[100]定向织构生长金刚石薄膜的红外光学性能研究

采用微波等离子增强化学气相沉积法在（１００）镜面抛光的硅片衬底上实现了金刚石薄片〖１００〗定向强构生长。并用扫描电子显微镜、拉曼散射和傅立叶红外光谱仪分析测试了不同工艺得到的金刚石薄片的表面形貌、组成织构和红外性能。结果表明：负偏压辅助定向成核和氢的等离子刻蚀不仅促进了金刚石薄膜的定向织构生长，而且有刻蚀成核期的非金刚石成分。从而提高了金刚石薄片的红外光透过特性。     

类金刚石薄膜碲镉汞红外器件钝化膜的研究

采用等离子增强化学气相法（ＰＥＣＶＤ）在碲镉汞（ＭＣＴ）衬底上沉积出纳米团聚的类金刚石薄膜（ＤＬＣ）。用原子力显微镜（ＡＦＭ）和侧向力显微镜（ＬＦＭ）和对ＤＬＣ和ＭＣＴ表面形貌进行表征；用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和ＤＬＣ／ＭＣ 面附近各元素含量的分布进行分析研究。结果表明：当膜厚达到２５ｎｍ以上，这种ＤＬＣ膜就能够有效地抑制ＭＣＴ中ＨｇＴｅ的分解和Ｈｇ与Ｔｅ的外扩散。ＡＦＭ和ＬＦＭ的观察结果表明，原     

新型噁二唑有机电致发光小分子光电性质研究

通过升降温差热分析(DSC)曲线、偏光显微镜、紫外吸收光谱、电化学行为曲线以及多层器件等,研究了噁二唑衍生物小分子的电学和光学性质,发现其同时具有液晶性、电子和空穴传输性、发光性等优良性能.引进R-OXD(En)层后的多层器件在低于3 V时就能得到可见光发射,在7 V时可以得到光亮度为1000 cdm^-2.此系列小分子可降低有机电致发光器件开启电压,提高发光亮度和发光效率,是一种非常具有吸引力的有机电致发光小分子.     

[100]金刚石薄膜的辐照响应特性研究

采用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)方法生长得到25μm厚的[100]取向金刚石膜,用以制备辐射探测器。在100 V偏压下,测得暗电流为16.1 nA,55Fe X射线(5.9 keV)和241Amα粒子(5.5 M eV)辐照下的净光电流分别为15.9nA和7.0nA。光电流随时间的变化先快速增加随后由于“pump ing”效应逐渐达到稳定。X射线和α粒子辐照下的平均电荷收集效率分别为45%和19%,并由Hecht理论计算得到对应的电荷收集距离为11.25μm和4.75μm。     

氮对类金刚石薄膜的微观结构内应力与附着力的影响

采用原子力显微镜(AFM)、俄歇电子能谱(AES)和显微压痕分析等手段对射频等离子体增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石(DLC：N)薄膜的微观结构和力学性能进行了研究.结果表明,随着含氮量的增加,DLC薄膜的AFM表面形貌中出现了几十纳米的颗粒,原子侧向力显微镜和AES分析表明这种纳米颗粒是x大于0.126的非晶氮化碳CN_x结构.这种非晶DLC/CN_x的纳米复合结构,减小了薄膜的内应力,从而提高了薄膜与衬底的附着力. 关键词： 类金刚石碳膜 微观结构 附着特性     

沉积工艺条件对金刚石薄膜红外椭偏光学性质的影响

采用红外椭圆偏振光谱仪对不同工艺条件下制备的CVD金刚石薄膜在红外波长范围内的光学参量进行了测量，分析了工艺条件对金刚石薄膜红外光学性质的影响.获得了最佳的沉积工艺参数，优化了薄膜的制备工艺.结果表明薄膜的折射率和消光系数与薄膜质量密切相关，当温度为750℃，碳源浓度为0.9%和压强为4.0 kPa时，金刚石薄膜的红外椭偏光学性质最佳，折射率平均值为2.385，消光系数在10^-4范围内，在红外波段具有良好的透过性. 关键词： 薄膜光学 红外光学性质 工艺条件 金刚石薄膜     

Characterization of Defects in Chemical Vapour Deposited Diamonds

Room-temperature Raman and PL spectra, photocurrent (PC) and thermally stimulated current (TSC) were measured to investigate the mid-gap defects in diamonds grown by using a hot-filament chemical vapour deposition (CVD) technique. The [Si-V]^0 centres caused by the Si-C bonds in diamond grains and at grain boundaries are located at 1.68eV. We firstly detect the level 1.55eV by using PL and it is tentatively attributed to the zero-phonon luminescence line or vibronic band of the [Si-V]^0 induced by the Si-O bonds. The 2.7-3.2eV and 1.9-2.1 eV PC peaks were detected and discussed. The IN-V] complex may be attributed to these defect levels.Some shallow energy levels lower than 1.0eV were also observed in the CVD diamond.     

Up-Conversion Luminescence of a High Soluble Zinc Phthalocyanine-Epoxy Derivative

Synthesis and photoelectric properties of a high soluble zinc phthalocyanine-epoxy derivative are investigated. The derivative can be solubilized in convenient solvents, such as Ctt30tt, Ctt3Ctt20tt and H2O. The fluorescence and UV-visible analyses indicate that the ZnPc-epoxy derivative still maintains the plane structure which comesfrom Zn(4,4′,4″,4-ta)Pc and the derivative has obvious up-conversion luminescence in room temperature. The up-conversion luminescence can be explained by the selection rule depending on the two-photon absorption.     

氧化锌/金刚石薄膜异质结紫外光探测器

采用射频磁控溅射法在p型自支撑金刚石衬底上制备了高度c轴取向的n型氧化锌薄膜.研究了不同的溅射功率对氧化锌薄膜质量的影响.通过半导体特性分析系统测试了氧化锌/金刚石异质结的电流-电压特性,结果显示该异质结二极管具有良好的整流特性,开启电压约为1.6 V.在此基础上制备了结型紫外光探测器,并对其光电性能进行了研究.结果表...     

衬底温度对SnS薄膜性能的影响

采用真空蒸发法在玻璃衬底上沉积硫化亚锡(SnS)薄膜,并对不同衬底温度沉积的薄膜性能进行了探讨.对薄膜的结构、表面形貌、成份、电学特性和光学特性进行了表征.实验发现,最佳的衬底温度为150℃;制备的SnS薄膜为多晶的斜方晶系,晶粒大小约为0.5 μm,Sn和S元素的化学计量比接近1,导电类型为P型,暗电导率、光电导率分别为 0.01 Ω-1·cm-1 和 0.08Ω-1·cm-1,禁带宽度为1.402 eV.