO~3晶体中180°畴壁形成及其相互关系。     

LiNbO3晶体中包裹物和位错的X射线形貌研究

用X射线透射扫描形貌方法研究了LiNb0₃晶体中的包裹物和位错。在实验中发现了包裹物的相应于不同衍射矢量的X射线形貌与基于各向同性理论预言的形貌之间存在分歧,这被解释为弹性各向异性效应。同时还观察到Burgers矢量为最短点阵平移矢量1/3的纯刃型位错和次短点阵平移矢量1/3<0111>的纯螺型位错,以及由该螺型位错组成的纯扭转晶界。 关键词：     

天然绿柱石晶体中生长区界面的X射线形貌和光学双折射形貌研究

用X射线形貌术及光学双折射形貌术对天然绿柱石晶体中的生长区界面进行了研究。观测发现,同类生长区的界面在两种形貌中通常不出现可见的衬度;异类生长区界面中,t-s界面在X射线形貌中呈现动力学干涉条纹衬度,表明它们具有平移型界面的特征,根据消光规律知其相应的位移矢量很可能与界面垂直;在双折射形貌中,异类生长区界面衬度的出现与界面两侧存在不同的长程应变场有关。实践表明,两种形貌术互相补充,互相参证,在生长区界面的研究中是十分有效的。 关键词：     

低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究

低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格,X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构,这种组分结构可以用一平均成分的SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度,旋转样品进行的X射线散射研究表明,这种SiGe的混合是各向同性的,这与透射电子显微镜的研究结构相一致.     

用X－射线和电子衍射对合成汞系超导体的预烧样品的研究

在６００℃－９００℃的温度范围内，每间隔１００℃用固态反应技术将按２：２：３的比例混合的ＢａＯ，ＣａＯ及ＣｕＯ的混合物进行烧结．将不同温度和不同反应时间下进行反应的产物通过Ｘ－射线衍射和电子衍射分析．我们得到了一种新相化合物可能具有Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ７的分子式．其结构为四方相，晶格参数确定为ａ＝１．２９４８（２）ｎｍ，ｃ＝０．９１５６（４）ｎｍ