| ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长 |
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| 引用本文： | 毕朝霞,张荣,李卫平,王栩生,顾书林,沈波,施毅,刘治国,郑有炓.ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长[J].中国科学A辑,2002,32(10):895-899. |
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| 作者姓名： | 毕朝霞 张荣 李卫平 王栩生 顾书林 沈波 施毅 刘治国 郑有炓 |
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| 作者单位： | (1)南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室 ,南京 210093 ,中国 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究规划(批准号: G20000683)、国家杰出青年研究基金(批准号: 60025411)、国家自然科学基金(批准号: 69976014, 69636010, 69806006, 69987001)和国家高技术研究计划(批准号: 2001AA311110)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.
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| 关 键 词： | ZnAl2O4 MOCVD X射线衍射 扫描电子显微镜 GaN |
| 收稿时间： | 2001-12-25 |
| 修稿时间： | 2001年12月25 |
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