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掺杂聚合物薄膜的蓝色电致发光 总被引:6,自引:3,他引:3
有机薄膜电致发光(OTFEL)自从Tangu[1,2],发表了高效、高亮度的双层结构器件以来,因其驱动电压低、直流驱动、亮度高、效率高、可制成大面积的平板显示而成为当前发光器件研究的热点.但由于有机膜的稳定性差,因此人们逐渐把注意力转向具有稳定结构的聚合物. 相似文献
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BaF2薄膜保护的YBaCuO薄膜的耐受性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本报告了在外延YBaCuO薄膜表面淀积的BaF2薄膜对其超导性能的保护作用和破坏性实验的结果,经BaF2保护的超薄膜在30分钟浸水及暴露大于气中长达5个月,超导转变温度仍保持89K。 相似文献
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本文用电光微分表面等离子激元光谱研究芪盐单分子层LB薄膜在不同光波长处(488nm,633nm和832nm)的电光响应.指出这是一种十分有效,简便的评估厚度小于100nm超薄膜非线性光学特性的实验技术. 相似文献
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有机及高分子薄膜电致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
有机薄膜电致发光,因其具有低压直流驱动、高亮度、高效率、多色、能制成大面积等优点,有可能制产板显示,成为当前研究的特点,本文介绍了有机及高分子电致发光发展的历史、器件结构、发光原理和它的未来。 相似文献
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Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光 总被引:11,自引:7,他引:4
几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加,同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了,其峰值为525nm。当退火温度为950℃时,紫外带几乎消失,而只剩下绿带,且与纯硅酸锌样品的CL谱一致,掠入射X射线衍射测量表明,确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此,从ZnO/Si异质结的质量来看,直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结:因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时,不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量,而当退火温度接近或高于800℃时,虽然zn0晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加,但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌,将严重影响ZnO/Si异质结的电学输运特性。 相似文献
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磁控溅射CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系 总被引:5,自引:0,他引:5
对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系进行了研究。CNx薄膜沉积实验在纯N2的环境下进行.衬底温度(Ts)保持在350℃.衬底偏压(Vb)在0~-150V之间变化。利用原子力显微镜(AFM)和划痕试验机来测量CNx薄膜的表面粗糙度及对衬底的附着力。AFM和划痕实验的结果显示衬底偏压Vb对CNx薄膜的附着力和表面粗糙程度的影响很大,在-100V偏压下生长的CNx薄膜表面最光滑(粗糙度最小),同时对Si(001)衬底的附着力最好。最后根据实验结果确定了在单晶Si(001)衬底上生长光滑而且附着力好的CNx薄膜的最佳实验条件。 相似文献
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文章综述的内容为:(1)物理汽相沉积(PVD)薄膜的微结构;(2)PVCD薄膜的内应力;(3)膜的微结构和内应力的关系,着重介绍制备参数对结构、内应力和再会得之间的主要联系的影响,提出了确立两者的联系还需进一步研究的问题和优化微结构和内应力的一个途径--梯度膜。 相似文献
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Graded-index ZrO2 films has been fabricated on K9 glass by glancing angle deposition. Because the index mismatch at the interface has been reduced, the film results in wideband high-transmission antireflection. From 400nm to 1200nm, the film reflection is lower than 0.8% and the lowest value is 0.2% at 432nm. 相似文献
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测量了Si衬底上生长的GaAs薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱,研究了0.78eV、0.84eV和0.93eV发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系,发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局域态发光的公式。最后讨论了这些发光带的来源。 相似文献
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选用分子量500万的聚氧化乙烯,通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物(PEO)_(?)-CuBr_2(n=4,8,12,16,24)薄膜,并在0.1—2443MPa范围不同的流体静压力下测量了它们的相对介电常数,分别探讨了高聚物薄膜在室温常压和高压下离子电导率与介电常数的关系。实验结果证实:添加介电常数较高及本体粘度较低的增塑剂C_4H_6O_3后,当其相对浓度npc/n_c=20%时,不仅该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍,而且其压力下的离子电导率也提高1(0.1—100MPa)至2(350—800
关键词: 相似文献
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金属薄膜电阻特性与厚度测量 总被引:1,自引:0,他引:1
考察不同沉积时间的金属铝与铜的薄膜的沉积态,电阻变化与厚度,厚度测量采用实验室光学干涉和透过率对比方法.金相显微与铝铜电阻变化的测量表明,不连续薄膜与连续过渡之间,电阻显著变化处不同.铝膜电阻随时间变化过程开始时存在波动状态. 相似文献