2000 1/mm X射线镂空透射光栅的制备研究

在满足工艺要求的前提下,通过模拟光栅衍射,设计出镂空透射光栅模型,在此基础上将电子束和X射线光刻技术相结合,研究了制造2000 1/mm X射线镂空透射光栅的新工艺技术.首先利用电子束光刻和微电镀技术在镂空聚酰亚胺薄膜底衬上制备X射线母光栅掩模.然后利用X射线光刻和微电镀技术实现了光栅图形的复制,之后采用紫外光刻和微电镀技术制作加强筋结构,最后通过腐蚀体硅和等离子体刻蚀聚酰亚胺完成镂空透射光栅的制作.从此新的制造工艺结果上来看.制备的光栅栅线平滑,占空比合理,侧壁陡直,不同光栅之间一致性好,完全可以满足应用需求,充分表明了该制造技术是透射式X射线衍射光学元件制造的良好选择.     

3333lp/mm X射线透射光栅的研制

针对X射线透射光栅摄谱仪中的高线密度光栅,研究了采用电子束曝光和X射线曝光技术结合制作高线密度X射线透射光栅的工艺技术.首先利用电子束曝光和微电镀技术在镂空的薄膜上制备母光栅X射线掩模版,然后利用X射线曝光和微电镀技术小批量复制光栅.在国内首次完成了3333lp/mm X射线透射光栅的研制,栅线宽度为150nm,周期为300nm,金吸收体厚度为500nm.衍射效率标定的结果表明,该光栅的占空比合理、侧壁陡直,具有良好的色散特性,能够满足空间探测、同步辐射和变等离子诊断等多个领域的应用.     

2000lp/mm X射线透射变栅距光栅的研究

针对X射线透射光栅摄谱仪中对高线密度聚焦变栅距光栅的需要,利用电子束光刻技术,研制了X射线透射变栅距光栅。利用变栅距光栅的自动生成宏文件程序,优化设计了变栅距光栅的版图,然后利用电子束光刻和微电镀技术在聚酰亚胺薄膜底衬上制备了X射线透射变栅距光栅。制作出中心线数为2000lp/mmX射线透射变栅距光栅,栅距变化符合设计要求。衍射效率标定的结果表明,制备的变栅距光栅在中心波长处聚焦作用明显,可以大幅提高衍射光强度和光栅的分辨本领,具有重要的应用价值。     

软X射线位相型金透射光栅的设计与制作

根据衍射光栅的标量理论,计算并讨论了金透射光栅在软X波段衍射效率对光栅厚度和占宽比的依赖关系.结果表明,选择合适的光栅槽深和占宽比,高达 21.9%的衍射效率可能被获得,远高于振幅型光栅的+1级衍射效率10.14%.通过全息光刻与电镀转移技术制作的位相型金透射光栅由300nm的聚酰亚胺薄膜支撑,光栅槽深200nm,占宽比为0.55,周期为1μm,面积为20mm×5mm.在国家同步辐射装置上,测得其+1级透射衍射效率在波长λ=7.425nm时获得最大值,约为16%. 关键词： 透射位相光栅 全息光刻 电镀     

软X射线自支撑闪耀透射光栅

软X射线自支撑闪耀透射光栅或临界角透射光栅是美国麻省理工学院为满足国际X射线天文台X射线光栅谱仪的科学要求而提出的一种新型衍射光栅,它集中了透射和反射光栅的优点,同时避免它们的缺点.文章对软X射线自支撑闪耀透射光栅的概念、基本原理、制作工艺进行了综述,介绍了美国麻省理工学院的光栅研制工作进展和文章作者的初步研究结果.     

自支撑软X射线针孔透射光栅研究

本文报道了在研制聚酰亚胺衬底的软Ｘ射线透射光栅的基础上＾［１］，采用全息－离子束刻蚀方法和微电镀技术研制成功了无衬底自支撑的软Ｘ射线针孔透射光栅，简要地介绍了工艺过程并给出了实验结果。     

大面积10000线/毫米软X射线金属型透射光栅的设计、制作与检测

基于严格的矢量耦合波理论,优化设计了用于13.4nm软X射线干涉光刻的透射型双光栅掩模版. 采用电子束光刻技术,在国内首次成功制作了周期为100nm的大面积金属型透射光栅.光栅面积为1.5mm ×1.5mm,Cr浮雕厚度为50nm,Gap/period为0.6,衬底Si₃N₄厚度为100nm. 此光栅将用于上海光源软X射线干涉光刻实验站.利用其1级衍射光和2级衍射光将可以经济高效地制作周期为50和25nm的大面积周期结构.最后,测量了该光栅对波长为13.4nm 同步辐射光的衍射光强度,并且推算得出该光栅的1级和2级衍射效率分别为4.41%和0.49%,与理论设计值比较符合.实验结果与理论模拟结果的对比表明该光栅侧壁陡直,Gap/period的控制也与设计值符合. 关键词： 软X射线金属型透射光栅 严格耦合波方法 衍射效率 软X射线干涉光刻     

离子束刻蚀软X射线透射光栅实验研究

利用全息-离子束刻蚀方法研制出了聚酰亚胺薄膜为衬底的金软X射线透射光栅.研究了光栅制作中曝光量、显影条件和离子束刻蚀工艺等因素对光栅参数的影响,并给出了在惯性约束激光核聚变实验研究中的应用结果,     

