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| 稀磁半导体Zn1—xMnxSe外延膜的反射的光致发光谱 | |
| 引用本文： | 王学忠,王杰.稀磁半导体Zn1—xMnxSe外延膜的反射的光致发光谱[J].光谱学与光谱分析,1995,15(3):7-10. |
| 作者姓名： | 王学忠 王杰 |
| 摘 要： | 测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能谱测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在０〈ｘ〈０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当ｘ〉０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ＾２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰 |
| 关 键 词： | 稀磁半导体 反射光谱 光致发光 锌 锰 硒 |
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