La_(1-x)Ca_xMnO_3的巨磁电阻效应

通过测量Ｌａ２／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３，Ｌａ０．６Ｃａ０．４ＭｎＯ３单相多晶样品的磁电阻、电阻与温度的依赖关系，发现在Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３体系中随ｘ的变化，其磁电阻峰和电阻峰都发生了位移．作者认为体系中Ｍｎ４＋含量是受Ｃａ含量调制的，正是Ｍｎ４＋含量的变化，导致磁性结构发生转变．基于Ｚｅｎｅｒ的双交换机制，对实验结果给出了满意的解释     

La0.60Y0.07Ca0.33MnO3巨磁阻氧化物的弹性性能研究

测量了巨磁阻氧化物Ｌａ０．６０Ｙ０．０７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３多晶单相样品在５０－３００Ｋ温区内的纵波和横波超声声速,并得到基扬氏模量Ｅ,切变模量Ｇ和坟缩系数Ｋｓ的动态温度响应曲线。     

Nd1-xSrxMnO3阴极材料的制备及性能研究

用溶胶－凝胶法制备了单相性、均匀性好的Ｎｄ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３（ｘ＝０．１,０．２,０．３,０．４,０．５）微粉系列样品。通过Ｘ射线衍射分析表明,当０≤ｘ≤０．５时样品具有畸变的正交钙钛矿（ＣｄＦｅＯ３型）结构。考察样品的烧结特性和高温电导率随掺锶量的变化规律,发现ｘ＝０．２时样品的导电性能最好。对用微粉制备的膜电极过电位进行测试表明,Ｎｄ０．８Ｓｒ０．２ＭｎＯ３有极过电位低于Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３阴极过电位。     

La2O3—BaO系复氧化物的现场拉曼光谱研究

对于Ｌａ０．２Ｂａ０．８－ｘＣａｘ（Ｏ，ＣＯ３）其中ｘ＝０．０、０．２、０．４、０．６氧化物在９７３Ｋ及甲烷氧化偶联（ＯＣＭ）条件下，无Ｃａ＾２＋的样品可用表面ＢａＣＯ３和（ＬａＯ）２ＣＯ３的Ｒａｍａｎ谱及８１０ｃｍ＾－１附近的Ｏ２＾２－特征峰来表征；含Ｃａ＾２＋的样品，则表现了混合碳酸盐（Ｃａ，Ｂａ）ＣＯ３的特征，还有位于１１３５ｃｍ＾－１（ｗ）和８１０ｃｍ＾－１（ｗ）的Ｏ２＾－、Ｏ２＾２－瞬时     

La—Ce—Mn系钙钛矿型催化剂性能研究

采用共沉淀法制得了Ｃｅ＾４＋，部分取代Ｌａ＾３＋的Ｌａ１－ｘＣｅｘＭｎＯ３钙钛矿型催化剂，实验结果表明，随Ｃｅ＾４＋取代量ｘ的增大，Ｌａ１－ｘＣｅｘＭｎＯ３催化剂越易被还原，其还原活化逐渐降低，对于ＣＯ，ＣＨ４氧化的反应其活性有一最大值，ＣＯ反应ｘ的０．４，ＣＨ４反应ｘ为０．２，这是由于随ｘ值的增大，催化剂晶格缺陷增多，晶格氧的化学势增大，以及ＣｅＯ２杂质相的协同作用的结果，在ＣＯ氧化和用Ｈ２还原     

Nd_(1-x)Ba_xMnO_3和La_(0.67)Mg_(0.33)Mn_(0.85)M_(0.15)O_3(M=Mn,Ga,Fe)中Mn位自旋磁矩对电导性的影响

研究了Ｎｄ１－ｘＢａｘＭｎＯ３和Ｌａ０．６７Ｍｇ０．３３Ｍｎ０．８５Ｍ０．１５Ｏ３（Ｍ＝Ｍｎ，Ｇａ，Ｆｅ）的导电性，发现Ｍｎ位的自旋磁矩排列状态和大小对体系的导电性有强烈的影响．在Ｎｄ１－ｘＢａｘＭｎＯ３中，当Ｍｎ３＋／Ｍｎ４＋的浓度比值为２∶１，１∶１，１∶２时，电阻率出现半导体－金属转变．推论该类体系的导电性首先由体系中Ｍｎ３＋和Ｍｎ４＋自旋磁矩形成的磁结构状态决定，然后才取决于由Ｂａ掺杂浓度所决定的载流子浓度．在Ｌａ０．６７Ｍｇ０．３３Ｍｎ０．８５Ｍ０．１５Ｏ３（Ｍ＝Ｍｎ，Ｇａ，Ｆｅ）中，Ｍｎ位自旋磁矩大小的改变对导电性有强烈的影响，另外发现该类体系均以变程跳跃模式进行导电．     

