GeⅩⅩ～GeⅩⅩⅥ谱线的测量和辨认

测量了线聚焦激光加热锗等离子体发射的ＸＵＶ光谱，对ＧｅＸＸ～ＧｅＸＸⅥ谱线进行了辨认和分类。给出了谱线波长和相对强度；计算了辐射跃迁几率和吸收振子强度；并与其它实验室有关结果进行了比较。     

锗等离子体远紫外光谱研究

测量了线聚焦激光加热锗等离子体发射的远紫外光谱，对ＧｅＸＸ－ＧｅＸＸＶＩ谱线进行了辨认和分类。给出了谱线波长和相对强度；计算了辐射跃迁概率和吸收振子强度；并；与其他实验室有关结果进行了比较。 关键词：     

ICP／AES操作条件及氢化物发生条件对As,Se和Ge光谱信号影响的…

本文较系统地研究了ＩＣＰ／ＡＥＳ操作条件及酸介质。ＨａＢＨ４溶液溶度对Ａｓ，Ｓｅ和Ｇｅ谱线强度以及信背比的影响，讨论了这些元素的最佳检测条件，考察了一些共存元素对氢化物光谱信号的影响，观察到Ａｓ，Ｓｅ和Ｇｅ氢化物发生中Ｇｅ的光谱信号的一些特殊行为，及Ｃｕ对Ｇｅ的氢化物光谱信号的增强。     

ICP／AES操作条件及氢化物发生条件对As、Se和Ge光谱信号影响的研究

本文较系统地研究了ＩＣＰ／ＡＥＳ操作条件及酸介质。ＮａＢＨ４溶液浓度对Ａｓ、Ｓｅ和Ｇｅ谱线强度以及信背比的影响，讨论了这些元素的最佳检测条件，考察了一些共存元素对氢化物光谱信号的影响，观察到Ａｓ、Ｓｅ和Ｇｅ氢化物发生中Ｇｅ的光谱信号的一些特殊行为，及Ｃｕ对Ｇｅ的氢化物光谱信号的增强。     

双脉冲驱动锗薄膜靶产生的等离子体XUV光谱

用１米掠入射光栅谱仪测量了在点聚焦和线聚焦两种打靶方式下，单脉冲或双脉冲驱动锗薄膜产生的等离子体ＸＵＶ光谱。并对测得结果进行了分析讨论。在点聚焦打靶条件下，等离子体发射的ＸＵＶ光谱主要为底衬材料发射的谱线，集中在小于１９ｕｍ的波长范围内。在靶长１０ｍｍ线聚焦打靶条件下，Ｇｅ等离子体谱线增多，出现了ＧｅＸＸⅢ３ｓ─３ｐＪ＝０－１和Ｊ＝２－１两条激光线。Ｃ离子的Ｈα线显著变强。     

用拉曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸

用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入ＳｉＯ２基底中的纳米Ｇｅ复合膜（ｎｃ－Ｇｅ／ＳｉＯ２）测量了不同温度退火后该复合膜的拉曼散射光谱，其结果与晶体Ｇｅ的拉曼谱相比，纳米Ｇｅ的拉曼峰红移峰形变宽，用拉曼谱的参数计算了纳米Ｇｅ晶粒的平均尺寸，所得结果与声子限域理论模型符合。     

Si／Ge应变层超晶格的椭偏光谱

测量了几种不同组分的（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的椭偏光谱（２．０～５．０ｅＶ），并得到了其介电函数谱；应用介电函数的临界点理论，研究了（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Ｓｉ／Ｇｅ应变超晶格除了具有明显的Ｅ１和Ｅ２带间跃迁外，还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰，其能量分别位于２．３～３．０ｅＶ和３．３～４．０ｅＶ范围内     

Te—Se—I玻璃及添加As和Ge元素的结构,性能与量子化学计算研究

用自洽场离散变分Ｘα（ＳＣＦ－Ｘα－ＤＶ）量子化学计算方法研究了Ｔｅ－Ｓｅ－Ｉ玻璃及添加Ａｓ和Ｇｅ元素的体系，讨论了结构、性能与化学键之间的关系。计算表明离子键和共价键强度的次序都是Ｇｅ－Ｓｅ〉Ａｓ－Ｓｅ〉Ｔｅ－Ｓｅ，与相应的玻璃转变温度的实验结果一致。含有一配位碘原子的Ｔｅ－Ｉ键比含有二配位碘原子的Ｔｅ－Ｉ键强。Ａｓ－Ａｓ和Ａｓ－Ｉ键比两类Ｔｅ－Ｉ键都强。较强的Ａｓ－Ａｓ和Ａｓ－Ｉ键取代较弱的Ｔ     

