Cl(2P)+D2→DCl+D反应中波恩-奥本海默近似有效性的交叉分子束研究

本文利用高分辨的里德堡态氘原子标识-交叉分子束装置，研究了碰撞能为4.5∽6.5 kcal/mol范围内Cl(²P)[Cl(²P_3/2)和Cl^*(²P_1/2)]与D₂的反应. 虽然自旋轨道激发态反应Cl^*(²P_1/2)+D₂在波恩-奥本海默(B-O)近似下本应是禁阻的，但实验中观测到了该反应的贡献. 通过测量靠近后向的碰撞能相关的微分散射截面连线，发现低碰撞能下的产物主要来自于B-O近似禁阻的反应Cl^*+D₂. 随着碰撞能的提高，自旋轨道基态反应Cl+D₂的反应性增加明显要比自旋轨道激发态反应Cl^*+D₂更快，并且在高碰撞能下成为产物的主要来源. 实验结果表明：在低碰撞能下，Cl^*中自旋轨道激发态的额外能量，可以帮助B-O近似禁阻的反应Cl^*+D₂越过势垒；然而当碰撞能接近和高于反应势垒时，B-O近似允许的反应Cl+D₂占主导地位. Cl/Cl^*+D₂反应中B-O近似有效性的特征与其同位素反应Cl/Cl^*+H₂是一致的.     

在强磁场中金属薄膜的超导电理论(Ⅰ)

本文研究了在接近转变温度T_c的区域内,超导薄膜在磁场中的性质。磁场是沿着超导膜的表面。在文章中,首先对Γорьков理论进行了分析,指出这个理论实际上是采用了局域近似,这个近似主要是隐含在他所采用的磁场中电子Green函数G_ω⁰(rr′)的表示式中。作者指出,Γорьков所采用的G_ω⁰(rr′)表示式对于本文研究的问题是不适用的,本文采用G_ω⁰(rr′)按矢势的微扰展开式。本文把Γорьков的补偿方程和电流方程推广到超导膜。对于d<δ₀(T)的膜,求出了这二个方程的解,得到超导薄膜的矢势、磁矩、能隙和临界电流的表达式,并研究了超导薄膜在磁场中的相变问题,求得超导薄膜的临界磁场。本文所得到的结果,对比较厚的膜(d?ξ₀)和ГЛ理论一致,而对比较薄的膜(d<ξ₀)和ГЛ理论有着显著不同(除了临界电流和超导膜在磁场中相变级数的判据外),二者的差异特别是表现在对厚度依赖关系上。由于本文所采用的近似,所得到的结果适用于δ₀(T)>d?d^*情形,其中2d^*=(1/(0.36)×ξ₀/p₀)^1/2,对于Sn,2d^*～10^-6cm。     

无定形靶中离子注入的R,Rp,△Rp的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E^1/2-A₁(arctg(2E^1/2-f)/△^1/2+arctg f/△^1/2)+B₁ln((E^1/2-f)²)/(E-fE^1/2+d) ·d/f²],其中A₁,B₁,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(R_p)(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A₂(μ)+(B₂(μ))/(ε^1/2+C)],和ω=R_p/△R_p(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A₃(μ)ε^1/21/2+B₃(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A₂(μ),B₂(μ), B₃(μ)和A₃(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO₂等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

氮化钒的选态双色可见紫外共振增强光电离和脉冲场光电子研究 (cited: 4)

对气态氮化钒(VN)分子在光子总能量为56900～59020 cm^-13∏0, v'=0)的单转动态, 然后再被紫外激光电离．这样的双色激光模式可以测量电子态、振动态和转动态都被选择和解析的氮化钒阳离子VN⁺(X²△; v⁺=0, 1, 2)光谱． 通过对转动解析的PFI-PE光谱模拟分析, 确定J⁺=3/2为基态离子态的最低转动能级, 从而确认VN⁺的基态电子态为²△_3/2．通过对VN+(PFI-PE)光谱的分析得到如下物理量的精确数值：VN⁺(X²△_3/2)的绝热电离能为IE(VN)=56909.5±0.8 cm^-1(7.05588±0.00010 eV),振动常数ω_e⁺=1068.0±0.8 cm^-1,反常振动常数ω_e⁺χ_e⁺=5.8±0.8 cm^-1;VN⁺(X²△_3/2)的转动常数B_e⁺=0.6563±0.0005 cm^-1,α_e⁺=0.0069±0.0004 cm^-1,平衡键长为1.529 ?;VN⁺(X²△_5/2)的转动常数B_e⁺=0.6578±0.0028 cm^-1,α_e⁺=0.0085±0.0028 cm^-1,平衡键长为1.527 ?;X²△_5/2,3/2自旋轨道耦合常数A=153.3±0.8 cm^-1     

聚酰胺6的红外光谱

根据对聚酰胺类高聚物红外光谱的类比和对聚酰胺6试样进行氘化和碘处理后红外光谱的改变,以及根据对拉伸过的聚酰胺6薄膜试样的偏振红外光谱的观察,我们对聚酰胺6红外光谱中400cm^-1—1400cm^-1之间的主要吸收带,作了如下解释:1370cm^-1吸收带为ν_(cщN);1265cm^-1和1205cm^-1吸收带为δ_N-H+ν_(cщN)(酰胺Ⅲ);1170cm^-1吸收带为ν_(cN);730cm^-1吸收带为γ_(CH2)[当(CH₂)_n的n≥4时];690cm^-1吸收带为δ_N-H(面外);580cm^-1吸收带亦为δ_N-H(面外)。     

关于介分子离子(αp,μ－)和(αp,2μ－)

应用ACQM理论和方法研究介分子离子(αp,μ^－)和(αp,2μ^－).发现(αp,μ^－)的基态(X²Σ⁺)为排斥态;(αp,2μ^－)为束缚态,平衡核间距R_e=0.0078bohr,能量极小值E=－551.78a.u..     

