[100]金刚石薄膜的辐照响应特性研究

采用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)方法生长得到25μm厚的[100]取向金刚石膜,用以制备辐射探测器.在100 V偏压下,测得暗电流为16.1 nA,55Fe X射线(5.9 keV)和241Am α粒子(5.5 MeV)辐照下的净光电流分别为15.9nA和7.0nA.光电流随时间的变化先快速增加随后由于"pumping"效应逐渐达到稳定.X射线和α粒子辐照下的平均电荷收集效率分别为45;和19;,并由Hecht理论计算得到对应的电荷收集距离为11.25μm和4.75μm.     

Cd1-xZnx合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长

本文运用热力学关系估算了CdZnTe熔体平衡分压.尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源控制Cd分压和Zn分压进行了Cd 0.8Zn 0.2Te晶体熔体生长,探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系.获得的Cd 0.8Zn 0.2Te晶体的电阻率接近1010Ω·cm,高于同类方法文献报道1～2个数量级.晶体的结构完整性较好,平均腐蚀坑密度(EPD)为2×105cm-2,纵向组成分布偏离度在4;左右,红外透过率大于60;,晶体中第二相和沉淀物明显减少,优于仅采用Cd分压控制的Cd0.8Zn0.2Te晶体.     

UV–visible spectral characterization and density functional theory simulation analysis on laser-induced crystallization of amorphous silicon thin films

The effect of laser energy density on the crystallization of hydrogenated intrinsic amorphous silicon （a-Si：H） thin films was studied both theoretically and experimentally. The thin films were irritated by a frequency-doubled （λ= 532 nm） Nd：YAG pulsed nanosecond laser. An effective density functional theory model was built to reveal the variation of bandgap energy influenced by thermal stress after laser irradiation. Experimental results establish correlation between the thermal stress and the shift of transverse optical peak in Raman spectroscopy and suggest that the relatively greater shift of the transverse optical （TO） peak can produce higher stress. The highest crystalline fraction （84.5%） is obtained in the optimized laser energy density （1000 mJ/cm2） with a considerable stress release. The absorption edge energy measured by the UV- visible spectra is in fairly good agreement with the bandgap energy in the density functional theory （DFT） simulation.     

沉积工艺条件对金刚石薄膜红外椭偏光学性质的影响

采用红外椭圆偏振光谱仪对不同工艺条件下制备的CVD金刚石薄膜在红外波长范围内的光学参量进行了测量，分析了工艺条件对金刚石薄膜红外光学性质的影响.获得了最佳的沉积工艺参数，优化了薄膜的制备工艺.结果表明薄膜的折射率和消光系数与薄膜质量密切相关，当温度为750℃，碳源浓度为0.9%和压强为4.0 kPa时，金刚石薄膜的红外椭偏光学性质最佳，折射率平均值为2.385，消光系数在10^-4范围内，在红外波段具有良好的透过性. 关键词： 薄膜光学 红外光学性质 工艺条件 金刚石薄膜     

电沉积法制备CdS薄膜及其性能研究

采用电沉积法制备了CdS薄膜.分别用XRD及SEM分析了薄膜的结构和表面形貌.研究了不同温度和不同沉积电压对薄膜表面硫与镉的化学成分比的影响.最佳的沉积电压为2.5～3V之间.制作了ITO/n-CdS/p-SnS/Ag结构的太阳能电池,在100mW/cm2的光强下其开路电压0.2V,短路电流13.2mA/cm2,填充因子0.31,转换效率0.81;.     

甲壳胺膜中MS(M=Cd,Zn)半导体纳米微粒形成机理的探讨

采用红外光谱（ＩＲ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）对甲壳胺中纳米微晶生长过程进行了监测,并对测试结果进行了分析与讨论,提出甲壳胺膜中ＭＳ（Ｍ＝Ｃｄ,Ｚｎ）半导体纳米微晶可能的生长机制。同时还利用ＡＦＭ对甲壳胺中纳米微晶的形貌和尺度进行了测定。     

ZnS纳米微粒的形貌结构对其光学特性的影响

报道在聚乙烯醇（PVA）膜上采用离子络合法镶嵌的ZnS纳米微粒的形貌结构与光学特性。透射电子显微镜结果表明，在聚乙烯醇膜中的ZnS纳米微粒分布比较均匀，粒径可控制在2－7nm的范围内；电子衍射分析表明，ZnS纳米微粒具有类似于β－ZnS体材料的晶体结构。室温下的光发射峰的位置在414～440nm范围内。着重分析了ZnS纳米形貌结构与其发射波长和强度之间的关系，并探讨了其不同的发射机理。     

α-C:H薄膜及其在硅太阳电池上作增透膜的研究

采用高频等离子体汽相淀积法在不同材料衬底上淀积出α-C:H薄膜。Raman谱分析表明,该薄膜既具有类金刚石相,又具有金刚石相。测量了该薄膜可见光范围的透射率和折射率。本文提出把该薄膜涂覆在硅太阳电池上作光学增透膜,使其在0.55—1.0μm波长范围内光谱响应明显提高,并使该电池短路电流增加率达38％。 关键词：     

衬底温度对SnS薄膜性能的影响

采用真空蒸发法在玻璃衬底上沉积硫化亚锡(SnS)薄膜,并对不同衬底温度沉积的薄膜性能进行了探讨.对薄膜的结构、表面形貌、成份、电学特性和光学特性进行了表征.实验发现,最佳的衬底温度为150℃;制备的SnS薄膜为多晶的斜方晶系,晶粒大小约为0.5 μm,Sn和S元素的化学计量比接近1,导电类型为P型,暗电导率、光电导率分别为 0.01 Ω-1·cm-1 和 0.08Ω-1·cm-1,禁带宽度为1.402 eV.     

多晶碘化汞厚膜的生长及其性质研究

采用热壁物理气相沉积法(hot-wall PVD)制备HgI2多晶厚膜,采用XRD、金相显微镜等手段对其进行表征,结果表明多晶HgI2厚膜呈定向(001)晶向生长且晶粒尺寸大小均匀.并分析讨论了不同温度对厚膜生长的影响.通过对其I-V特性的测试表明其具有高的电阻率(达1011Ω*cm)和较好的线性关系.