（110）取向La0.067Sr0.33—MnO3—δ外延膜的结构和磁电阻效应研究

采用直流磁控溅射法在（１１０）ＬａＡｌＯ３单晶基片上制备了Ｌａ０．６７Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３－δ外延膜,系统地了样品的结构以及基片温度、外磁场对磁电阻效应的影响。     

Nd1—xBaxMnO3和La0.67Mg0.33Mn0.85M0.15O3（M=Mn,Ga,Fe）中Mn？…

研究了Ｎｄ１－ｘＢａｘＭｎＯ３和Ｌａ０．６７Ｍｇ０．３３Ｍｎ０．８５Ｍ０．１５Ｏ３的导电性，发现Ｍｎ位的自旋磁矩排列状态一大小 和对体系的导电性有强烈的影响，在Ｎｄ１－ｘＢａｘＭｎＯ３中，当Ｍｎ＾３＋／Ｍｎ＾４－的浓度比值为２：１．１：１，１：２时，电阻率出现半导体－金属转变，推论该类体系的导电性首先由体系中Ｍｎ＾３＋和Ｍｎ＾４＋自旋磁矩形的磁结构状态决定，然后才取决于由Ｂａ掇杂浓度所决定的载流子     

La2／3Ca1／3Mn1—xCuxOy系统磁阻同磁历史关系的实验研究

实验上研究了Ｃｕ掺杂的Ｌａ１／３Ｃａ１／３Ｍｎ１－ｘＣｕｘＯｙ单相样品液氦温度时的磁阻对磁场历史的依赖关系。结果表明，相对于其它掺杂的样品，ｘ＝０．１５样品的磁阻强烈的依赖于磁历史，体现在两个方面，一是磁阻曲线存在着非常明显的滞后效应；二是固定场下测得的电阻随时间的变化呈对数型关系。     

BaSn＿（1－x）Sb＿xO＿（3－δ）和Ba＿（1－y）La＿ySnO＿（3－δ）的导电机制

测量了ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）和Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的低温电阻率和磁化率．实验结果表明，在较低温度区域，两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域，ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献，Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。     

蓝青铜CDW相变比热的连续绝热法测量

改进建立了一套连续绝热法测量材料比热测量材料比热随温度变化的装置。标准铜的测量结果证实了此装置的稳定可靠性。给出了两种准一维导体蓝青铜Ｋ０．３ＭｏＯ３ Ｔｌ０．３ＭｏＯ３的Ｐｅｉｅｒｌｓ－电荷密度波相变比煌测量结果。     

液氦温区La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0.15)体系的磁电阻弛豫效应

实验上研究了液氦温区Ｌａ２／３Ｃａ１／３Ｍｎ１－ｘＣｕｘＯ３（ｘ＝０－１５）单相多晶样品给定磁场下的电阻随时间的变化,发现磁电阻随时间变化并非遵从对数规律而是呈指数型变化行为．对这一指数型磁电阻弛豫行为的可能起因进行了讨论,指出这是与Ｍｎ位上Ｃｕ掺杂将额外磁性杂质引入到样品中有关 关键词：     

磁转变对La0.7Ca0.3MnO3在Tc附近的输运性质的影响

测量了Ｌａ０．７Ｃａ０．３ＭｎＯ３的热导和电阻，温度范围为７７－３００Ｋ，在２６０Ｋ，观察到电阻曲线上的金属－半导体转变上的，热导曲线上有一个不大的斜率的变化。同时不发现在热导单调光滑下降曲线上２２０－２６０Ｋ热导有增加，电阻在２４０Ｋ有斜率的变化，我们讨论了这两种输运性质，认为这与材料在ＴＣ附近复杂的磁行为相联系。     

（La2／3Ca1／3）（Mn（3—x）／3Gax／3）O3体系巨磁电阻效应和电特性的研究

采用固态反应法制备了（Ｌａ２／３Ｃａ１／３）（Ｍｎ（３－ｘ）／３Ｇａｘ／３）Ｏ３（ｘ＝０．００，０．１０，０．１５，０．２０，０．３０）体系的系列样品。通过系统地测量其零场和１．６特斯拉（Ｔ）磁场下样品的电阻率－温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系，发现随Ｇａ＾３＋替代量的增加其磁电阻率峰和电阻率峰均向低温方向移动，磁电阻率峰值增大，并伴生磁电阻率峰展宽效应。作者认为，上述结果是由于Ｇａ＾３     

