Effects of BaCl_2 on slow vacuolar ion channels on radish by patch-clamp

Effects of BaCl2 on slow vacuolar ion channels on radish by patch-clamp YANG Pin (杨 频) & ZHANG Liping (张丽平) Institute of Molecular Science, Shanxi University, Taiyuan 030006, China Correspondence should be addressed to Yang Pin (email: yangpin@sxu.edu.cn)     

Influence of reaction gas flows on the properties of SiGe:H thin film prepared by plasma assisted reactive thermal chemical vapour deposition

A new preparing technology, very high frequency plasma assisted reactive thermal chemical vapour deposition （VHFPA-RTCVD）, is introduced to prepare SiGe：H thin films on substrate kept at a lower temperature. In the previous work, reactive thermal chemical vapour deposition （I~TCVD） technology was successfully used to prepare SiGe：H thin films, but the temperature of the substrate needed to exceed 400℃. In this work, very high frequency plasma method is used to assist RTCVD technology in reducing the temperature of substrate by largely enhancing the temperature of reacting gases on the surface of the substrate. The growth rate, structural properties, surface morphology, photo- conductivity and dark-conductivity of SiGe：H thin films prepared by this new technology are investigated for films with different germanium concentrations, and the experimental results are discussed.     

硅锗量子阱结构在硅异质结太阳电池中应用的数值模拟

利用半导体工艺和器件仿真软件silvaco TCAD(Technology Computer Aided Design),模拟研究了采用硅/硅锗合金(silicon/silicon germanium alloy,Si/Si_(1-x)Ge_x)量子阱结构作为吸收层的薄膜晶体硅异质结太阳电池各项性能.模拟结果显示,长波波段光学吸收随锗含量的增加而增加,而开路电压则因Si_(1-x)Ge_x)层带隙的降低而下降.锗含量为0.25时,短路电流密度的增加补偿了开路电压的衰减,效率提升0.2%.氢化非晶硅/晶体硅(a-Si:H/c-Si)界面空穴密度以及Si_(1-x)Ge_x)量子阱的体空穴载流子浓度制约着空穴费米能级的位置,进而影响到开路电压的大小.随着锗含量增加,a-Si:H/c-Si界面缺陷对开压的影响降低,Si_(1-x)Ge_x)量子阱的体缺陷对开压的影响则相应增加.高效率含Si_(1-x)Ge_x)量子阱结构的硅异质结太阳电池的制备需要a-Si:H/c-Si界面缺陷的良好钝化以及高质量Si_(1-x)Ge_x)量子阱的生长.     

Relations between compositional modulation and atomic ordering degree in thin films of ternary III—V semiconductor alloys

This paper derives the expressions for the ordering degree and the modulation factor of A and B atoms in A_xB_1-xC epilayers of ternary III--V semiconductor alloys. Using these expressions, it identifies quantitatively the alternating atom-enhanced planes, compositional modulations, atomic ordering degree on the group-III sublattices and the fine structure of NMR spectra.     

用膜片钳研究CuCl2对萝卜液泡膜SV通道的影响

用膜片钳全液泡记录方式研究了CuCl2对萝卜SV通道的影响.研究表明,SV通道为阳离子选择性通道,细胞质钙可激活此通道,且其表现出钙依赖性.细胞质钙达2mmol/L时,SV通道电流基本上达到饱和.当在外液中加入不同浓度的CuCl2时,SV通道电流有明显的变化.高浓度的铜离子对通道电流有抑制作用,而低浓度(<0.1mmol/L)则增强通道电流.电极内液中的CuCl2对SV通道电流也有抑制作用.这为进一步研究铜离子对植物生理活动的影响以及铜肥对农作物的作用在通道水平上提供重要的依据.     

Ar气中超连续谱产生的研究

采用中心波长为800nm，脉宽30fs的超快激光在Ar气池中产生了200—1000nm宽范围的超连续谱.通过改变激光脉冲的初始啁啾量、单脉冲能量、气体压强以及聚焦长度等条件，详细研究了获得稳定的超宽频谱的条件.结果表明，单脉冲能量为20mJ，附带29×10⁴fs²正色散的啁啾脉冲用f=50mm的凹面镜在15m长，23×10⁵Pa的Ar气中聚焦，得到稳定的频谱宽度达10³THz的超连续谱.还测量了光斑 关键词： 非线性效应 超连续谱 初始啁啾 光斑远场模式     

H2， He混合稀释生长微晶硅锗薄膜

采用H₂，He混合气体稀释等离子辅助反应热化学气相沉积法生长微晶硅锗薄膜，并在生长过程中对等离子体进行光发射光谱在线监测.结果表明：混合气体稀释法可以有效提高等离子体中的原子氢数目，降低等离子体中的电子温度；用XRD和光暗电导率表征样品的微结构和光电特性时发现，通过优化混合稀释气体中He和H₂气体的比例，能够减少薄膜中的缺陷态，促进薄膜<220>择优取向生长，有效改善微晶硅锗薄膜结构，提高光电吸收性能. 关键词： 化学气相沉积 微晶硅锗薄膜 光发射光谱 X射线衍射     

长梗千里光呋喃雅槛兰型倍半萜的结构研究

我们曾从甘肃省漳县采集的长梗千里光全草中分离并鉴定出两个呋喃雅槛兰型倍半萜. 在此基础上, 本文对其脂溶性化学成分进行深入研究, 除了发现倍半萜外, 又分离并鉴定出2个呋喃雅槛兰型倍半萜. 通过IR， UV， MS， CD和NMR等数据分析, 确定了4个化合物的结构, 其中, 化合物3首次在长梗千里光中分离得到, 化合物4是一种新化合物, 通过圆二光谱及核磁共振和NOE差谱研究其立体化学结构, 并按Dreiding models构筑该化合物分子的立体化学结构, 确定该化合物为Non-steroid型构象.     

有机锡联苯乙酸酯的合成、结构表征和体外抗癌活性

合成了4个新的有机锡联苯乙酸酯{[(n-C₄H₉)₄Sn(O₂CCH₂C₆H₄C₆H₅-4)]₂O}₂ (1)和R₃SnO₂CCH₂C₆H₄C₆H₅-4(R=C₄H₅，2；c-C₆H₁₁，3；C₆H₅C(CH₃)₂CH₂，4)，利用元素分析、IR、 ¹H和 ¹³C NMR表征了其结构。通过X-射线单晶衍射测定了1和4的晶体结构。化合物1和化合物4均属三斜晶系，空间群P1。化合物1为具有Sn₂O₂四元环的中心对称二聚体结构，4为畸变的四面体结构。生物活性测试结果表明，化合物1和4对3种人癌细胞HeLa、CoLo205和MCF-7具有较好的体外抑制活性。     

分光椭偏技术在铟锡氧薄膜光电特性研究中的应用

通过分光椭偏测量技术、并采用Drude和Tauc-Lorentz复合模型,研究了铟锡氧(ITO)薄膜在不同基底温度和退火过程中光学介电函数的变化。通过与霍尔效应以及光学带隙测试的数据对比,发现ITO薄膜的载流子浓度和光学带隙变化分别对材料红外和紫外波段光学介电函数有影响。通过分别研究材料在低能端和高能端的介电函数,得到光学介电函数与薄膜的载流子浓度和光学带隙的关系。该研究确定了利用非接触分光椭偏技术对ITO薄膜的电学和光学特性进行定量分析的近似方法。