一种求解透明薄膜椭偏方程的新方法

介绍用测量得到的椭偏参数ψ和Δ求解透明薄膜折射率和厚度的方法。该方法引入一个新的目标求解函数,减少了搜索参量的空间的维数,改善了函数的性态和收敛速度,缩短了计算时间。最后给出应用实例。     

薄SiO_2膜厚度的椭偏测量方法

应用常规椭偏方法测量膜厚小于 ３００Ａ的薄ＳｉＯ２膜厚度时，由于膜的折射率对已知参数比较敏感，因而测量误差较大．本文给出一种薄ＳｉＯ２膜厚度的椭偏测量方法，引入等效入射角的概念，用曲线拟合求交点的办法精确确定了膜的折射率和厚度．     

双层光学薄膜参数的多入射角椭偏分析方法

本文讨论了多入射角椭偏测量中光学参数的误差因子以及最佳测量条件的选取.指出,当薄膜较厚时,多入射角椭偏测量可以精确确定膜系的光学常数和几何厚度,并用二例实测结果加以证实.本文的方法也适用于分析多层光学薄膜.     

薄膜辐射热探测器

薄膜辐射热探测器是一种结构简单,灵敏度高,响应快速的辐射热测量元件,特别适用于短时间超声速设备中的辐射测量,也可以在辐射能的标定中使用。这种探测器是在通常薄膜电阻温度计的表面上覆盖一层碳黑类物质,以增加它的吸收率和扩大吸收谱的宽度,且减少吸收率随波长的变化。     

Si／Ge应变层超晶格的椭偏光谱

测量了几种不同组分的（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的椭偏光谱（２．０～５．０ｅＶ），并得到了其介电函数谱；应用介电函数的临界点理论，研究了（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Ｓｉ／Ｇｅ应变超晶格除了具有明显的Ｅ１和Ｅ２带间跃迁外，还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰，其能量分别位于２．３～３．０ｅＶ和３．３～４．０ｅＶ范围内     

旋转检偏器式自动椭偏仪检偏器方位角的校正方法

给出了一种旋转检偏器式激光自动椭偏仪检偏器方位角的校正方法。方法的基本点是测量同一样品在不同起偏器方位角时反射光偏振状态的斯托克斯参数,根据偏振光的Poincar(?)球表示,借助于坐标旋转来确定检偏器偏振方向相对于入射面的初始方位角。实际的测量结果证明此方法是正确的。