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X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层
引用本文:姜晓明,贾全杰,胡天斗,黄宇营,郑文莉,何伟,冼鼎昌,施斌,蒋最敏,王迅.X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层[J].中国物理 C,2001,25(6):588-594.
作者姓名:姜晓明  贾全杰  胡天斗  黄宇营  郑文莉  何伟  冼鼎昌  施斌  蒋最敏  王迅
作者单位:[1]中国科学院高能物理研究所,北京100039 [2]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433
基金项目:国家自然科学基金! ( 1 9674 0 58,1 983 4 0 50 )资助&&
摘    要:利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构.实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为x≈0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层.

关 键 词:X射线驻波  异质结构  偏析  原子占位
收稿时间:2000-5-26

Study of Semiconductor Super Thin Heterostructures with Synchrotron Radiation X-Ray Standing Wave Technique
JIANG Xiao-Ming,JIA Quan-Jie,HU Tian-dou,HUANG Yu-ying,ZHENG Wen-Li,HE Wei,XIAN Ding-chang,SHI Bin,JIANG Zui-Min,WANG Xun.Study of Semiconductor Super Thin Heterostructures with Synchrotron Radiation X-Ray Standing Wave Technique[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,2001,25(6):588-594.
Authors:JIANG Xiao-Ming  JIA Quan-Jie  HU Tian-dou  HUANG Yu-ying  ZHENG Wen-Li  HE Wei  XIAN Ding-chang  SHI Bin  JIANG Zui-Min  WANG Xun
Abstract:
Keywords:X  ray standing wave  heterostructure  segregation  atomic position  
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