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我们在Y-Ba-Cu-O系中得到零电阻温度Tcf为94.1K,中点转变温度Tc为95K,起始转变温度Tci为100K,转变宽度△Tc为1K的超导体。低温X光衍射结构分析结果表明,多相超导体在低温区(123—173K)有相变。因此,我们认为Y-Ba-Cu-O系中多相超导体的高Tet是低温相变引起的,并不完全是超导转变点。在该系氧化物中以Cr取代1/3的Cu,仍然得到Tcf=82.8K、Tc=83.5K、Tci=92K、△Tc=1K的超导体。 相似文献
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用液相高速淬火技术制备了三元Zr_(76)Cu_(14)Ni_(10)非晶态合金.进行了不同压力下电阻与温度之间关系试验;进行了在卸除高压(10kbar)后样品电阻与温度之间关系的试验.结果表明:常压下非晶态超导转变温度T_c为3.32K.转变宽度△T_c为0.05K.随着压力从1ba→7.3kbar→10kbar递增,T_c相应从3.32K→3.39K→3.42K递增,而△T_c基本不变.超导前的剩余电阻却随压力增加而逐渐下降.168小时后卸除高压(10kbar),此时观察到样品的T_c是可逆的,而剩余电阻是不可逆的. 相似文献
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文中介绍了非晶Cu_(72)Y_(78)在温区1.5—30K的电阻和磁阻测量结果,应用磁场高达17kOe。由测量结果可确定弱定域化对电阻温度关系的贡献。如果计及由于相互作用引起的-2~(1/T)项,则高达20K的电阻-温度关系可以很好地被描述。电阻最小值正是由弱定域化和相互作用共同作用的结果。 相似文献
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在1182—1386K温度范围内,用固体电解质氧浓差电池: Mo|Cr,Y_2O_3,Y_2O_3·Cr_2O_3|ZrO_2(+MgO)|Cr,Cr_2O_3|Mo测定了复合氧化物Y_2O_3·Cr_2O_3的热力学性质。对于反应 Y_2O_(3_(s))+Cr_2O_(3(s))=Y_2O_3·Cr_2O_(3(s)),得到 △G_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0=39160-34.97T(实验误差±350cal/mol)或 △G_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0=163900-146.3T(实验误差±1450cal/mol).因为△G_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0与温度T的关系为直线关系,所以若将△G~0=a+bT与△G~0=△H~0-T△S~0两式比较,a和-b的物理意义可认为分别相当于在公式适用温度范围内△H~0与△S~0的平均值。因此 △H_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0=39160cal/mol或193900J/mol, △S_(Y_2O_3·Cr_2O_3)~0=34.97cal/(mol·K)或146.3J/(mol·K)。 如将化合物写作YCrO_3的形式,各热力学数据为上述各值的一半。 相似文献
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La1-xTexMnO3(x=004,01)是一种具有钙钛矿结构的电子掺杂型锰氧化物.实验结果表明:在这种锰氧化物中同时存在庞磁阻(CMR)效应和低场磁电阻(LFMR)效应.在整个实验温度范围(5—300K),LFMR随温度升高而发生了如下变化:出现—消失—出现,在LFMR消失的温区又恰好能观察到明显的CMR.对其原因给予了解释.
