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利用高温高压方法合成了HgBa2CaCu2O6+δ超导体。X射线衍射线结构分析显示该超导体具有四方结构,晶格常数a=0.3867nm,c=1.2743nm.电阻和交流磁化率测量结果表明该超导体的超导起始转变温度为127K,零电阻温度为121K,抗磁转变温度为118K。对合成后的样品做了氧气氛中的退火处理,研究了27kbar压力下,不同烧结温度对合成样品的超导电性的影响,结果表明该压力下HaBa2C 相似文献
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在HgBa2Ca2Cu3O8+δ(Hg-1223相)超导体中,我们以Pb部分代替Hg,成功地合成了(Hg,Pb)-1223相超导体,并对这些样品进行了XRD、TEM、SEM和EDX等分析。本文着重报导EMPA分析的结果:在我们最佳合成的(Hg,Pb)-1223超导样品中,正离子比为Hg:Pb:Ba:Ca:Cu=0.66:0.344:2:1.98:2.97,氧含量为8.41;以及样品的主相为(Hg, 相似文献
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YBa2Cu3Oy多晶样品正交Ⅱ区域内的差分比热,样品的氧含量分别为y=6.73,6.66,6.65和6.57。比热反常峰值和峰所对应的温度均随氧含量的降低而降低。对于YBa2Cu3O6.57样品,其比热反常幅度虽小但仍可分辨出来,说明体超导仍存在于该组份(60K超导体)。实验结果表明,Cu-O链层的氧有序是与90K体超导和60K体超导相关的。Cu-O2面的完整对保持体超导至关重要。 相似文献
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本文研究了c轴取向的Hg0.9Tl0.1Ba2Ca2Cu3O8+δ超导膜(Tc〉124K)在混合态下的电阻展宽及霍尔效应。低电阻区域的展宽显示出热激活磁通蠕动行为。在膜的超导转变温度以下,我们观察到霍尔电阻率符号反常现象。霍尔电阻率(ρxy)和纵向电阻率(ρxx)具有ρxy(T)=kρxx^β(T)的标度关系。 相似文献
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RBa2Cu3O7—x(R=Y,Yb)形成过程的差异及单相YbBa2Cu3O7—x超导体的… 总被引:1,自引:1,他引:0
本文通过X射线衍射(XRD)、差热分析(DTA)和超导电性测量等手段对YBa2Cu3O7-x(Y-123)和YbBa2Cu3O7-x(Yb-123)相的形成,单相Yb-123超导体的制备,单相Y-123超导体的最低形成温度及R-123相的熔点与R离子半径的关系进行了研究。结果表明Y-123和Yb-123相形成过程显著不同,Y-123主要通过下一化学反应生成:Y2O3+4BaCO3+6CuO+1-2 相似文献
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对超导样品加压有可能改变它的临界温度Tc.例如,在常压下,HgBa2Ca2Cu3O8+δ的Tc是133K,施加静压后其Tc可升高到164K.进一步的实验表明,压力对Tc的影响,沿不同的晶轴取向,其正负号往往是相反的,例如,对于欠掺杂La2-xSrxC... 相似文献
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本文系统地研究了Pr掺杂在Y位对YBa2Cu3O7-δ超导体内耗的影响,随Pr对Y的掺杂量增加,110K内耗峰逐渐减小,而87K附近的内耗峰基本不变,因Pr的掺入主要引起电子结构的变化,110K附近内耗峰应的电子结构有关,而和YBa2Cu3O7-δ的附近的90超导转变无直接的联系。 相似文献
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利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术,我们在SiTiO3衬底上成功地外延生长了超薄超导YBa0.2Cu3O7薄膜样品.样品YBa0.2Cu3O7层厚度分别为2.4nm至10.8nm(二至九个原胞).四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变.超导零电阻温度分别为16K至81K.超薄超导薄膜样品显示当YBa0.2Cu3O7层厚度达到和超过四个原胞层厚(9.6nm)时,厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显.实验观察到YBa0.2Cu3O7层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同.这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响.超薄YBa0.2Cu3O7超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件. 相似文献
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采用磁控溅射方法在(100)YSZ基底上沉积了YBa2Cu3O7/SrTiO3/YBa2Cu3O7异质外延三层膜。利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能,利用X射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征。研究结果表明,膜层的结晶质量较好,临界转变温度Tc在83.5K和86.7K之间。YBCO膜层中的绝大多数甚至全部)晶粒为c取向,在有些膜中只存在少量的a或b取向的YBCO晶 相似文献
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在80K-400K的温区内测量了Y1-xrxBa2CU3O7-δ体系 电子寿命的温度依赖关系,YBa2Cu3O7-δ样品,正电子平均寿命具有明显的温度依赖性;随着Pr的掺入,温度依赖性 ,以致于PrBa2Cu3O7-δ体系的正电子平均寿命不再随温度变化,正电子寿命的温度依赖性可用正电子浅捕获理论加以解释,并由实验数据拟合得出了浅捕获中心的正电子束缚能,文中还讨论了该体系中正电子清捕获中心所对应的缺 相似文献
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在55-78K的温度范围内,最大磁场为2.3T下,用VSM测量了含Y2BaCuO5颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6+x的磁滞回线。利用Bean模型计算了磁临界电流密度,发现Jc与外加磁场H有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Y2BaCuO5(211)颗粒在磁通钉扎中有很大作用,在较高增场下,随211相颗粒含量的增加,样品的Jc下降越缓慢。 相似文献
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我们用Schilling等人的方法制备出了Hg-Ba-Ca-Cu-O超导化合物系,并用X-ray衍射、TEM、磁化率及电阻等实验测量对它们进行了初步研究.由TEM观察,证实了在HBCCO系中存在Hg-1201相,Hg-1212相和Hg-1223相.用高-Q振动子技术,对HgBa2CuO4+y样品作了磁通点阵融化的力学测量,从而估计出该样品的不可逆线的形状.我们还对Hg-1223样品作了事后退火处理研究,在氧气中退火可使该样品的Tc略有增高,这些结果表明Hg-1223样品的超导相可能处在微弱的“under-doped”态. 相似文献