La2／3—xYxCa1／3MnO3系统中Y掺杂效应研究

实验上探讨了Ｙ３＋离子掺杂对Ｌａ２／３－ｘＹｘＣａ１／３ＭｎＯ３（０＜ｘ＜０．２）单相样品的结构及其输运性质的影响．结果表明，随着Ｙ的掺杂，晶胞参数收缩，从顺磁性半导体到铁磁性金属的转变温度Ｔｃ明显降低，而巨磁阻效应却大大提高．为了探讨其物理起因，我们对Ｔｃ温度以上的导电机理通过定量分析电阻随温度的变化而得以研究，结果表明，载流子的迁移遵从跳跃方式而不是热激活形式，在此基础上对Ｙ掺杂作用进行了讨论．     

（La2／3Ca1／3）（Mn（3—x）／3Gax／3）O3体系巨磁电阻效应和电特性的研究

采用固态反应法制备了（Ｌａ２／３Ｃａ１／３）（Ｍｎ（３－ｘ）／３Ｇａｘ／３）Ｏ３（ｘ＝０．００，０．１０，０．１５，０．２０，０．３０）体系的系列样品。通过系统地测量其零场和１．６特斯拉（Ｔ）磁场下样品的电阻率－温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系，发现随Ｇａ＾３＋替代量的增加其磁电阻率峰和电阻率峰均向低温方向移动，磁电阻率峰值增大，并伴生磁电阻率峰展宽效应。作者认为，上述结果是由于Ｇａ＾３     

L12／3Ca1／3MnOz薄膜中的巨磁阻效应

采用直流磁控溅射法在ＺｒＯ２衬底上首次成功地制备了Ｌａ２／３Ｃａ１／３ＭｎＯｚ薄膜，Ｘ－射线衍射结果表明该膜具有良好的择优取向，并首次观察到十分明显的巨磁阻效应，在６个特斯拉磁场下，室温时的磁阻比为６％，而７８度Ｋ时竟高达２５００％，中还对磁阻比的磁场关系作了简单的讨论     

液氦温区La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0.15)体系的磁电阻弛豫效应

实验上研究了液氦温区Ｌａ２／３Ｃａ１／３Ｍｎ１－ｘＣｕｘＯ３（ｘ＝０－１５）单相多晶样品给定磁场下的电阻随时间的变化,发现磁电阻随时间变化并非遵从对数规律而是呈指数型变化行为．对这一指数型磁电阻弛豫行为的可能起因进行了讨论,指出这是与Ｍｎ位上Ｃｕ掺杂将额外磁性杂质引入到样品中有关 关键词：     

La_（2／3）Ca_（1／3）MnOz薄膜中的巨磁阻效应

采用直流磁控溅射法在ＺｒＯ２（１００）衬底上首次成功地制备了Ｌａ２／３Ｃａ１／３ＭｎＯｚ薄膜，Ｘ－射线衍射结果表明该膜具有良好的（１００）择优取向，并首次观察到十分明显的巨磁阻效应，在６个特斯拉磁场下，室温时的磁阻比为６％，而７８度Ｋ时竟高达２５００％，文中还对磁阻比的磁场关系作了简单的讨论。     

La_(1-x)Ca_xMnO_3的巨磁电阻效应

通过测量Ｌａ２／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３，Ｌａ０．６Ｃａ０．４ＭｎＯ３单相多晶样品的磁电阻、电阻与温度的依赖关系，发现在Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３体系中随ｘ的变化，其磁电阻峰和电阻峰都发生了位移．作者认为体系中Ｍｎ４＋含量是受Ｃａ含量调制的，正是Ｍｎ４＋含量的变化，导致磁性结构发生转变．基于Ｚｅｎｅｒ的双交换机制，对实验结果给出了满意的解释     

