| 平面硅异质结太阳电池的光吸收增强的研究 |
| |
| 引用本文： | 任千尚,唐瑾晖,黄伟,任慧志,魏长春,王广才,许盛之,赵颖,张晓丹.平面硅异质结太阳电池的光吸收增强的研究[J].人工晶体学报,2018,47(6):1089-1095. |
| |
| 作者姓名： | 任千尚 唐瑾晖 黄伟 任慧志 魏长春 王广才 许盛之 赵颖 张晓丹 |
| |
| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津 300071 |
| |
| 基金项目： | 科技部国际合作项目(2014DFE60170);国家自然科学基金(61474065,61674084);天津市应用基础与前沿技术研究计划(15JCZDJC31300);江苏省科技支撑项目(BE2014147-3);111引智计划(B16027) |
| |
| 摘 要： | 钙钛矿/硅叠层太阳电池可以充分利用太阳光谱,提高光电转换效率.平面硅异质结太阳电池可以作为叠层电池的底电池,其性能直接影响叠层电池的性能表现.采用传统反应热蒸发技术,在低温(170 ℃)条件下制备了掺锡氧化铟薄膜,并在170 ℃的氧气氛围下后退火处理,对ITO薄膜的特性进行了详细的表征和分析.结果表明:后退火工艺改善了ITO的结晶特性,使得材料的光学特性和电学特性得到明显提高,将其应用于平面硅异质结太阳电池,短路电流密度得到极大提高,尤其红外光响应改善明显.引入MgF2薄膜作为减反射层,进一步增强了电池的光响应,转换效率达到19.04;.
|
| 关 键 词： | 掺锡氧化铟 硅异质结太阳电池 后退火 反应热蒸发 增透膜 |
Optical Absorption Enhancement of Planar Silicon-Heterojunction Solar Cells |
| |
| REN Qian-shang,TANG Jin-hui,HUANG Wei,REN Hui-zhi,WEI Chang-chun,WANG Guang-cai,XU Sheng-zhi,ZHAO Ying,ZHANG Xiao-dan.Optical Absorption Enhancement of Planar Silicon-Heterojunction Solar Cells[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(6):1089-1095. |
| |
| Authors: | REN Qian-shang TANG Jin-hui HUANG Wei REN Hui-zhi WEI Chang-chun WANG Guang-cai XU Sheng-zhi ZHAO Ying ZHANG Xiao-dan |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
