羰基硫与气溶胶典型组分的复相反应机制

羰基硫(COS)是大气中含硫气体之一, 它可以通过大气化学反应形成硫酸盐气溶胶, 影响大气辐射平衡, 导致全球气候变化. COS在大气中可通过与OH·自由基、活性氧原子等均相反应过程发生化学转化, 但其与大气颗粒物的复相反应的研究甚少. 考察了COS与大气颗粒物中较常见的氧化物成分Al₂O₃, CaO, SiO₂, Fe₂O₃和MnO₂等发生复相转化的能力, 利用原位傅里叶红外光谱(in situ FTIR), X射线光电子光谱(XPS), 比表面积分析等手段确定了 COS 的转化产物, 讨论了反应的动力学过程和转化途径. 结果表明, 常温下COS能与多种氧化物反应, 产物为CO₂, 单质S以及SO₄²⁻. 各种氧化物对COS催化反应能力有较大差异, Al₂O₃表现出很强的催化活性, Fe₂O₃次之, CaO反应微弱, SiO₂和MnO₂则无明显反应活性. 氧化物表面的吸附氧和羟基是COS转化的主要反应中心. 体系中氧气过量时, Al₂O₃催化COS遵循准一级反应动力学规律, 其酸碱性对催化活性影响很大, COS在碱性、中性和酸性Al₂O₃上的表观反应速率常数分别为1.51×10⁻⁴, 9.81×10⁻⁵和3.06×10⁻⁶ s⁻¹.     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

高矫顽力HDDR各向同性Nd-Dy-Fe-Co-B黏结磁体的磁性能与微结构

研究了添加微量元素Co和Dy对HDDR工艺制备各向同性Nd-Dy-Fe-Co-B粘结磁体磁性能的影响. 结果表明, (Nd_0.65Dy_0.35)12.5(Fe_0.9Co_0.1)₈₁B_6.5磁体的内禀矫顽力H_cj高达1.53 MA·m^-1,剩磁的可逆温度系数为-0.059%/℃（25～155℃）. 使磁体具有高矫顽力、低温度系数的原因一方面是由于Dy和Co的加入提高了硬磁性相的各向异性场和T_C温度,另一方面是由于材料显微结构的改善.     

奇异介子光生反应的低能QCD Lagrange量描述

从低能QCD Lagrange量出发, 利用重子夸克结构的［SU_SF(6)O(3)]_sym. SU_c(3)波函数,研究了在核子上的奇异介子光生反应. 计算了γ+p→K ⁺+Λ反应的总截面、微分截面和p-极化. 结果表明: 与传统的唯象的强子理论相比, 仅有一个自由参数(即强相互作用耦合常数)的QCD理论成功地描述了反应过程, 很好地解释了实验结果.     

氢化非晶硅氧薄膜微结构

以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧(a-SiO_x∶∶H)薄膜的微结构及键构型. 研究表明, 在0.52≤x≤1.58的氧含量范围内，a-SiO_x∶∶H薄膜成分和结构不是均一的，依赖于局域键构型氧化程度的不同，大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分，即Si, Si₂O(∶H), SiO(∶H), Si₂O₃(∶H)和SiO₂. 其中的Si相以非氢化的非晶硅(a-Si)颗粒形式存在，随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在. 提出一种多壳层模型来描述a-SiO_x∶H薄膜的结构，认为a-SiO_x∶H薄膜中a-Si颗粒依次为Si₂O(∶H), SiO(∶H), Si₂O₃(∶H)和SiO₂壳层所包围. 随薄膜氧含量x的增加，各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变.     

Fe-N软磁薄膜的结构和性能

用RF溅射制备厚度为200 nm的Fe-N薄膜在250℃, 12000 A/m磁场下真空热处理后，当N含量在5%～7%(原子百分数)范围内形成α′+α″相时，4πM_S可达2.4 T, H_c＜80 A/m, 2～10 MHz下高频相对导磁率μ_r=1500，可满足针对10 Gb/in2存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要. Fe-N系薄膜中α′相的形成机理和点阵常数与块状试样按Bain机理形成的α′相有明显的差别，得到了薄膜中α′相的a,c与Cα′_N之间的线性关系式.     