La1-xSrxCoO3-δ体系中缺陷形成与输运过程研究

利用碘滴定法测定了钙钛矿型复合氧化物Ｌａ１－ｘＳｒｘＣｏＯ３－δ系列样品中金属元素的平均价态及氧的非化学计量值。实验发现：Ｌａ１－ｘＳｒｘＣｏＯ３－δ样品中的Ｃｏ元素的平均价态随Ｓｒ掺杂量ｘ的增加先增后减,室温下,在ｘ＝０．５时取最大值,温度升高,最大值移至ｘ＝０．４处。实验还发现,样品的电导率和３３０Ｋ时的内耗峰峰高随Ｓｒ掺杂量ｘ的变化也有类似极值,且极值点也分别出现在０．４和０．５左右,表明复     

THE SUPERCONDUCTIVITY IN Al-DOPEDY_(1-x)Al_xBa_2Cu_3O_y

本文系统地分析了在Ｙ１－ｘＡｌｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０～０．７）中用Ａｌ替代Ｙ的替代效应．我们发现当ｘ＜０．４时，Ａｌ主要替代在Ｙ位，引起结构畸变，从而导致氧含量的减少和Ｏ－Ｔ相变，转变温度随Ａｌ含量增加而下降．当掺杂量大于０．４，Ａｌ开始占据Ｃｕ（１）和Ｃｕ（２）位，样品变为四方结构，Ｔｃ迅速下降．ＸＰＳ分析表明，Ａｌ的位置依赖于掺杂量，随掺杂浓度的增加Ａｌ依次替代Ｙ，Ｃｕ（１），Ｃｕ（２）．同时我们观察到Ｔｃ和ＣｕＯ２平面间相互作用的正比关系．     

In_xGa_（1－x）As缓冲层上In_yGa_（1－y）As／（Al）Ga

本文中，发现在Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层上非故意掺杂的ＩｎｙＧａ＿(１－ｙ)Ａｓ／（Ａｌ）ＧａＡｓ超晶格样品中存在着两个互相反向的自建电场区，一个位于样品表面，另一个位于Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层和超晶格界面．据此，合理地解释了样品的光伏测试结果，并对此类样品的ＭＯＣＶＤ生长工艺给予指导．     

Siδ掺杂Al＿xGa＿（1─x）As／GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的ＡｌｘＧａ＿１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ＿０／ｍ＿０＝０．０７３，ｍ＿１／ｍ＿０＝０．０６８）．随温度降低，子带上占据的电子增多，实验中发现：当样品温度为０．３Ｋ，横向磁场从０到７Ｔ扫描时，磁阻振荡出现间歇性的反常峰，磁阻振幅陡然增大５－６倍。     

Siδ掺杂AlxGa1—xAs／GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅ Ｈａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ＾＊０／ｍ０＝０．０７３，ｍ＾＊１／ｍ０＝０．０６８）。随温度降低，子带     

La_（2－x）Sr_xCu_（1－y）Fe_yO_4正常态的反常磁性

研究了Ｌａ２－ｘＳｒｘＣｕ１－ｙＦｅｙＯ４（ｘ＝０．１３，０．１５，０．１７和ｙ＝０．０，０．００２，０．００４，０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝１，３和５Ｔ）正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．结果表明，不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为．随着Ｆｅ掺杂量的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度随Ｆｅ掺杂含量的变化而变化．这表明载流子浓度是影响超导的重要因素．对Ｆｅ掺杂样品，其正常态直流磁化率与温度的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ－Ｔ０）很好的表示．我们认为，其中ａ＋ｂＴ项是带Ｐａｕｌｉ顺磁的贡献．对同一掺Ｆｅ样品，增加外磁场时，居里常数ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂａｒｄ带），它是导致居里顺磁的原因．增加磁场时它往高能方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的杂化带，导致每个Ｃｕ离子的磁矩增大，而带的Ｆｅｒｍｉ面电子态度减小．我们的实验结果也表明，超导电性与能带结构密切相关．     

制备条件对La0.67Sr0.33MnO3外延薄膜结构及磁电阻的影响

利用直流溅寺在ＬａＡｌＯ３基片上生长了Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３外延薄膜。测量了薄膜样品退火前后在零场和外加磁场中的电阻率和磁阻随温度的变化。实验发现，随着基片温度的升高，磁阻在减少；电阻在率最高峰位高温区移动；溅射温度为６５０℃的样品，磁阻效应最大。     