关键词:
庞磁电阻
低场磁电阻
La-Te-Mn-O 相似文献
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本文研究了室温下1—40kbar流体静压力范围内三元化合物半磁半导体Cd1-xMnxTe光吸收边的压力效应。实验结果给出:x<0.5的样品,吸收边随压力增加向高能方向以α=6—8×10-3eV/kbar的速率漂移,并具有10-5/kbar2量级的二级非线性系数;x≥0.5的样品,表观吸收边随压力增加向低能方向漂移,压力系数为α-5×10-3eV/kbar。高压下所研究的样品均有一从闪锌矿结构到NaCl结构的相变发生。这一相变可以是不可逆的,相变压力与样品组分有关,大致在25—40kbar范围内。根据半导体能带畸变势效应和晶体场理论模型估计了压力系数的理论值,讨论了不同压力系数的物理原因。
关键词: 相似文献
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用金刚石对顶砧高压显微光谱系统在室温和1bar—66kbar的流体静压力范围内研究了(Zn0.85Cd0.15)S:Cu,Al磷光体的发光峰位置和相对发光强度随压力而变化的规律。随着压力的增加,发射峰值波长迅速移向短波方向,而发射峰值对应的光子能量随压力增加的速率为4.7meV/kbar(38cm-1/kbar)。这个值比该材料的吸收边随压力增加的速率要小。随着压力的增加,该磷光体的发光峰值相对强度急骤下降,当压力从常压升到66kbar时,发光峰值相对强度下降到原值的6%。这些结果可以用Al3+-Cu+的施主-受主对模型来解释。本文还估计施主(Al3+)和受主(Cu+)的激活能之和随压力增加的速率为3.7meV/kbar(30cm-1/kbar)。
关键词: 相似文献
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用金刚石对顶砧高压显微光谱系统在室温和1bar—66kbar的流体静压力范围内研究了(Zn_(0.85)Cd_(0.15))S:Cu,Al磷光体的发光峰位置和相对发光强度随压力而变化的规律。随着压力的增加,发射峰值波长迅速移向短波方向,而发射峰值对应的光子能量随压力增加的速率为4.7meV/kbar(38cm~(-1)/kbar)。这个值比该材料的吸收边随压力增加的速率要小。随着压力的增加,该磷光体的发光峰值相对强度急骤下降,当压力从常压升到66 kbar时,发光峰值相对强度下降到原值的6%。这些结果可以用Al~(3 )-Cu~的施主-受主对模型来解释。本文还估计施主(Al~(3 )和受主(Cu~ )的激活能之和随压力增加的速率为 3.7meV/kbar(30cm~(-1)/kbar)。 相似文献
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在流体静压力为0.5—11.6kbar,温度-80—80℃范围内,测量了Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)多晶粉末“松散”样品和“致密”样品的离子电导。“松散”样品电导与压力的关系表明,在4.0—5.0kbar附近,电导存在极大值;“致密”样品电导随压力单调下降。在一定压力下,“致密”样品电导率随温度变化的趋势与常压结果相同,压力对Rb_4Cu_(16)I_7Cl(13)α→β相转变温度没有明显影响。α和β相的激活体积分别为0.90cm~3/mol和1.55cm~3/mol。 相似文献
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本文报道了用Co-Ni-Ba-O_2合成的氧化物半导体材料制成的热敏电阻温度计。使用温区为2.8—100K,电阻从几十千欧姆光滑地变化到几十欧姆。相对灵敏度[—dR/dT×1/R]从4.2 K的60%/K左右变化到100 K的1.5%/K左右,达到了实用要求。此温度计的特点是可在强磁场下使用,在4.2 K、7T情况下,磁阻引起的温度变化为1.5~2.0%。温度计的磁阻变化可套用经验公式100×△R/R=c_1H~2/(1+c_2H~2)×T~(-1.5)。当温度不变时(T=4.2K),磁场引起的电阻变化与此公式相符。当磁场不变,磁阻随温度的升高而减小。 相似文献
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本文研究了室温下1—40kbar流体静压力范围内三元化合物半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe光吸收边的压力效应。实验结果给出:x<0.5的样品,吸收边随压力增加向高能方向以α=6—8×10~(-3)eV/kbar的速率漂移,并具有10~(-5)/kbar~2量级的二级非线性系数;x≥0.5的样品,表观吸收边随压力增加向低能方向漂移,压力系数为α-5×10~(-3)eV/kbar。高压下所研究的样品均有一从闪锌矿结构到NaCl结构的相变发生。这一相变可以是不可逆的,相变压力与样品组分有关,大致在25—40kbar范围内。根据半导体能带畸变势效应和晶体场理论模型估计了压力系数的理论值,讨论了不同压力系数的物理原因。 相似文献