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1.
加速器质谱计具有很高的灵敏度,能测量样品中含量极微的杂质同位素.10Be是一种宇宙成因核,在地学、环境科学和宇宙学等领域有广泛的应用,它为纯β衰变核,端点能量低且半衰期很长.采用测量剩余核放射性方法确定10Be形成截面很困难.本文报道利用加速器质谱计技术测量10Be反应总截面的方法和结果,并对应用前景作了讨论.  相似文献   
2.
介绍了双压电片镜自适应光学技术,同时为其在同步辐射光学领域中的应用与进一步发展提供前瞻性的思考与探索。根据目前已公开发表的相关文献资料,总结介绍了双压电片镜自适应光学技术,阐述了该技术的工作机理与关键参数,并对其在国际上具有代表性的同步辐射机构中的应用情况作出描述,并指出涉及的关键技术问题与未来的发展趋势:不仅要有效地解决"连接点效应"对双压电片镜技术的负面影响,还要实现亚微米乃至纳米级的聚焦光斑,这两项内容都是双压电片镜技术需要进一步解决的重要问题。未来,双压电片镜自适应光学技术可望在我国先进的第三代同步辐射装置—"上海光源(Shanghai Synchrotron Radiation Facility,SSRF)"二期工程建设中得到应用。  相似文献   
3.
单晶硅分光晶体作为同步辐射光源光束线单色器中常用的部件,由于它对加工精度的要求越来越高,所以减小加工过程中产生的残余应变显得尤为重要。介绍了线切割机加工单晶硅晶体的主要过程,包括晶体定向的原理,线切割机加工硅分光晶体的方法,检测加工表面的粗糙度和面形。此外还利用上海光源BL14B线站测量了它的摇摆曲线,其结果满足设计要求。  相似文献   
4.
为了满足钍基熔盐堆对核数据的需求,中国科学院上海应用物理研究所自行设计并建造了紧凑型的15 MeV电子加速器驱动的白光中子源。电子直线加速器、中子产生靶以及探测器系统处于同一个实验大厅,中子/伽马射线本底较高,原有屏蔽并不能满足在低能区进行热中子物理实验测量的低中子本底需求。为了降低热中子本底,提高在热区的测量能力,需要对中子源进行局部屏蔽。根据调试运行经验以及模拟计算结果,分析了中子伽马射线本底的来源,利用MCNP5模拟计算了混凝土、铅、含硼聚乙烯对中子/伽马射线的屏蔽效果,优化设计了局部屏蔽方案。模拟计算结果显示,该屏蔽方案可将热中子本底降低三个量级,伽马本底降低两个量级。屏蔽后的实验测量结果表明,探测器处的有效热中子与本底热中子的比值达到约100:1,屏蔽效果显著,为后续在热中子能区顺利开展中子物理测量实验奠定了基础。  相似文献   
5.
CCD X射线探测器及其在同步辐射中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
顾嘉辉  王纳秀 《物理》1997,26(11):683-688
CCD陈列X射线探测器人有大的动态范围,灵活的数据读出和存贮方式,好的时间分辨率等特点,在X射线成像领域,尤其在高亮度同步辐射实验技术中显示出广阔的应用前景。文章主要介绍电荷耦合器件的工作原理,CCD X射线探测器的发展动态,性能及其应用。  相似文献   
6.
液氮间接冷却晶体单色器第一晶体热变形模拟计算   总被引:4,自引:0,他引:4  
王纳秀  朱毅  傅远 《中国物理 C》2006,30(8):802-805
针对上海光源U27波荡器光源, 用ANSYS有限元软件对晶体单色器第一晶体液氮间接冷却进行数值模拟, 给出晶体表面倾斜误差与热负载、冷却条件和布喇格角范围等因素的关系, 为晶体单色器的设计与制造提供热缓释依据. 晶体距光源中心24m时最大垂直入射功率密度约为60W/mm2, 在布喇格角调节范围小于30°时, 晶体厚度大于30mm, 晶体吸收总功率上限可到240W, 即可满足SSRF储存环电子束流升级到400mA的需求, 采用正常液氮(78K)冷却晶体, 晶体表面热变形倾斜误差可控制在3arcsec以下.  相似文献   
7.
王纳秀  魏永钦  张莉  张映箕 《中国物理 C》2002,26(11):1189-1194
报道了一种同步辐射光束线单色仪晶体的真空安装应力形变、热缓释方法及其实验结果,在总功率为210W,最大功率密度为1.28W/mm2时,晶体形变的等效曲率半径大于2000m,最大隆起高度小于0.1μm.  相似文献   
8.
13.4nm软X射线干涉光刻透射光栅的优化设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
基于严格的矢量耦合波方法,结合纳米级光栅实际制作工艺,定量分析了在13.4 nm软X射线(TE偏振)正入射条件下,光栅材料、厚度、占空比、梯形浮雕底角大小等因素对光栅一级衍射效率的影响.结果表明,在此波段处,Si3N4、Cr、Au浮雕的相位作用对光栅衍射起重要影响,其中非金属材料Si3N4比金属材料Cr、Au的相位作用更明显.最后优化得到了用Si(或Si3N4)做衬底的si3N4、Cr、Au光栅,分析结果显示,其一级衍射效率优于目前用于13.4 nm软X射线干涉光刻的Cr、Si3N4复合光栅.  相似文献   
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