纳米Ge颗粒镶嵌薄膜的Raman散射光谱研究

研究了镶嵌在ＳｉＯ_２介质中的不同尺寸（４—１６ｎｍ）纳米Ｇｅ颗粒的Ｒａｍａｎ散射谱特征，与大块标准Ｇｅ晶体的散射峰相比，观察到了理论预期的纳米半导体粒子的Ｒａｍａｎ散射峰的宽化和红移现象．采用声子限域模型较好地解释了实验结果．探讨了ＳｉＯ_２介质基体作用于镶嵌Ｇｅ粒子的压应力以及纳米Ｇｅ粒子的表面界面效应对Ｒａｍａｎ散射光谱的峰形、峰位变化所产生的影响 关键词：     

镧系元素双1：11系列杂多蓝的红外光谱和紫外光谱研究

本文首次系统研究了镧系元素钼采双１：１１系列两子杂多蓝ＫｚＨｙ（Ｌｎ（ＸＭｏ１１Ｏ３９０２）．ｎＨ２Ｏ（Ｘ＝Ｐ，Ｌｎ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ；Ｘ＝Ｓｉ，Ｌｎ＝Ｃｅ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｄｙ）的红外光谱和紫外光谱，对特征峰进行指认，并与还原前的杂多酸盐进行比较，发现有的特征峰出现小的位移，有的峰强度稍有变化，所以得出结论，还原前后，杂多阴离子结构基本不变，但有轻微的畸变。     

High Performance AlGaAs Quantum Well Lasers with Low Beam Divergence Grown by Molecular Beam Epitaxy

ＨｉｇｈＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＡｌＧａＡｓＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌＬａｓｅｒｓｗｉｔｈＬｏｗＢｅａｍＤｉｖｅｒｇｅｎｃｅＧｒｏｗｎｂｙＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ￥ＹＡＮＧＧｕｏｗｅｎ；ＸＩＡＯＪｉａｎｗｅｉ；ＸＵＺｕｎｔｕ；ＸＵＪｕｎｙｉ...     

Ca3Al2M3O12（M=Si,Ge）石榴石中Ce^3＋离子的荧光光谱

本文研究了Ｃａ３Ａｌ２Ｍ３Ｏ１２（Ｍ＝Ｓｉ，Ｇｅ）石榴石中Ｇｅ＾３＋离子的荧光光谱。在这两种石榴石中，Ｃｅ＾３＋的发射光谱均为Ｃｅ＾３＋的５ｄ→４ｆ能级跃迁发射宽谱带，但有很大差异。在锗酸盐中，Ｃｅ＾３＋的发射强度很弱，而在硅酸盐中发射强，２９５和７７Ｋ下在Ｃａ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２中Ｃｅ＾３＋的荧光寿命分别为４６和４９ｎｓ。Ｇｄ＾３＋和助溶剂的引入可提高Ｃｅ＾３＋的发射强度。     

埋入SiO_2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光

用射频共溅射技术和真空退火方法，制备出埋入ＳｉＯ２基质中纳米Ｇｅ的复合膜（ｎｃＧｅ／ＳｉＯ２），通过喇曼散射、Ｘ射线衍射、室温光致发光（ＰＬ）、紫外可见光近红外吸收及电导温度关系等测量手段，较系统地研究了该复合膜的光学、电学、薄膜结构和光致发光性质，在室温情况下得到了有多个弱峰的、不对称的宽带ＰＬ谱，主峰能量约为２０５ｅＶ，这一结果同量子限制效应符合     

The Design of the Black Patch

Ｔｈｅ　Ｄｅｓｉｇｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｂｌａｃｋ　ＰａｔｃｈＴｈｅＤｅｓｉｇｎｏｆｔｈｅＢｌａｃｋＰａｔｃｈ￥ＧＡＯＷａｎｒｏｎｇ；ＺＨＡＮＧＸｉｎｇｚｈｅｎ；ＰＡＮＬａｉｊｉｕ；ＷＡＮＧＪｉａｎｇａｎｇ（ＳｐａｃｅＯｐｔｉｃｓＤｅｐａｒｔｍｅｎｔ，Ｘ...     

