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实验上研究了(La(1-x)Srx)2CuO4高Tc库晶样品的c-轴正常态电阻同温度的关系以及Tc附近c-轴电阻作为磁场和磁场取向的函数.结果表明,(1)随着Sr含量的增加,c-轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为,和(2)固有的各向异性随Sr含量的增加而逐渐变弱,这些意味着Sr掺杂在La基系统中有利于Cu-O面间耦合的改善. 相似文献
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实验上研究了(La1-xSrx)2CuO4)高Tc单晶样品的c-轴正常态电阻同温度的关系以及Tc附近c-轴电阻作为磁场和磁场取向的函数,结果表明,(1)随着Sr含量的增加,c-轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为,和(2)固有的各向异性随Sr含量的增加而逐渐变弱,这些意味着Sr掺杂在La基系统中有利于Cu-O面间耦合的改善。 相似文献
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制备条件对La0.67Sr0.33MnO3外延薄膜结构及磁电阻的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用直流溅寺在LaAlO3基片上生长了La1-xSrxMnO3外延薄膜。测量了薄膜样品退火前后在零场和外加磁场中的电阻率和磁阻随温度的变化。实验发现,随着基片温度的升高,磁阻在减少;电阻在率最高峰位高温区移动;溅射温度为650℃的样品,磁阻效应最大。 相似文献
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对于La0.2Ba0.8-xCax(O,CO3)其中x=0.0、0.2、0.4、0.6氧化物在973K及甲烷氧化偶联(OCM)条件下,无Ca^2+的样品可用表面BaCO3和(LaO)2CO3的Raman谱及810cm^-1附近的O2^2-特征峰来表征;含Ca^2+的样品,则表现了混合碳酸盐(Ca,Ba)CO3的特征,还有位于1135cm^-1(w)和810cm^-1(w)的O2^-、O2^2-瞬时 相似文献
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测量了用热壁外延(HWE)生长的不同组分(0≤x≤0.98)的Zn1-xMnxSe薄膜在温度为300K下的反射光谱,用X射线能借测定样品实际的组分x值,由此获得了其能隙Eg与组分x的关系:在O<X<0.2组分范围,Eg随x的变化显示了反常现象,当X>0.2时,能隙Eg随x线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光,除观测到Mn2+离子内部4T1→6A1发光峰外,在其低能边观测到一个较宽的发光峰,对结果进行了分析讨论。 相似文献
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作者报道了用X射线衍射法对Bi2Sr2-yMyCuO6+δ(M=La,Pr,0.0≤y≤1.0)系列单晶样品进行结构研究的结果.根据晶体结构的不同性质,我们将掺杂区分为三个区域.第一个区域的掺闭量在0.0≤y≤0.10之间,在此区域中晶体的平均结构为单斜结构,其调制波矢具有两个非公度分量q1=β1b+γ1c.第二个掺杂区的掺镧量在0.10<y≤0.60之间,晶体的平均结构由单斜转变为正交结构,调制波矢具有单个非公度分量q1=β1b+c.第三掺杂区的掺镧量在0.60<y≤1.0之间,晶体的平均结构转变为另一单斜结构,在这一区域有两类调制结构共存.第一类调制结构与第一、第二掺杂区的调制结构类似;第二类调制结构的调制调幅沿α轴方向极化,调制波矢β分量约为第一类调制结构的二分之一.对于Bi2(Sr1.2La0.8)CuO6+δ单晶,其第二类调制波矢为q2=0.122b+0.43c. 相似文献
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测量了用热壁外延(HWE)生长的不同组分(0≤x≤0.98)的Zn1-xMnxSe薄膜在温度为300K下的反射光谱,用X射线能谱测定样品实际的组分x值,由此获得了其能隙Eg与组分x的关系:在0〈x〈0.2组分范围,Eg随x的变化显示了反常现象,当x〉0.2时,能隙Eg随x线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光,除观测到Mn^2+离子内部4T1→6A1发光峰外,在其低能边观测到一个较宽的发光峰 相似文献
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采用固态反应法制备了(La2/3Ca1/3)(Mn(3-x)/3Gax/3)O3(x=0.00,0.10,0.15,0.20,0.30)体系的系列样品。通过系统地测量其零场和1.6特斯拉(T)磁场下样品的电阻率-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系,发现随Ga^3+替代量的增加其磁电阻率峰和电阻率峰均向低温方向移动,磁电阻率峰值增大,并伴生磁电阻率峰展宽效应。作者认为,上述结果是由于Ga^3 相似文献
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测量了La2-xBaxCuO4单相多晶材料在10K-300K的纵波超声声速和超 声衰减,在高温四方相向低温正交相结合相变温度附近,发现强烈的晶格软化现象并伴有明显的超声内耗峰,温度低于60K在所有样品中均发现明显的超声异常现象,这表明在x=0到x=0范围内La2-xBaxCuO4中都可能存在不稳定的低温结构相变。x=0,0.12和0.22几个样品的超声衰减在低温下明显高于其它超志性能好的样品,这可 相似文献
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本介绍了用熔融法制备Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15-xNaxO8+y(x=0,0.4~0.8)样品,发现诸样品零电阻温度都在90K左右,其中x=0.7,Tc0达到92.5K。在81K较高温区,该类样品仍然表现出良好的超导电性,其临界电流密度还达到10^3A/cm^2量级。 相似文献
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La1—xCaxMnO3系列样品的低温比热 总被引:2,自引:0,他引:2
我们系统地研究了La1-xCaxMnO3多晶样品的低温比热,计算了相变时的比热跳跃和熵变,由此得出电子比热系数,并与自由电子比热系数和能带结构的计算结果进行了比较.我们认为电子关联作用和电子-声子相互作用对费米面态密度有较大的影响.同时我们发现La0.8Ca0.2MnO3样品出现两个比热峰,这可能是由于两次磁相变造成的. 相似文献
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研究了Nd1-xBaxMnO3和La0.67Mg0.33Mn0.85M0.15O3的导电性,发现Mn位的自旋磁矩排列状态一大小 和对体系的导电性有强烈的影响,在Nd1-xBaxMnO3中,当Mn^3+/Mn^4-的浓度比值为2:1.1:1,1:2时,电阻率出现半导体-金属转变,推论该类体系的导电性首先由体系中Mn^3+和Mn^4+自旋磁矩形的磁结构状态决定,然后才取决于由Ba掇杂浓度所决定的载流子 相似文献
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实验上研究了Cu掺杂的La1/3Ca1/3Mn1-xCuxOy单相样品液氦温度时的磁阻对磁场历史的依赖关系。结果表明,相对于其它掺杂的样品,x=0.15样品的磁阻强烈的依赖于磁历史,体现在两个方面,一是磁阻曲线存在着非常明显的滞后效应;二是固定场下测得的电阻随时间的变化呈对数型关系。 相似文献