[N2]*2-N2分子二聚物的发射谱和受激辐射特性

理论上通过从头算法计算与理论分析证明存在D_2h群对称性的[N₂]₂即N₂分子二聚物，且存在电偶极允许的类准分子跃迁a¹B_2g→a¹B_3u. 理论计算获得的a¹B_2g→a¹B_3u跃迁的发射谱与实验观测到的结果很好地吻合. 利用微波激励高纯氮和放大自发辐射法研究了N₂分子二聚物的受激辐射特性，实验研究结果表明，当微波功率大于100 W，充入N2气压在260~2200 Pa范围内N₂分子二聚物在336.21 nm处存在受激辐射特性.     

高压下层状钙钛矿结构锰氧化物Ca3Mn2O7的结构相变

采用金刚石压砧高压装置(DAC),对Ca₃Mn₂O₇的粉末样品进行了高压能散X射线衍射实验. 实验结果表明,由于岩盐层易被压缩,在压力作用下层状钙钛矿结构锰氧化物Ca₃Mn₂O₇的结构不稳定. 在0~35 GPa压力范围内,Ca₃Mn₂O₇晶体结构发生了两次相变. 在1.3 GPa左右,由原来的四方相变为正交相,在9.5 GPa左右,又由正交相向新的四方相转变.     

大质量分子云核的13CO成图研究

用中国科学院紫金山天文台青海观测站13.7 m望远镜上新安装的SIS接受系统,对S241,S39和ON3进行了¹³CO J=1～0的成图观测,并作了C¹⁸O J=1～0的单点观测,结果表明这3个源都有大质量核,尺度在约2～5 pc,质量可达约10³～10⁴ M_⊙量级,而且3个源中都搜寻到了高速特征.ON3中的V_LSR系统分布表明它的核是旋转的.[KG*2]3个云核中都含有深埋的形成中的大质量恒星,在S241和ON3中年轻星体正在离开诞生地运动.     

PH2和NO反应的分子轨道从头算和密度泛函理论

用量子化学从头计算和密度泛函理论方法对PH2₂和NO的在基态势能面上的反应进行了研究, 计算了反应中的各驻点物种的平衡构型、振动频率、总能量和零点能(ZPE). 计算采用HF, MP2(full)和B3LYP理论方法以及中型基组6-31G*. 内禀反应则由B3LYP/6-31G*计算获得. 计算结果表明, 反应首先经过一小的活化能生成中间体H₂PNO, 而后再克服两个均为四环结构的势垒TS2和TS5, 垒高分别为103.3和102.6 kJ/mol, 才能完成H原子的转移和分子的异构, 生成PN和H₂O. 整个反应为放热反应, 放热为189.6 kJ/mol.     

广义{1,3,5}-{1,4,5}自相似集的Lipschitz 等价

讨论广义{1,3,5}-{1,4,5}自相似集D=(r₁D)∪(r₂D+ (1+r₁-r₂-r₃)/2)∪(r₃ D+1-r₃)以及E=(r₁E)∪(r₂E+1-r₂-r₃)∪(r₃E+1-r₃)的Lipschitz等价性, 并证明了D与E为Lipschitz等价当且仅当存在正整数m和n, 使得 r₁^m=r₃ⁿ.     

Mg，C含量和Co替代对MgCNi3的结构和超导电性的影响

研究了MgCNi₃中Mg和C含量对其成相和超导电性的影响,以及Co掺杂的MgCNi_3-xCo_x体系的结构和超导电性质.发现初始配料中适当过量的Mg和C有利于获得单相样品并提高样品超导转变温度,最佳名义配比是MgC_1.45Ni₃且Mg过量20%(质量分数).掺Co的MgCNi_3-xCo_x体系可形成连续的固溶体,随着x增大,晶格常数缓慢变小,而T_c明显下降.Co（Mn）替代Ni会抑制超导电性,并且Co的抑制作用比Mn要小.     

代数体函数的正规族定理

设F是定义在球面V的子集D上的一族代数体函数,若F中所有f的分支点之和为有限个，且存在三个固定的复值a₁,a₂,a₃使得对每个f都有∑³_k=1n(D,a_k, f)≤1,则F在D内正规.     