软X射线透射光栅制作技术

金透射光栅广泛用于真空紫外、X射线、物质波的衍射和光谱测量。分别介绍了美国麻省理工学院空间微结构实验室和中国科学技术大学国家同步辐射实验室的透射光栅制作技术及其新进展。麻省理工学院空间微结构实验室为完成 AXAF巨型空间天文台上的高能透射光栅谱仪经历了近 2 0年的发展 ,其光栅制作工艺日趋成熟 ,代表了当前世界最高水平。中国科学技术大学国家同步辐射实验室为了满足惯性约束核聚变实验研究的需要 ,在国内较早地开展了透射光栅的研制工作 ,在提高光栅质量的同时不断提高线密度     

氮化硅/钽硅X射线光刻掩模研制及应用

经过三十多年的研发, 接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料, 如果选择金, 只能采用电镀工艺, 而且金会污染硅基集成电路；而钽硅材料可以采用干法刻蚀工艺, 不会污染硅基集成电路, 是一种理想的X射线掩模吸收体材料.本文论述了氮化硅/钽硅X射线掩模制作工艺, 不同于常规工艺, 电子束光刻显影后, 以ZEP520电子束光刻胶作为阻挡层,SF₆/CHF₃作为反应气体, 电感耦合等离子体直接刻蚀钽硅薄膜.初步的实验结果证明了这种X射线掩模制作工艺是可行的.     

Plasmonic nanolithography based on cavity resonance through thick metal mask

Plasmonic lithography is a very promising fabrication technology to obtain nanoscale structures beyond the diffraction limit. In this paper, a new plasmonic lithography is proposed to realize high efficiency fabrication of arbitrary patterns, which is based on cavity resonance through a thick metal mask. The mechanism of the cavity resonance transmission is explored. The one dimension (1D) and two dimension (2D) printings are simulated and discussed. The simulated results show the method that provides potential to pattern feature size with at least 40 nm, about λ/11.     

Fabrication of a 256-bits organic memory by soft x-ray lithography

This paper reports a procedure of soft x-ray lithography for the fabrication of organic crossbar structure. Electron beam lithography is employed to fabricate the mask for soft x-ray lithography, with direct writing technology to lithograph positive resist, polymethyl methacrylate on the polyimide film. Then Au is electroplated on the polyimide film. Hard contact mode exposure is used in x-ray lithography to transfer the graph from the mask to the wafer. The 256-bits organic memory is achieved with the critical dimension of 250~nm.     

13.4nm软X射线干涉光刻透射光栅的优化设计

基于严格的矢量耦合波方法,结合纳米级光栅实际制作工艺,定量分析了在13.4 nm软X射线(TE偏振)正入射条件下,光栅材料、厚度、占空比、梯形浮雕底角大小等因素对光栅一级衍射效率的影响.结果表明,在此波段处,Si3N4、Cr、Au浮雕的相位作用对光栅衍射起重要影响,其中非金属材料Si3N4比金属材料Cr、Au的相位作用更明显.最后优化得到了用Si(或Si3N4)做衬底的si3N4、Cr、Au光栅,分析结果显示,其一级衍射效率优于目前用于13.4 nm软X射线干涉光刻的Cr、Si3N4复合光栅.     

Ge quantum dot molecules and crystals: Preparation and properties

Templated self-organization has been used to prepare two-dimensional arrays as well as three-dimensional quantum dot crystals (QDC) containing Ge dots in a Si host crystal. Si(1 0 0) substrates have been patterned with two-dimensional hole gratings using extreme ultra-violet interference lithography (EUV-IL) and reactive ion etching. The EUV-IL was realized by multiple beam diffraction using Cr gratings on SiN_x membranes fabricated by e-beam lithography. Si/Ge overgrowth was performed by molecular beam epitaxy. The impact of the microscopic shape and size of the prepattern using the mask design and the EUV-IL exposure dose as parameters on the Ge dot nucleation has been studied with atomic force microscopy, transmission electron microscopy and photoluminescence measurements. Adjusting the growth parameters in multiple layer deposition the initial two-dimensional configuration was transferred into three-dimensional QDC.     

纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究

采用纳米球刻蚀(nanosphere lithography)技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球(polystyrene,PS小球)的单层膜为掩模,制备出二维有序的CdS纳米阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度计对样品光学性质进行了分析.结果表明：制备的二维CdS纳米阵列是高度有序的,且与作为掩模的纳米小球的原始尺寸及排布结构一致;禁带宽度为2.60eV,相对于体材料的2.42eV,向短波长蓝移了0.18eV,表现出CdS材料在纳米结构点阵中的量子尺寸效应;CdS纳米 关键词： 纳米球刻蚀 二维CdS纳米有序阵列     

微纳金属光学结构制备技术及应用

微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈.针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报道了基于电子束、X射线和接近式光学的混合光刻制作微纳金属光学结构技术.针对微纳光子学器件复杂图形开发了微光刻数据处理体系,基于矢量扫描电子束光刻设备在自支撑薄膜上进行1×高分辨率图形形成,利用X射线光...     

Fabrication of multi-scale structures with multiple X-ray masks and synchrotron hard X-ray irradiations

Synchrotron hard X-ray irradiation can be utilized in lithography processes to manufacture precise structures. Due to the difficulty of precise X-ray mask fabrication in hard X-ray lithography, this X-ray process has been used mainly to fabricate precise microstructures. In this study, a technology is proposed for fabricating novel multi-scale patterns that include submicron-scale structures using hard X-rays. The required X-ray masks for submicron-sized patterning are fabricated by a simple UV lithography process and sidewall metal deposition. Above all, thanks to the high penetration capability of hard X-rays with sub-nanometer wavelengths, it is possible to employ multiple masks to fabricate a variety of patterns. By combining each sub-micron X-ray mask with typical micro-sized X-ray masks, a unique X-ray lithography is performed, and various multi-scale structures are fabricated. The usefulness of the proposed technology is demonstrated by the realization of these structures.