Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光

几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO／Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示，当退火温度低于等于800℃时，随着退火温度的升高，薄膜的晶体质量得到了改善，这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加，同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了，其峰值为525nm。当退火温度为950℃时，紫外带几乎消失，而只剩下绿带，且与纯硅酸锌样品的CL谱一致，掠入射X射线衍射测量表明，确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此，从ZnO／Si异质结的质量来看，直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结：因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时，不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量，而当退火温度接近或高于800℃时，虽然zn0晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加，但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌，将严重影响ZnO／Si异质结的电学输运特性。     

抑制太阳光引起的探测虚警研究

为了解决成像型激光探测系统外场试验常易出现的太阳光虚警问题,提出了一种通过提高图像帧频抑制太阳光虚警的方法,讨论了该方法的适用性,给出了最佳频帧的选取办法,并在外场太阳直射条件下进行了实地验证.结果表明,该方法可减小探测系统对背景的积分时间,有助于缩小太阳周围虚警杂光的成像范围,有利于抑制虚警,为成像型激光探测系统后续...     

基于仿射算法的深部隧道衬砌力学状态区间分析

根据深部地层隧道结构物理、力学参数信息资料缺乏及各类不确定性模型的特征,揭示了区间模型于深部地层隧道工程不确定性分析的优越性。将限制条件少、适用范围广的链杆模式的矩阵位移理论与响应面思路结合,提出了衬砌结构力学状态参量解析式的搭建方法,并进一步推导出了基于仿射运算的响应面函数矩阵表达形式及其区间上、下界计算公式,构筑起基于矩阵表达的响应面函数区间仿射运算模型。将区间离散逐步逼近规则引入,建立了该模型的优化求解方法。利用该模型及方法分析了某衬砌墙脚轴力及拱顶弯矩分布区间,与蒙特卡洛法计算结果比较,显示本文模型及方法有效地克服了经典区间方法在复杂状态函数中的扩张和溢出这一致命缺陷,提高了准确性和计算效率,分析结果精确度满足工程使用要求。     

甲基取代基对四苯基卟啉与铜显色反应的影响

为探讨甲基取代基对四苯基卟啉(TPPH2)结构和性质的影响,以四苯基卟啉与铜[Ⅱ]显色反应为参照,采用条件实验方法,对比研究了四(间甲苯基)卟啉(TMPPH2)和四(3,4-二甲苯基)卟啉(TDMPPH2)与铜Cu[Ⅱ]的显色反应,采用摩尔比法和连续变化法测定了配合物组成。结果表明:TMPPH2和TDMPPH2与Cu[Ⅱ]的显色配合物最大吸收峰与TPPCu的相同:均在416 nm处;TPPH2、TMPPH2和TDMPPH2与Cu[Ⅱ]进行显色反应的溶液最佳pH值分别是8、9和7,水浴温度100℃,最佳加热时间分别是20、20和25 min;形成配合物的组成分别是1:1、2:1和2:1(n卟啉:n铜);由此可知间甲基和3,4-二甲基取代对四苯基卟啉铜的配合物B吸收带(Soret带)峰位无影响,但对配合物的组成影响明显。     

InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算

根据八带k·p理论，在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解k_x=k_y=k_z=0处的有效质量哈密顿H₀的本征值，得到InGaAs量子点中导带中电子基态E_C1，第一激发态E_C2和重空穴态E_{HH1关键词： InGaAs 量子点 带内跃迁 k·p理论')" href="#">八带k·p理论}     

Dependence of Intrinsic Defects in ZnO Films on Oxygen Fraction Studied by Positron Annihilation

Defects in ZnO films grown by radio-frequency reactive magnetron sputtering under variable ratios between oxygen and argon gas have been investigated by using the monoenergetie positron beam technique. The dominate intrinsic defects in these ZnO samples are O vacancies （Vo） and Zn interstitials （Zni） when the oxygen fraction in the O2/Ar feed gas does not exceed 70% in the processing chamber. On the other hand, zinc vacancies are preponderant in the ZnO films fabricated in richer oxygen environment. The concentration of zinc vacancies increases with the increasing O2 fraction. For the oxygen fraction 85%, the number of zinc vacancies that could trap positrons will be smaller. It is speculated that some unknown defects could shield zinc vacancies. The concentration of zinc vacancies in the ZnO films varies with the oxygen fraction in the growth chamber, which is in agreement with the results of photolurninescence spectra.     

以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性

分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,在 34.1°附近得到了 0 .3°左右半峰全宽的ZnO(0 0 2 )衍射峰。ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构。阴极射线荧光的测量显示了位于 390nm的紫外特征峰。用I V特性仪测量了上述ZnOp n结原型器件的I V电学输运曲线 ,其正向显示了约为 1 .1V的阈值 ,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnOp n结相似 ,但反向特性明显优于他们的