Zn2SiO4基体掺杂稀土离子纳米粉体的制备和光谱特性

采用sol-gel法在Zn2SiO4基体中掺杂稀土离子Eu^3 和Y，制备了Zn2SiO4:Eu及Zn2SiO4:Eu,Y纳米粉体，研究不同稀土离子浓度对荧光强度的影响，并采用热重－差热分析，X射线粉末衍射，荧光光谱分析等技术手段进行表征，目标产物的平均粒径分别为31nm和27nm。     

Sr2TiSi2O8的合成和非线性光学性质研究

采用固相反应法合成了具有硅钛钡石(Ba2TiSi2O8)结构的化合物Sr2TiSi2O8,合成温度在1250℃.对Sr2TiSi2O8的XRD衍射图进行指标化表明它属于四方晶系,晶胞系数为a=b=0.83135nm,c＝0.50190nm,α＝β＝γ＝90°.Sr2TiSi2O8的粉末倍频信号强度约是KH2PO4(KDP)的8倍.反射光谱显示其紫外吸收边为270nm左右.利用自发成核法进行了Sr2TiSi2O8晶体生长研究.     

Ba-Y-Cu-O体系的超微粉末法合成及其超导电性

本文报道用化学法合成Ba-Y-Cu-O体系超微粉末。将Ba(NO_3)_2、Cu(NO_3)_2·3H_2O和Y(NO_3)_3溶液按一定配比混合后.用KOH使之沉淀为氢氧化物。再在低温下让其连续反应生成复合氧化物。由X射线衍射和电镜分析结果表明,所得复合氧化物粒度约为100A。将其制成超导体,获得了T_c(ρ=0)=90.5K。与陶瓷法相比,用超微粉末法制备超导体具有装备简单,操作方便,产量大、速度快等优点,是一种可能有前途的方法。     

Ba_(0.1)Y_(0.9)CuO_3的高温超导电性

用电阻法测量Ba_(0.1)Y_(0.9)CuO_3的电阻温度关系,在130K附近,其R(T)明显偏离线性。超导转变中点温度达90K,整个转变过程中电阻下降大于四个数量级。     

零电阻温度超过90K的超导氧化物群体

已成功地合成了零电阻温度超过90K的七个ABO_3型结构的超导氧化物体系:Sr_(0.4)Y_(0.6)CuO_(3-y)和Ba_(0.4)Ln_(0.6)CuO_(3-Y)(Ln为Y,T,Tm,Dy,Gd,Er,Yb)。电测量结果表明,尽管各体系中的原子A的外层电子有明显的差别,其R(T)规律及高温超导转变行为几乎一致,而交流磁化率的测量则显示出由于磁性原子A不同所带来正常态△M(T)规律的差别。作者认为:在这些氧化物超导体中,ABO_3型结构中的Cu-O键会对电子的行为有着十分重要的作用,而且,在这种结构中,电子之间存在着很强的关联,磁散射的影响不足以破坏高温超导电性。     

(BaxY1-x)CuO3-y系统的超导电性

本文系统地分析了组份和制备条件(包括热处理温度、时间等)对超导氧化物(Ba_xY_1-x)CuO_3-y正常态电子输运特性和超导临界温度的影响。在x=0-0.55的组份范围内,系统经历了从半导体(绝缘体)到金属(超导体)的转变;随着组份x的增大,超导临界温度T_c单调上升。结合物相分析的结果,对该系统的高温超导电性机制和正常态输运特性作了讨论。     

TiO2基体掺杂铕,钇纳米粉体的制备和光谱特性

采用Sol-Gel法在TiO2基质中掺杂稀土离子Eu3+, Y3+制备TiO2∶(Eu,Y)纳米粉体, 讨论不同热处理温度、不同稀土离子浓度及不同比例对光致发光强度的影响. 结果表明随热处理温度的升高, 荧光强度增加, Eu3+(4.35 mol%)时荧光强度最大, Y3+对荧光强度有明显的增强作用, 当Eu3+∶Y3+为1∶1时强度最强. 目标产物的平均粒径为20 nm.     

一种具有倍频效应的新型硼酸盐化合物La2SrB10O19

在SrO-La2O3-B2O3体系中合成出一种新的硼酸盐化合物La2SrB10O19.La2SrB10O19的晶体结构与La2CaB10O19相同.La2SrB10O19的粉末倍频效应(SHG)大约是KH2PO4(KDP)的2倍.差热分析结果表明该化合物为非同成分熔融化合物,转熔温度约为983℃,可以用助熔剂法进行晶体生长.反射光谱研究表明La2SrB10O19的紫外吸收边在300nm左右.