退火α—Ge／Cu叠层膜中输运性质的反常

本研究了退火α－Ｇｅ／Ｃｕ（α－Ｇｅ是非晶体态Ｇｅ）叠层中输运性质，获得以下新的结果：（１）α－Ｇｅ／Ｃｕ室温电阻Ｒ３００Ｋ与退火温度Ｔα之间关系出现反常；（２）α－Ｇｅ／Ｃｕ在退火过程中既出现互扩散，又存在固相反应和多相晶化；（３）实验首次发现在α－Ｇｅ／Ｃｕ膜中的分形现象，相应于分形结构，电阻率出现极小。     

类镓等电子序列PdⅩⅥ－TeⅩⅫ的4s~24p－4s4p~2、4s~24p－4s~25s跃迁谱线和振子强度的理论计算

对类镓等电子序列ＧａⅠ－ＸｅⅩⅩⅣ离子４ｓ２４ｐ、４ｓ４ｐ２、４ｓ２、５ｓ组态能级结构和组态相互作用进行了理论分析，找出沿等电子序列的变化规律。用我们提出的拟合公式预测ＳｕⅩⅩ－ＴｅⅩⅫ离子４ｓ２４ｐ、４ｓ４ｐ２、４ｓ２５ｓ组态能级，并给出４ｓ２４ｐ－４ｓ４ｐ２、４ｓ２４ｐ－４ｓ２５Ｓ谱线波长和ＨＸＲ方法的理论计算振子强度，理论计算值与实验值进行了比较。     

退火a－Ge／Cu叠层膜中输运性质的反常

本文研究了退火ａ－Ｇｅ／Ｃｕ（ａ－Ｇｅ是非晶体态Ｇｅ）叠层中输运性质，获得以下新的结果：（１）ａ－Ｇｅ／Ｃｕ室温电阻Ｒ３００ｋ与退火温度Ｔａ之间关系出现反常；（２）ａ－Ｇｅ／Ｃｕ在退火过程中既出现互扩散，又存在团相反应和多相品化；（３）实验首次发现在ａ－Ｇｅ／Ｃｕ膜中的分形现象，相应于分形结构，电阻率出现极小．     

Pd,Ge薄膜体系中的分形晶化行为

利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对有化合物生成（Ｐｄ₂Ｇｅ和ＰｄＧｅ等）的Ｐｄ，Ｇｅ薄膜体系中的分形晶化行为进行了系统研究实验结果和分析表明：在各种退火温度条件下，Ｐｄ－Ｇｅ共蒸膜都难以发生分形晶化，Ｐｄ／ａ－Ｇｅ双层膜较ａ－Ｇｅ／Ｐｄ双层膜更容易导致分形结构的产生Ｚ化合物Ｐｄ₂Ｇｅ和ＰｄＧｅ的形成对薄膜中的分形晶化有明显的抑制作用，体系中能否出现分形结构，取决于非晶Ｇｅ的成核生长和Ｐｄ，Ｇｅ化学反应两种过程的相互竟争． 关键词：     

类Be氩离子振子强度和跃迁光谱

研究了类Ｂｅ氩离子内壳层电子光电离的激发能级，寿命和辐射速率，谱线波长和振子强度，并给出了位于“水窗”波段的谱线波长和谱线强度。     

埋入SiO2薄膜中纳米Ge的光学,电学性质和室温可见光致发咣

用射频共溅射技术和真空退火方法，制备出埋入ＳｉＯ２基质中纳米Ｇｅ的复合膜，通过喇曼散射、Ｘ射线衍射，室温光致发光、紫外－可见光－近红外吸收及电导温度关系等测量手段，较系统地研究了该复合膜的光学、电学、薄膜结构和光致发光性质，在室温情况下得邓 有多个弱峰的、不对称的宽带ＰＬ谱，主峰能量约为２．０５ｅＶ，这一结果同量子限制效应符合。