全文获取类型
收费全文 | 102篇 |
免费 | 125篇 |
国内免费 | 20篇 |
专业分类
化学 | 41篇 |
晶体学 | 56篇 |
力学 | 4篇 |
数学 | 13篇 |
物理学 | 133篇 |
出版年
2023年 | 3篇 |
2022年 | 1篇 |
2021年 | 1篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 9篇 |
2018年 | 13篇 |
2017年 | 9篇 |
2016年 | 8篇 |
2015年 | 11篇 |
2014年 | 21篇 |
2013年 | 15篇 |
2012年 | 15篇 |
2011年 | 11篇 |
2010年 | 16篇 |
2009年 | 21篇 |
2008年 | 21篇 |
2007年 | 12篇 |
2006年 | 16篇 |
2005年 | 15篇 |
2004年 | 17篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 2篇 |
1997年 | 1篇 |
排序方式: 共有247条查询结果,搜索用时 343 毫秒
1.
钙钛矿/硅叠层太阳电池可以充分利用太阳光谱,提高光电转换效率.平面硅异质结太阳电池可以作为叠层电池的底电池,其性能直接影响叠层电池的性能表现.采用传统反应热蒸发技术,在低温(170 ℃)条件下制备了掺锡氧化铟薄膜,并在170 ℃的氧气氛围下后退火处理,对ITO薄膜的特性进行了详细的表征和分析.结果表明:后退火工艺改善了ITO的结晶特性,使得材料的光学特性和电学特性得到明显提高,将其应用于平面硅异质结太阳电池,短路电流密度得到极大提高,尤其红外光响应改善明显.引入MgF2薄膜作为减反射层,进一步增强了电池的光响应,转换效率达到19.04;. 相似文献
2.
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析.
关键词:
微晶硅薄膜太阳电池
气体流量
ZnO/Ag/Al背反射电极 相似文献
3.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
4.
Solvothermal Synthesis and Structure Characterization of a 3D Hydrogen-bonded Copper Compound [Cu(H_2dhpmc)_2]·2H_2O 总被引:2,自引:0,他引:2
1 INTRODUCTION The controlled assembly of inorganic and coordination polymers from simple building blocks is an important challenge in the design of high- dimensionality systems. In the crystal engineering 'toolbox'[1], hydrogen bonding moieties are perhaps the implements used the most in the design of such supramolecular systems[2], and have been particularly strongly applied towards the synthesis of molecular magnetic materials[3~6]. Copper complexes play an important role in catalyzin… 相似文献
5.
6.
采用改进的线性组合算符和幺正变换相结合的方法研究了Rashba效应对抛物量子线中强耦合束缚磁极化子性质的影响.计算了抛物量子线中强耦合束缚磁极化子的有效质量和振动频率,对Rb Cl材料的数值计算结果表明:量子线中强耦合束缚磁极化子的振动频率随受限强度和回旋频率的增加而增大;有效质量与磁极化子的受限强度、回旋频率和电子面密度有关,在Rashba效应影响下有效质量随上述各量的变化曲线都发生了分裂. 相似文献
7.
Influence of reaction gas flows on the properties of SiGe:H thin film prepared by plasma assisted
reactive thermal chemical vapour deposition 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
A new preparing technology, very high frequency plasma assisted reactive thermal chemical vapour deposition (VHFPA-RTCVD), is introduced to prepare SiGe:H thin films on substrate kept at a lower temperature. In the previous work, reactive thermal chemical vapour deposition (I~TCVD) technology was successfully used to prepare SiGe:H thin films, but the temperature of the substrate needed to exceed 400℃. In this work, very high frequency plasma method is used to assist RTCVD technology in reducing the temperature of substrate by largely enhancing the temperature of reacting gases on the surface of the substrate. The growth rate, structural properties, surface morphology, photo- conductivity and dark-conductivity of SiGe:H thin films prepared by this new technology are investigated for films with different germanium concentrations, and the experimental results are discussed. 相似文献
8.
研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响. XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围,薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 cm2/V·s的高迁移率和3.28×10-2 Ω·cm的低电阻率,对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极.
关键词:
MOCVD
ZnO薄膜
透明导电氧化物
太阳电池 相似文献
9.
近几年,钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池发展迅速,效率已经从13.7%提升到29.1%.由于叠层电池器件的制作工艺复杂,而叠层太阳电池中的光学损失对转换效率的影响很大,所以通过光学模拟进而获得高效电池至关重要.本文首先从商业软件和自建模型两方面概述了光学模拟的方法,接着从反射损失和寄生吸收两方面针对光学模拟研究进展进行了总结和分析,最后指出了叠层电池光学模拟过程中需要注意的问题.钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的转换效率极限最高可达40%,具备很大的提升空间,结合模拟工作的研究,叠层电池的发展将会取得更大的进步. 相似文献
10.
Open-circuit voltage analysis of p-i-n type amorphous silicon solar cells deposited at low temperature 下载免费PDF全文
This paper identifies the contributions of p-a-SiC:H layers and i-a-Si:H layers to the open circuit voltage of p-i-n type a-Si:H solar cells deposited at a low temperature of 125 C.We find that poor quality p-a-SiC:H films under regular conditions lead to a restriction of open circuit voltage although the band gap of the i-layer varies widely.A significant improvement in open circuit voltage has been obtained by using high quality p-a-SiC:H films optimized at the "low-power regime" under low silane flow rates and high hydrogen dilution conditions. 相似文献