顺磁性对单晶GdBa2Cu3O6＋y监界电流密度的影响

由于单晶ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｙ样品中Ｇｄ＾３＋离子本身固有磁矩对样品有顺磁贡献，使得样品的磁滞回线有所倾斜并使磁滞回线的宽度增大，因而使根据Ｂｅａｎ模型得到的临界电流密度偏离了其真正的值，在温度Ｔ＝４．２Ｋ时，偏离达到８％，因而在对ＹＢＣＯ和ＧＢＣＯ进行比较研究时，对ＧＢＣＯ临界电流密度的修正是必要的。这一顺磁磁化强度的磁场依赖关系可以用反铁磁的分子场理论给以很好的描述。     

顺磁性对单晶GdBa_2Cu_3O_（6＋y）临界电流密度的影响

由于单晶ＤｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｙ样品中Ｇｄ３＋离子本身固有的磁矩对样品有顺磁贡献，使得样品的磁滞回线有所倾斜并使磁滞回线的宽度增大，因而使根据Ｂｅａｕ模型得到的临界电流密度偏离了其真正的值．在温度Ｔ＝４．２Ｋ时，偏离达到８％．因而在对ＹＭＯ和ＧＢＣＯ进行比较研究时，对ＧＢＣＯ临界电流密度的修正是必要的．这一顺磁磁化强度的磁场依赖关系可以用反铁磁的分子场理论给以很好的描述．     

区域熔炼法制备YBa_2Cu_3O_(6 x)的非对数磁弛豫

考虑到有效钉扎势U(J)与临界电流密度的非线性关系,将U(J)展开为三级泰勒级数,最后推导出一个普遍适用于描述高温超导体磁弛豫的等温衰减方程,并用这一方程研究了具有高J_c,强钉扎的区域熔炼法制备YBa_2Cu_3O_(6 x)的磁弛豫,而且对目前被普遍采用的几个钉扎模型进行了讨论.     

从动力学驰豫的测量结果推导临界电流密度Jc0（T,Be）的直接方法

本给出了一种从高温超导体动力学驰豫的测量结果推导其临界电流密度Ｊｃ０（Ｔ，Ｂｅ）的直接方法。这种方法与ＧＩＳ相比，避免了ＧＩＳ中所涉及的复杂的讨论和处理，使问题变得直接和明朗。同时，用这种方法还可以从动力学驰豫的测量中求出μ和Ｕｃ随温度和磁场的依赖关系μ（Ｔ，Ｂｅ）、Ｕｃ（Ｔ，Ｂｅ）。     

区域熔炼法制备YBa_2Cu_3O_(6+x)的非对数磁弛豫

考虑到有效钉扎势U(J)与临界电流密度的非线性关系,将U(J)展开为三级泰勒级数,最后推导出一个普遍适用于描述高温超导体磁弛豫的等温衰减方程,并用这一方程研究了具有高J_c,强钉扎的区域熔炼法制备YBa_2Cu_3O_(6+x)的磁弛豫,而且对目前被普遍采用的几个钉扎模型进行了讨论. 关键词：