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本研究了退火α－Ｇｅ／Ｃｕ（α－Ｇｅ是非晶体态Ｇｅ）叠层中输运性质，获得以下新的结果：（１）α－Ｇｅ／Ｃｕ室温电阻Ｒ３００Ｋ与退火温度Ｔα之间关系出现反常；（２）α－Ｇｅ／Ｃｕ在退火过程中既出现互扩散，又存在固相反应和多相晶化；（３）实验首次发现在α－Ｇｅ／Ｃｕ膜中的分形现象，相应于分形结构，电阻率出现极小。 相似文献
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对A位掺杂的超大磁阻材料(La0.5Gd0.2)Sr0.3MnO3的磁热效应进行了研究，通过不同温度下等温磁化(M-H)曲线的测量和计算，发现伴随铁磁．顺磁相变出现大的磁热效应，额外的磁性交换作用将导致额外的磁熵变化。 相似文献
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La2/3Ca1/3MnO3中的输运机制与CMR效应 总被引：8，自引：3，他引：8
研究了超大磁阻材料La2/3Ca1/3MnO3的磁电特性，发现由电阻测量得到的绝缘体．金属相变与由磁化曲线得到的顺磁-铁磁相变温区完全一致，均随磁场的增强推向高温区。结果证明样品输运行为的变化起因于磁结构的变化，在Tc附近产生超大巨磁电阻效应。 相似文献
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Eu(Pr)替代Ba位对EuBa2Cu3O7-δ晶体结构及其超导电性的影响 总被引：3，自引：1，他引：2
采用X射线衍射、直流输运和拉曼光谱法分别研究了Pr和Eu替代EuBa2 Cu3O7 δ的Ba位对晶体结构及其超导电性的影响。实验结果表明 ,随着Pr和Eu替代浓度的增加 ,晶体结构发生了从正交相到四方相的结构转变 ,超导临界温度Tc 迅速降低 ,拉曼光谱表明 ,随着替代含量的增加 ,Cu(1)—O(4 )的拉伸振动 5 0 4cm- 1 和Cu(2 )—O(2 ,3)反相弯曲的振动模 30 4cm- 1 系统地向高波数移动。 相似文献
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用固相反应法制备(1-x)La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3/x/2(Sb2O3)(x=0.00,0.02,0.15)样品,通过X射线衍射(XRD)图谱,扫描电子显微镜(SEM)照片及SEM能谱(EDS),ρ～T曲线研究样品的结构及电输运性质.结果表明:Sb离子没有进入Mn位,Sb2O3包覆在La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3颗粒表面,Sb2O3起助熔剂作用,使得复合样品的颗粒变大且大小相对均匀;复合样品的绝缘体-金属转变温度TP较纯的La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3的TP提高20K左右,对x=0.15的样品电阻高峰值比纯的La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3的峰值电阻率增大两个数量级,用自旋极化隧穿理论予以解释. 相似文献
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用固相反应法制备La4/5Sr1/5MnO3及在其A位分别掺K、Ag系列样品,通过X射线衍射(XRD)谱,电阻率-温度(ρ～T)曲线,磁电阻-温度(MR～T)曲线,研究了在A位同时掺入一价、二价元素而保持Mn3+/Mn4+比值(摩尔比n(A)/n(B))不变的钙钛矿锰氧化物体系A位离子半径及A位离子的无序度σ2对电输运性质及磁电阻的影响.结果表明:A位离子的无序度σ2对电输运性质的影响比A位平均离子半径对电输运性质的影响大;电阻率曲线出现双峰是由于表面相电阻率与体相电阻率竞争的结果;MR的温度稳定性是本征磁电阻与隧穿磁电阻竞争的结果;掺K样品在253～175K温区MR从8.1%缓慢上升到9.5%,掺Ag样品在260K以下温区MR都在7.4%以上,纯的La4/5Sr1/5MnO3样品在318～259K温区MR都在7.0%以上,在如此宽温区MR几乎不变有利于MR的实际应用. 相似文献
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用固相反应法制备了La0.45Ca0.55Mn1-xVxO3(x=0.00,0.10)多晶样品.通过X射线衍射谱、质量磁化强度-温度曲线、电子自旋共振谱,研究了V5+替代Mn3+/Mn4+对La0.45Ca0.55MnO3电荷有序相和自旋玻璃态的影响.实验结果表明,当x=0.10时,不仅母体的电荷有序相基本破坏,而且母体在40K左右出现的自旋玻璃态也被融化.电荷有序相被破坏的主要原因是用V5+替代Mn3+/Mn4+后,增加了Mn3+与Mn4+的比例,使铁磁双交换作用优于反铁磁超交换作用;自旋玻璃态的融化是由于V替代Mn后破坏了反铁磁背景下有少量铁磁成分的自旋玻璃态的形成条件. 相似文献
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通过测量La1-xNaxMnO3(x=0.05、0.10、0.15、0.20、0.25、0.33)体系的M～T曲线和R～T曲线,研究了La位Na掺杂对体系磁电性质的影响.结果发现:随着Na掺杂浓度的增加,体系居里温度Tc升高,顺磁-铁磁相变逐渐变陡;伴随着顺磁-铁磁相变,体系发生金属-绝缘体相变,电阻随掺杂浓度增加而下降.体系磁电性质的变化来源于掺杂引起的Mn3 -O-Mn4 间的双交换作用、静态Jahn-Teller畸变和公差因子的变化. 相似文献