Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。     

流体静压力下快离子导体Rb4Cu16I7Cl13离子电导的研究

在流体静压力为0.5—11.6kbar,温度-80—80℃范围内,测量了Rb₄Cu₁₆I₇Cl₁₃多晶粉末“松散”样品和“致密”样品的离子电导。“松散”样品电导与压力的关系表明,在4.0—5.0kbar附近,电导存在极大值;“致密”样品电导随压力单调下降。在一定压力下,“致密”样品电导率随温度变化的趋势与常压结果相同,压力对Rb₄Cu₁₆I₇Cl_关键词：     

室温快离子导体Rb4Cu16I7Cl13的电导率和热容研究

在-170-100℃的温度范围内,研究了室温快离子导体Rb₄Cu₁₆I₇Cl₁₃的电导率和热容随温度的变化,结果表明该材料在-50℃和-107℃附近各有一个二级相变存在。 关键词：     

分散第二相γ-Al_2O_3对β-Li_2SO_4离子导电性的影响

本文研究了分散第二相γ-Al_2O_3对β-Li_2SO_4离子导电性的影响。β-Li_2SO_4(γ-Al_2O_3)的电导率随γ-Al_2O_3含量的增加而提高,到γ-Al_2O_3为50mol％时达到极大。当温度为253℃时,β-Li_2SO_4(50mol％γ-Al_2O_3)的电导率比纯β-Li_2SO_4增加约四个数量级。γ-Al_2O_3使α-Li_2SO_4的电导率降低。在相对湿度为70—80％条件下制备的β-Li_2SO_4(γ-Al_2O_3)的电导率随γ-Al_2O_3含量增加而单调上升。~7Li核磁共振吸收谱的叠加小峰也随γ-Al_2O_3含量的增加而趋于明显。结果表明这是由于γ-Al_2O_3表面吸附水的影响。实验还表明,淬火对β-Li_2SO_4(30mol％γ-Al_2O_3)样品的电导率有显著影响。160℃时淬火样品的电导率比未淬火样品高两个数量级。     

导模法生长铌酸锶钠锂单晶并验证相图

引 言 铌酸锶钠锂(简称 SNL) 单晶是5+1型的钨青铜结构的铁电体[1],由于它具有半波电压低、温度系数小的特性[2],近年来一直受到人们的重视.已经用提拉法生长了这种晶体[3]并测试了它的物理特性[4],证明温度系数对晶体中的锂含量是敏感的,增加晶体中的锂含量可使温度系数在较宽的温度范围内近似为零.用提拉法生长时,锂的分凝系数远小于1[3],而用导模法生长时能改善分凝系数[5],使晶体中的锂含量比用提拉法生长时有显著增加,从而可进一步改善晶体的温度系数.另外,采用导模法生长时固液界面高度是不变的,晶体不转动,因而熔体热对流的影响可…     

离子导体LiCl(Al2O3)的核磁共振研究

本文报道了含分散第二相粒子的离子导体LiCl(或LiI)中⁷Li核磁共振的观测结果,测量了⁷Li核磁共振吸收谱线的线宽和自旋-晶格弛豫时间(T₁)。实验发现,在LiCl(Al₂O₃)中,⁷Li的核磁共振吸收谱线上叠加了一小峰,且随第二相粒子的类型、含量和温度而变化。⁷Li核磁共振信号的信噪比显著提高,自旋-晶格弛豫时间变短,且也随第二相粒子的类型、含量和温度而变化。结果表明,离子电导率的提高和附加小峰的出现都是由第二相粒子引起的,从而提出:靠近第二相粒子的LiCl界面附近的空间电荷区中高的离子传导是离子电导率提高和附加小峰出现的可能机理。 关键词：     

快离子导体Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)的合成和鉴定

最近 T.Takahashi 和 S.Geller 先后报道了新的铜离子导体,其组分相当接近,但分子式略有差异,分别为 Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)和 RbCu_4I_2Cl_3。它们在25℃时的铜离子电导率分别为0.34和0.44(欧姆·厘米)~(-1)。这是目前已知室温离子电导率最高的快离子导     

流体静压力下快离子导体Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)离子电导的研究

在流体静压力为0.5—11.6kbar,温度-80—80℃范围内,测量了Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)多晶粉末“松散”样品和“致密”样品的离子电导。“松散”样品电导与压力的关系表明,在4.0—5.0kbar附近,电导存在极大值;“致密”样品电导随压力单调下降。在一定压力下,“致密”样品电导率随温度变化的趋势与常压结果相同,压力对Rb_4Cu_(16)I_7Cl(13)α→β相转变温度没有明显影响。α和β相的激活体积分别为0.90cm~3/mol和1.55cm~3/mol。     

室温快离子导体Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)的电导率和热容研究

在-170-100℃的温度范围内,研究了室温快离子导体Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)的电导率和热容随温度的变化,结果表明该材料在-50℃和-107℃附近各有一个二级相变存在。     

快离子导体的阻抗谱研究

一、引 言 表征快离子导体的基本电学参量是离子电导率和电导激活能.文献中对同一种材料所报道的数据往往互相矛盾,一个重要原因是测试方法的差异.因此,如何精确测定电学参量就成为快离子导体材料研究的关键. Bauerle[1]首先把导纳谱法用于ZrO2(掺杂Y2O3)的研究,其后Armstrong等人先后用阻抗谱法研究了RbAg4I5[2]和β-Al2O3[3,4]“以及一系列其它的快离子导体材料. 本文将简要介绍阻抗谱法基本原理,然后用Lisicon单晶和K2Si2O5多晶样品实验研究为例来说明,并与其他方法获得的结果进行对比. 二、基本原理 若在被测样品体系两端加一微扰…