Y-Ba-Cu-O的电阻与热电势率

在77一310K温区内测量了三个典型的Y-Ba-Cu-O样品的电阻(R)、热电势率(S)与温度(T)的关系,发现R-T曲线与S-T曲线有对应关系,但热电势率对载流子输运过程的反应比电阻灵敏得多。由实验结果可得出结论:Y-Br-Cu-O体系靠近带界处的Fermi面是畸变的,样品的Debye温度远大于300K。     

氧缺位对多相YBaCuO体系热电势率的影响

测量了多相Y Ba Cu O体系的热电势率与温度的关系,结果表明:在高温区热电势率为负,在低温区热电势率为正。由此推断在高温区以电子导电为主,在低温区以空穴导电为主,并且由实验结果推测,空穴导电与氧缺位正相关,即氧缺位越多,越无序,空穴导电的温区越宽。     

金刚石薄膜在多晶铜和磷脱氧铜基片上的生长

分别采用99.99%的多晶铜片和99.95%的磷脱氧铜片作为沉积金刚石薄膜的基片，通过热丝化学汽相沉积法在两种基片上都获得了大面积、自支撑的多晶金刚石膜.使用高分辨率光学显微镜、扫描电子显微镜、Raman光谱和X射线衍射比较分析了两种铜基片上的金刚石膜.脱氧铜上的金刚石膜质量并不亚于多晶铜上的金刚石膜，而且它的成核密度、生长速率以及应力都高于多晶铜上金刚石膜的同类参数.特别采用了退火工艺和优化的生长条件来获得大面积的连续金刚石膜. 关键词：     

Y_(3-x)Ba_xCu_2O_(7-y)体系的物相与超导电性

对Y_(3-x)Ba_xCu_2O_(7-y)(0.3≤x≤2.4)体系材料的低温电阻测量和X射线衍射分析表明:1.0相似文献   

Ⅱ类超导体Y-Ba-Cu-O的研究

由测量高温超导体Y-Ba-Cu-O低磁场的交流磁化曲线和高强脉冲磁场中的R-H关系,得到该体系的H_(c_1)(T)和H_(c_2)(T)。实验给出H_(c_)(77K)=115G,dH_(c_2)/dT|T_c=2.2T/K,并由此而得出H_(c_1)(0)=525G,H_(c_2)(0)=135T,H_c(0)=1.63T,k=54.7,ξ(0)=15.6A,λ(0)=855A。这些结果说明Y-Ba-Cu-O是一种典型的H类超导体。     

PbZr0.53Ti0.47O3/SiO2/Si复合薄膜的取向生长及铁电性研究

利用超薄的ＳｉＯ２做缓冲层,用脉冲激光沉积法在Ｓｉ（１００）上制备了具有良好铁电性的高度（１００）取向的ＰＺＴ薄膜．通过对不同条件下在ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）上生长的ＰＺＴ薄膜的研究,分析了ＳｉＯ２厚度、沉积温度、退火时间对ＰＺＴ性能的影响     

CURRENT-DEPENDENT POSITIVE MAGNETORESISTANCE IN Ga-DOPED La0.5Ca0.5MnO3

The magnetic and transport properties of the Ga-doped charge-ordering state La_0.5Ca_0.5MnO₃ have been studied. A current-dependent large positive magnetoresistance (1080%) at 5 K was observed. These observations are interpreted in terms of the spin-dependent tunnelling process between ferromagnetic clusters embedded in an antiferromagnetic matrix.