首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3674篇
  免费   1191篇
  国内免费   429篇
化学   2623篇
晶体学   268篇
力学   84篇
综合类   43篇
数学   7篇
物理学   2269篇
  2024年   8篇
  2023年   30篇
  2022年   70篇
  2021年   102篇
  2020年   139篇
  2019年   121篇
  2018年   109篇
  2017年   163篇
  2016年   258篇
  2015年   218篇
  2014年   287篇
  2013年   428篇
  2012年   336篇
  2011年   339篇
  2010年   252篇
  2009年   237篇
  2008年   219篇
  2007年   263篇
  2006年   233篇
  2005年   199篇
  2004年   175篇
  2003年   172篇
  2002年   180篇
  2001年   82篇
  2000年   80篇
  1999年   73篇
  1998年   98篇
  1997年   93篇
  1996年   69篇
  1995年   74篇
  1994年   42篇
  1993年   31篇
  1992年   17篇
  1991年   14篇
  1990年   20篇
  1989年   11篇
  1988年   14篇
  1987年   5篇
  1986年   5篇
  1985年   3篇
  1984年   4篇
  1983年   4篇
  1982年   8篇
  1981年   2篇
  1980年   2篇
  1979年   2篇
  1975年   1篇
  1974年   2篇
排序方式: 共有5294条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
单晶硅晶格间距是许多重要物理常数测量的基础。本文介绍了硅晶格间距测量技术的发展历程,包括X射线干涉仪直接测量和晶格比较仪间接测量两种方法,以及影响测量结果不确定度的关键因素。得益于晶格间距测量的进展,在纳米尺度,硅晶格间距被国际计量局(BIPM)批准成为新的米定义复现形式。最后介绍了硅晶格在计量学中的应用,以及基于硅晶格实现纳米几何量测量的溯源体系的研究趋势。  相似文献   
2.
According to the one-dimensional quantum state distribution, carrier scattering, and fixed range hopping model, the structural stability and electron transport properties of N-, P-, and As-doped SiC nanowires(N-SiCNWs, P-SiCNWs, and As-SiCNWs) are simulated by using the first principles calculations. The results show that the lattice structure of NSiCNWs is the most stable in the lattice structures of the above three kinds of doped SiCNWs. At room temperature,for unpassivated SiCNWs, the doping effect of P and As are better than that of N. After passivation, the conductivities of all doped SiCNWs increase by approximately two orders of magnitude. The N-SiCNW has the lowest conductivity. In addition, the N-, P-, As-doped SiCNWs before and after passivation have the same conductivity–temperature characteristics,that is, above room temperature, the conductivity values of the doped SiCNWs all increase with temperature increasing.These results contribute to the electronic application of nanodevices.  相似文献   
3.
We present the design and study of waveguide structures based on porous silicon where the light confinement is not due to the usual total reflection effect but to the use of photonic crystals (PCs) as confining walls. These PC are omnidirectional mirrors (OMs), consisting of the periodic repetition of two porous silicon layers with different refractive indices and thicknesses. They reflect the radiation for all angles of incidence within a frequency range called the omnidirectional band gap (OBG). We have followed the PC formalism to investigate the properties of the OM as a multimode waveguide: the number of modes within the band gap, their field spatial distribution and their confinement as a function of the frequency and the core thickness.  相似文献   
4.
提高微晶硅薄膜太阳电池效率的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析. 关键词: 微晶硅薄膜太阳电池 气体流量 ZnO/Ag/Al背反射电极  相似文献   
5.
基于液晶光阀的全息照相控光仪   总被引:2,自引:2,他引:0  
何源  邢增海  陈焕杰  余艺  梁海辉  钟铖  张红  谭炎 《物理实验》2006,26(5):22-24,28
设计了通过液晶光阀自动调整全息照相物光和参考光辐照比至最佳状态,同时能实现曝光时间自动控制的控光仪.该仪器巧妙运用液晶光阀和硅光电池器件,使测量、调整、自控一体化,从而提高拍摄优质全息图的工作效率.  相似文献   
6.
微振动光电检测与数据采集系统的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种新的光学非接触式测量方法测量了物体的微振动振幅。用激光作为光源,以四象限硅光电池[1]作为光电探测器,借助三角测量原理,投射在振动源表面的激光反射光束在光电探测器上产生平面位移,将位移信号放大,通过A/D模块采集电压数值,并通过串口通信机制在PC终端实时显示。实验结果表明,该方法原理正确,灵敏度高,便于实现连续、快速、自动化检测,在工业在线检测方面具有良好的应用前景。  相似文献   
7.
The electronic structures of a number of zwitterionic pentacoordinate silicon chelates were investigated using the results of X-ray diffraction studies and quantum-chemical calculatoins by the MPW1PW91/6-311G(d) method. The topological analysis of the electron density distribution function and the study in the framework of the natural bond orbital partitioning scheme showed that the character of chemical bonding in the axial fragments of the molecules under consideration changes from dative to three-center, four-electron as the silicon atom assumes a trigonal-bipyramidal coordination.  相似文献   
8.
The silicon atom may increase its coordination number to values greater than four, to form pentacoordinated compounds. It has been observed experimentally that, in general, pentacoordinated compounds show greater reactivity than tetracoordinated compounds. In this work, density functional theory is used to calculate the global softness and the condensed softness of the silicon atom for SiH n F4−n and SiH n F 5−n 1− . The values obtained show that the global and condensed softness are greater in the pentacoordinated compounds than in the tetracoordinated compounds, a result that explains the enhanced reactivity. If the results are analysed through a local version of the hard and soft acids and bases principle, it is possible to suggest that in nucleophilic substitution reactions, soft nucleophiles preferably react with SiH n F 5−n 1− , and hard nucleophiles with SiH n F4−n .  相似文献   
9.
非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm 退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为15μm.  相似文献   
10.
对经过阴极还原处理后的多孔硅样片进行了光致发光测试和稳定性测试.实验结果表明这种处理能明显改善多孔硅的发光稳定性,使其表面结构更加稳定.利用原子力显微镜对不同还原时间的多孔硅微结构及形貌进行了比较,在一定范围内随着还原时间的增长多孔硅表面粗糙度增大,PL谱增强.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号