低掺杂La_(1-x)Sr_xMnO_3结构相变对其电磁特性的影响

高温高压条件下，低掺杂的Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３化合物发生从菱方相（Ｒ３ｃ）到立方相的转变，该相变使其从低温时的绝缘态（极化子有序）转变为金属态．同时，随温度的降低，局域锰离子的自旋也从铁磁长程有序变成了只有短程序结构的自旋玻璃态．这种转变是由于相变引起的Ｍｎ—Ｏ—Ｍｎ键角及Ｍｎ—Ｏ键长的改变所引起．     

高温超导／铁磁多层膜样品制备与输运性质的初步研究

本介绍我们对高温超导／铁磁多层膜样品的初步研究结果。利用准分子脉冲激光淀积方法制备了由高温超导ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７薄膜与铁磁巨磁电阻材料Ｐｒ．７Ｓｒ．３ＭｎＯ３薄膜组成的三夹层型和台阶边缘结型多层膜样品。对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／Ｐｒ．７Ｓｒ．３ＭｎＯ３多层膜样品输运性质测量表明样品中存在超导转变及铁磁相变。对两种多层膜样品的电阻随温度变化测量曲线进行了讨论。     

低补偿度n-Hg1-xCdxTe的磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

报道了ｘ＝０．２１４组份、低补偿度（Ｋ《１）ｎ－Ｈｇ_1-xＣｄ_xＴｅ晶体在０．３─３０Ｋ温度范围，０─７Ｔ强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果，观测到了磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据，提出：低补偿度、组份：ｘ＝０．２附近的ｎ－Ｈｇ_1-xＣｄ_xＴｅ，磁致金属－绝缘体相变（ＭＩＴ）发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结；发生磁冻结的前提是热冻出（ｔｈｅｒｍａｌ ｆｒｅｅｚｅ 关键词：     

La2—xBaxCuO4（0≤x≤0.22）的低温结构不稳定性研究

测量了Ｌａ２－ｘＢａｘＣｕＯ４单相多晶材料在１０Ｋ－３００Ｋ的纵波超声声速和超 声衰减，在高温四方相向低温正交相结合相变温度附近，发现强烈的晶格软化现象并伴有明显的超声内耗峰，温度低于６０Ｋ在所有样品中均发现明显的超声异常现象，这表明在ｘ＝０到ｘ＝０范围内Ｌａ２－ｘＢａｘＣｕＯ４中都可能存在不稳定的低温结构相变。ｘ＝０，０．１２和０．２２几个样品的超声衰减在低温下明显高于其它超志性能好的样品，这可     

La2／3—xYxCa1／3MnO3系统中Y掺杂效应研究

实验上探讨了Ｙ３＋离子掺杂对Ｌａ２／３－ｘＹｘＣａ１／３ＭｎＯ３（０＜ｘ＜０．２）单相样品的结构及其输运性质的影响．结果表明，随着Ｙ的掺杂，晶胞参数收缩，从顺磁性半导体到铁磁性金属的转变温度Ｔｃ明显降低，而巨磁阻效应却大大提高．为了探讨其物理起因，我们对Ｔｃ温度以上的导电机理通过定量分析电阻随温度的变化而得以研究，结果表明，载流子的迁移遵从跳跃方式而不是热激活形式，在此基础上对Ｙ掺杂作用进行了讨论．     

低补偿度n－Hg＿（1－x）Cd＿xTe的磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

报道了ｘ＝０．２１４组份、低补偿度（Ｋ《１）ｎ－Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ晶体在０．３─３０Ｋ温度范围，０─７Ｔ强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果，观测到了磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据，提出：低补偿度、组份：ｘ＝０．２附近的ｎ－Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ，磁致金属－绝缘体相变（ＭＩＴ）发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结；发生磁冻结的前提是热冻出（ｔｈｅｒｍａｌｆｒｅｅｚｅ－ｏｕｔ），即首先必须在很低的温度下将导带电子冻出到施主态上。相变后的温度激活输运行为可以表示成Ｒ＿Ｈ（Ｔ）＝Ｒ＿（Ｈ０）ｅｘｐ［ａ／ｋＴ］，它实际上反映了磁冻结在施主上的电子，随温度的升高，逐步热激发到导带的过程，从磁致ＭＩＴ后的激活能初步推知，导带下存在两个浅施主能级。