Gd2SiO5: Eu3+中VUV激发的量子剪裁

在北京同步辐射装置的真空紫外光谱站, 对Gd₂SiO₅: Eu³⁺激发谱、发射谱进行了研究. 基于Gd³⁺-Eu³⁺体系通过能量传递发生可见光量子剪裁的原理, 对实验结果进行了讨论. 当直接激发Gd³⁺的⁶GJ态时, 有2个来自Eu³⁺的可见光光子发射, 粗略的估算表明Gd₂SiO₅: Eu³⁺是一种有效的量子剪裁材料.     

交错群A5的小度数Cayley图的对称性

考察交错群A₅的3度、4度Cayley图的正规性. 证明这些图除了4个例外都正规. 作为应用, 证明了A₅非5-CI, 给出A₅的3度、4度弧传递Cayley图的完全分类和A₅的3度、4度GRR的一些例子.     

激光分子束外延制备高质量的YBCO超导薄膜

利用活化气体做氧源,使生长气压比普通脉冲激光沉积方法(PLD)低2～3个数量级,用激光分子束外延在SrTiO₃(100)衬底上制备出临界转变温度T_c0=85～87K,临界电流密度J_c≥1×10⁶A/cm²的高质量YBCO超导薄膜.原子力显微镜(AFM)测得表面无明显颗粒,均方根粗糙度约为7.8nm.在这种薄膜基础上制备的Josephson量子干涉器件(DC-SQUID)具有良好的温度循环稳定性.     

一类退化多角环的环性和极限环的分布

讨论了从一类含有3个奇点P_i(i=0,1,2)的退化多角环所分支出的极限环的个数和分布,其中P₀是具有中心转移的鞍结点, P₁是阶为m(ÎN)的细鞍点,P₂是压缩的双曲鞍点,双曲比率为q₂(0)Ï Q. P₀和P₁间的连接是hh型的,P₀和P₂间的连接是hp型的.假设P₀和P₂的连接以及P₀和P₁间的连接在扰动下保持不破裂.得到了这类多角环的环性关于细鞍点阶的线性估计,即Cycl≤3m+1, 同时也证明了q₂(0)>m时Cycl≤ m+3的结论.还发现双曲比率 q₂(0)越接近于1, 分支出的极限环越多的规律.     

微波滤波器的高温超导薄膜研制

介绍适用于制备微波滤波器的高温超导薄膜YBa₂Cu₃O_7-δ(YBCO)的激光沉积工艺和Tl₂Ba₂CaCu₂O₂(Tl-2212)的先驱膜制备及铊化工艺. 讨论了基片选择的要求和薄膜的形貌、微结构与微波表面电阻的关系.     

n = 3n1情形的乘子猜想的解决

完善了1992年以来提出的研究乘子猜想的特征标方法, 从而对n = 3n₁情形的乘子猜想取得了较大的进展. 概略地说, 证明了：在n = 3I>n₁的情形, 用( n₁ ,λ) = 1代替 I>n₁>λ, 第二乘子定理仍然成立. 进而证明了：在n = 3p_r的情形, 把p>λ的条件去掉, 第一乘子定理仍然成立. 即, 设D是abel群G的一个(v,k,λ)-差集, n = 3p_r , p是素数, 且(p, v)=1, 则p是D的数值乘子.     

重电子化合物LiV2O4的电子结构

用第一性原理的FP-LMTO能带计算方法研究了重电子化合物LiV₂O₄的电子结构. 结果表明, Fermi面附近的导带是由V原子的3d电子形成的宽度为2.5 eV的窄能带,是3 d态在立方晶体场中具有t_2g对称性的子带;它与O的2p轨道构成的能带约有1.9 eV的能隙. 计算得出的Fermi能处电子态密度和线性电子比热系数分别是11.1 (states/eV· f^-1·u^-1.)和26.7 mJ/mol·K². Fermi面处的能带色散具有电子型和空穴型两种,呈现出一种复杂的Fermi面结构. L SDA以及GGA计算表明,LiV₂O₄有一个磁矩为1.13 μB/钒原子,总能比LDA基态低约148meV/f·u.的铁磁性基态. 由目前的能带结构计算的结果无法确定这一类Kondo体系的局域磁矩的来源,表明这一化合物中的重电子行为可能有别于在含有4f和5f稀土的重电子合金中观察到的局域磁矩与传导电子的交换作用机制,其中存在量子相变的可能.