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非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析
引用本文:林揆训,林璇英,梁厚蕴,池凌飞,余楚迎,黄创君.非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析[J].物理学报,2002,51(4):863-866.
作者姓名:林揆训  林璇英  梁厚蕴  池凌飞  余楚迎  黄创君
作者单位:汕头大学物理系,汕头,515063
基金项目:国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 8)~~
摘    要:在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm 退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为15μm.

关 键 词:固相晶化  多晶硅薄膜  非晶硅薄膜
收稿时间:4/7/2001 12:00:00 AM

Rapid crystallization of a-Si films at low temperatures and structure analyses of the crystallized films
Lin Kui-Xun,Lin Xuan-Ying,Liang Hou-Yun,Chi Ling-Fei,Yu Chu-Ying and Huang Chuang-Jun.Rapid crystallization of a-Si films at low temperatures and structure analyses of the crystallized films[J].Acta Physica Sinica,2002,51(4):863-866.
Authors:Lin Kui-Xun  Lin Xuan-Ying  Liang Hou-Yun  Chi Ling-Fei  Yu Chu-Ying and Huang Chuang-Jun
Abstract:
Keywords:solid phase crystallization  poly crystalline silicon film  amorphous silicon film  
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