Sr1—xLaxTiO3折高温高压合成及XPS研究

利用高温高压方法合成了有稀土元素Ｌａ掺杂的钙钛矿氧化物Ｓｒ１－ＬａｘＴｉＯ３，ＸＲＤ测试表明，在ｘ≤０．５时，样品基本为单相，呈立方相；晶胞体积随ｘ的增加而增加，在ｘ＝０．４时开始减小。ＸＰＳ测量发现，样品中存在Ｔｉ离子的变价。讨论了Ｔｉ离子价态的变化对晶格参数的影响。     

Cd_xHg_（1－x）Te／SiO_2固溶体微晶掺杂玻璃三阶非线性光学性质的

本文首次报道了对采用溶胶凝胶和原位生长工艺制备的Ｃｄ_ｘＨｇ_(１－ｘ)Ｔｅ／ＳｉＯ_２固溶体微品掺杂玻璃进行的三阶非线性光学性质实验研究及其结果。利用回返式简并四波混频技术，测得该固溶体掺杂玻璃的三阶非线性极化率的值为１０￣（－１２）ｅｓｕ量级。此结果比纯ＳｉＯ_２基体提高了２个数量级。表明该固溶体掺杂玻璃三阶非线性明显增强，在同样条件下，测得ＣＳ_２的三阶非线性极化率ｘ（３）为（１．７±０．２）×１０￣(－１２)ｅｓｕ，与国际上报道完全一致。     

Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)膜1/f噪声的研究

我们在８０～３００Ｋ温区测量了电阻随温度变化行为十分不同的Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．５，１）膜的１／ｆ噪声，发现Ｐｒ含量对样品噪声水平没有明显的影响．我们还将实验结果与Ｄｕｔａ－Ｈｏｒｎ热激活模型进行了比较．发现ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜符合较好，ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜定量上有较大差别．     

钒掺杂对Pb_2Sr_2Nd_（1．5）Ce_（0．5）Cu_3O_（10＋δ）

本文着重研究了钒对Ｐｂ－３２２２相成相的影响．当Ｎｄ３＋／Ｃｅ４＋为３：１时，通过钒掺杂简单方便地制备了单相性较好的Ｐｂ－３２２２相样品．本文还讨论了钒在Ｐｂ２Ｓｒ２—Ｎｄ１．５Ｃｅ０．５Ｃｕ３Ｏ１０＋δ中的可能位置．     

La2/3Ca1/3MnO3的巨磁熵效应

本文对超大磁阻材料Ｌａ２／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３的巨磁熵效应进行了研究,通过测量不同磁场下的磁化－温度曲线,发现伴随铁磁－顺磁相变有一个大的磁熵变化,这个结果表明钙钛矿锰氧化物可以作为磁致冷技术中的工作物质。     

GexSi1—x／Si应变超晶格雪崩光电探测器的分析与优化设计

对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格雪崩光电探测器进行了分析与优化设计，优化结构为：ｉ－Ｓｉ雪崩区厚是１．８～２μｍ；ｐ－Ｓｉ区的掺杂浓度是１０＾１８ｃｍ＾－３厚为１７ｎｍ超晶格总厚为３４０ｎｍ，它可探测１．３～１．６μｍ的红外光。     

Tc=95K的NdBa2Cu3Ox高温超导外延薄膜的研制

本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Ｔｃ值为９５Ｋ的ＮｄＢａ２３Ｃｕ３Ｏｘ外延薄膜，样品的ＸＲＤ分析表明，样品为强烈ｃ轴织构，ｃ轴晶胞参数为１．１７４ｎｍ，样品衍射峰的ＦＷＨＭ＝０．２９°，ＲＢＳ分析表明：薄膜的化学计量为Ｎｄ１．０Ｂａ２．０Ｃｕ３．３Ｏｘ。对影响ＮｄＢａ２Ｃｕ３ＯＸ薄膜Ｔｃ值的因素进行了讨论。