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1.
2.
以水杨醛、对甲基苯胺(或对氟苯胺,对甲氧基苯胺)、9,10-2H-9-氧-10-磷杂菲-10-氧化物(DOPO)及甲醛为原料,通过三步反应合成了三个含DOPO基的1,3-苯并噁嗪化合物3a-3c.第一步,水杨醛与对位取代苯胺进行缩合反应生成亚胺(1a-1c);第二步,DOPO对亚胺进行加成反应得到仲胺(2a-2c);第三步,仲胺与甲醛在强酸性离子交换树脂催化下进行关环反应形成含DOPO的1,3-苯并噁嗪树脂.采用红外光谱、核磁共振谱和质谱等表征了化合物3a-3c,同时采用热失重分析技术测定了其热稳定性.结果表明,3a-3c由两对对映体组成,质谱条件下2a-2c和3a-3c均经裂解失去稳定的DOPO基团;3a-3c热降解反应包含两个热失重过程,分别在250和400℃下出现最大热释放速率.  相似文献   
3.
吡啶与脂肪酸的烷基化反应研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
吡啶与脂肪酸在酸性环境中用过二硫酸铵和硝酸银催化,发生自由基烷基化反应,得到产物主要是α- 单取代吡啶。其结构经UV、IR、1HNMR证实  相似文献   
4.
以1,3-双(2,6-二异丙基苯基)咪唑鎓盐酸盐(IPrHCl, 4a)或1,3-双[2,6-二(1-乙基丙基)苯基]咪唑鎓盐酸盐(IPent·HCl, 5a),及Grubbs 第一代催化剂和2-异丙氧基苯乙烯为原料,经去质子化反应和烯烃复分解反应合成了两种新型的NHC-钌催化剂4c和5c,其结构经1H NMR, 13C NMR和HR-MS(ESI)表征。并研究了4c和5c的性能。结果表明:4c和5c的稳定性较好,对关环复分解反应有良好的催化活性。  相似文献   
5.
对铁电磁体Pb(Fe1/2Nb1/2)O3单晶样品中的介电和磁性能进行了研究. 认为在其反铁磁相变点观察到的介电常数和损耗的异常来自于自发极化序和自旋序的相互作用引起的磁电耦合. 磁矩与温度的关系曲线在Néel点以下的低温段呈上升趋势,测得的磁滞回线证明有弱铁磁性出现. 对铁电磁体磁电相互作用的Monte Carlo模拟得到与实验类似的结果.  相似文献   
6.
综合利用x射线小角散射、广角衍射、场离子显微镜等测量,并结合超导临界温度和显微硬度的观测,研究了金属玻璃Zr78Co22的结构及其结构弛豫和结晶化过程.结果表明,淬态金属玻璃Zr78Co22中存在明显的相分离,其中一个相的组分似乎趋向于纯Zr,另一相的组分则与ZO4Co接近.在结构弛豫过程中,主要是拓扑短程序发生了变化,它受成核长大机理支配.当核的数量足够多时,两相均匀一致地长大. 关键词:  相似文献   
7.
刘俊明  吴状春  刘治国 《物理学报》1997,46(6):1146-1152
利用实时小角中子散射实验研究了非晶态Cu12.5Ni10Zr41Ti14Be22.5合金相分离的动力学标度性质.通过对相分离过程中实时小角中子散射谱进行详细的标度分析,揭示出散射函数S(q,t)(q为散射波矢,t为时间)在相分离的早期即达到动力学标度态,从而证明动力学标度假设也适用于描述深过冷液态的相分离过程 关键词:  相似文献   
8.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.  相似文献   
9.
Synthesis of ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates and growth of GaN films   总被引:1,自引:0,他引:1  
With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction proceeds, ZnAl2O4 changes from the initial (111)-oriented single crystal to poly-crystal, and then to inadequate (111) orientation. Corresponding scanning electron microscope (SEM)images indicate that the surface morphology of ZnAl2O4 transforms from uniform islands to stick structures, and then to bulgy-line structures. In addition, XRDspectra present that ZnAl2O4 prepared at low temperature is unstable at the environment of higher temperature. On the as-obtained ZnAl2O4/α-Al2O3 substrates, GaN films were grown without any nitride buffer using light-radiation heating low-pressure MOCVD (LRH-LP-MOCVD). XRD spectra indicate that GaN film on this kind of complex substrate changes from c-axis single crystal to poly-crystal as ZnAl2O4 layer is thickened. For the single crystal GaN, its full width at half maximum (FWHM) of X-ray rocking curve is 0.4°. Results indicate that islands on thin ZnAl2O4 layer can promote nucleation at initial stage of GaN growth, which leadsto the (0001)-oriented GaN film.  相似文献   
10.
殷江  窦敖川  刘治国  冯端 《物理学报》1996,45(11):1824-1829
测量了蓝青铜K0.3MoO3单晶R-T曲线,发现曲线在280K左右有异常变化,计算得到180K以下的半导体能隙为1320K(0.11eV).液氮温度下测量了晶体的非线性导电性,得到电场阈值为0.129V/cm.样品DSC研究表明,样品在240K处经历一新的Peierls相变,且为一级相变,据此对相变的微观性质进行了定量计算.180K附近Δcp-T曲线表明,180K处的相变为一个二级相变加一个一级相变 关键词:  相似文献   
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