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1.
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论. 关键词: 自缓释 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备与退火  相似文献   
2.
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.  相似文献   
3.
提出了一种表面修饰的金属诱导晶化方法,以稳定地获得晶粒尺寸均匀的多晶硅薄膜.为在非晶硅表面获得均匀稳定的Ni源,在晶化前驱物表面浸沾Ni盐溶液之前,先旋涂一层表面亲合剂.通过控制Ni盐溶液的浓度,可以获得均匀性较好、晶粒尺寸分布在20—70μm的多晶硅薄膜.该方法的特点是改善了Ni盐溶液在表面的黏附状态,从而可在比常规Ni盐溶液浓度低1—2个数量级的情况下仍能获得大晶粒的多晶薄膜. 关键词: 表面修饰 溶液法金属诱导晶化 多晶硅 均匀性  相似文献   
4.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜. 关键词: 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染  相似文献   
5.
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P nc Si∶H薄膜材料(σ=5.86 S/cm、Eopt>2.0 eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15 nm、17 nm和21 nm;通过Raman测量,计算出其晶化率为35%左右.实验中,将P型纳米硅薄膜与氧化铟锡一起构成有机电致发光器件的复合阳极,研究了他们的发光特性,结果表明:由于P nc Si∶H薄膜材料具有近似半反半透的光学特性,它与高反射率的阴极Al使有机电致发光器件产生了微腔效应,使其发光光谱窄化,半宽高由126 nm窄化到33 nm;发光光亮明显增强,最大亮度为47 130 cd/m2,最大发光效率为9.543 83 cd/A,与以ITO为阴极的无腔器件相比,提高了约127%.  相似文献   
6.
提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT-MIUC poly-Si TFT) 的技术 . 使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的 多晶硅器件. 在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM-LDD)结构,有效地 解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题. 使得LT-MIUC poly-Si TFT 更适用于高质量的 有源矩阵显示器. 关键词: 金属单向诱导横向晶化 多晶硅薄膜晶体管 新型栅控轻掺杂漏区结构  相似文献   
7.
A dynamic phosphor-silicate glass (PSG) gettering method is proposed in which the processes of the gettering of Ni by PSC and the crystallizing of α-Si into poly-Si by Ni take place simultaneously. The effects of PSC gettering process on the performances of solution-based metal induced crystallized (S-MIC) poly-Si materials and their thin film transistors (TFTs) are discussed. The crystallization rate is much reduced due to the fact that the Ni as a medium source of crystallization is extracted by the PSC during crystallization at the same time. The boundary between two neighbouring grains in S-MIC poly-Si with PSG looks blurrier than without PSG. Compared with the TFTs made from S-MIC poly-Si without PSC gettering, the TFTs made with PSC gettering has a reduced gate induced leakage current.  相似文献   
8.
VHF等离子体光发射谱(OES)的在线监测   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
采用光发射谱(OES)测量技术,对不同制备条件下的甚高频(VHF)等离子体辉光进行了在线监 测.实验表明,VHF等离子体中特征发光峰(Si,SiH,Hα,H*β 等)的强度较常规的射 频(RF)等离子体明显增强,并且在制备μc-Si:H的工艺条件下(H稀释度R(H2/S iH4)=23 ),随激发频率的增加而增大,这些发光峰的变化趋势与材料沉积速率的变化规律较相似.Si H峰等的强度随气压的变化则因硅烷H稀释度及功率的不同而异:高H稀释(R=23)时,SiH峰强 度在低辉光功率下随反应气压的增大单调下降,在高辉光功率下随气压的变化呈现类高斯规 律;低H稀释(R=5.7)时, SiH峰随气压的变化基本上是单调下降的,下降速率也与功率有 关,这些结果表明,VHF-PECVD制备μc-Si:H和a-Si:H的反应动力学过程存在较大差异.此 外,随着激发功率的增大,Si,SiH峰都先迅速增大然后趋于饱和,并且随着H稀释率的增大 ,将更快呈现饱和现象.通过对OES结果的分析与讨论可知,VHF-PECVD技术沉积硅基薄膜可 以有效提高沉积速率,而且,硅基薄膜的沉积速率的进一步提高需要综合考虑H稀释度、气 压和功率等的匹配与优化. 关键词: 甚高频等离子体化学气相沉积 氢化硅薄膜 光发射谱  相似文献   
9.
This paper investigates a simplified metal induced crystallization(MIC) of a-Si,named solution-based MIC(S-MIC).The nickel inducing source was formed on a-Si from salt solution dissolved in de-ionized water or ethanol.a-Si thin film was deposited with low pressure chemical vapour deposition or plasma enhanced chemical vapour deposition as precursor material for MIC.It finds that the content of nickel source formed on a-Si can be controlled by solution concentration and dipping time.The dependence of crystallization rate of a-Si on annealing time illustrated that the linear density of nickel source was another critical factor that affects the crystallization of a-Si,besides the diffusion of nickel disilicide.The highest electron Hall mobility of thus prepared S-MIC poly-Si is 45.6 cm2/(V · s).By using this S-MIC poly-Si,thin film transistors and display scan drivers were made,and their characteristics are presented.  相似文献   
10.
化学源金属诱导多晶硅研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
以硝酸镍溶液为化学源,对于用不同方法沉积得到的非晶硅膜作晶化前驱物,都能予以不同程度的晶化.用VHF-PECVD方法获得的非晶硅膜作前驱物,易于去氢并更容易晶化.当化学源浓度不同时,晶化效果会存在一定差别,在一定的范围内,溶液浓度越高,晶化后形成的晶粒越大.退火气氛对晶化结果产生某些影响,可以发现,在N2气氛下退火,比在大气下有更好的晶化效果.最后对物理源与化学源作诱导金属的晶化结果进行了比较,结果表明,对诱导金属源而言,化学源显示出更为有效的晶化趋势. 关键词: 金属诱导晶化 多晶硅薄膜 低温制备 退火处理  相似文献   
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