关於展开子

本文讨论展开子的一些性质。将展开子A_nrst变换至ξ表示,定义为〈ξ|〉=∑ξ₀^-n-1ξ₁^rξ₂^sξ₃^tA_nrst,立即可以看出〈ξ|〉在洛伦兹变换中的变换,正如标准表示中的变换。由此可以立即证明,在标志洛伦兹群的各种不可约表示的两个量J=-1/2I_klI^kl,I=1/2ε^klmnI_klI_mn中,对於展开子而言,I一定等於零。我们也证明了如果我们要求J的本徵函数〈ξ|〉在各处行为正常,便获得J<0,亦即展开子表示为么正的条件。对於在展开子空间(J,0)及其他空间(I′,J′)中作用的矢量算符,我们作出了计算。选择定则为(i)I′=0,J′=1+J±2(1+J)^1/2;(ii)I′=±(1+J)^1/2i,J′=1+J。我们又证明了ξ^vξ_v?/(?ξ^μ)/(ξ^μ)-(1±(1+J)^1/2)ξ_μ将(J,0)空间变为(1+J±2(1+J)^1/2,0)空间。利用上式中取“-”符号的算符,我们可以构成一个像(-ir_μp^μ+k)ψ=0的波动方程,其中ψ只在两个展开子空间中。     

关于Pt偶同位素的h9/2质子对

本文对于Pt偶同位素中的h_9/2质子对的排列现象作了比较系统的计算和讨论.结果表明,如用改善的Nilsson参数κ、μ,给出的h_9/2的排列频率与νi_13/2排列频率的差值Δhω_c=hω_c(πh_9/2)－hω_c(νi_13/2)对于78¹⁸⁴Pt106核具有最小值,约为75keV.这和最近实验上确定的¹⁸⁴Pt核转晕带上出现的大的上弯现象,是由于νi_13/2和πh_9/2两个排列频率非常靠近的结果一致.而运用Nilsson的标准κ、μ则不能给出这一结果.这两个排列的先后次序仍是值得深入研究的问题.对于相邻Pt偶同位素的πh_9/2排列频率的理论预言,期待着实验数据的检验.     

INFLUENCE OF IN-PLANE FIELD ON THE CRITICAL TEMPERATURE FOR THE BREAKDOWN OF VERTICAL BLOCH LINE CHAINS

The influence of in-plane field H_ip on the critical temperature T₀ for the breakdown of vertical Bloch line (VBL) chains of hard domains in garnet bubble films has been inves-tigated experimentally. It was found that T₀ can be significantly reduced by the increase of H_ip. Besides, the critical in-plane field H′_ip for the breakdown of VBL chains was measured as a function of temperature T for the same sample. As a result, the correlation between these two critical parameters, T₀ and H′_ip, was found. By introducing an effective in-plane field (H_ip)_e, the positive definiteness of the system of VBL pairs with two-dimemsional magnetization distribution was analyzed, giving rise to a theoretical expression of H′_ip(T): H′_ip(T) =|4πM_sQ(a₀+a₁Q +a₂Q²+a₃Q³+ a₄Q⁴)|^T_(T0(Hip=0)), where a_i are constants. It agrees well with the experiments.     

K+介子的三体轻子衰变

本文利用色散关系方法,假设普适V-A弱相互作用和奇异矢量流不守恒,从而对形状因子f₀,f₁的色散关系进行一次减去,计算了K_μ3⁺、K_e3⁺衰变中的π⁰能谱,K_μ3⁺衰变中的μ⁺能谱和μ⁺的纵向极化。计算中只考虑了K₁^*(m_*=888MeV)中间态对色散积分的贡献。参数σ取为+2.1的结果和实验在误差范围内相符合。放弃奇异矢量流部分守恒假设与实验符合的程度比保持这一假设要好一些。     

金属氢超导性能的研究

 本文用强耦合超导理论研究了金属氢的一些超导性能，求出了具有超导性的金属氢的同位素效应值，热力学临界磁场，比热和T_c，H_c及Δ对有效声子谱α²F(ω)的泛函导数：dT_c/dα²F(ω)，dH_c/dα²F(ω)和d(2Δ/k_BT_c)/dα²F(ω)等与ω的关系曲线，说明超导性的一些参数与金属氢的电子-声子作用的关系。     

液晶N相→SA相相变点附近的反常声衰减

本文考虑在N→S_A相变中,当T→T_c⁺(相交点)时,声在液晶中传播引起的压力效应。使用模-模耦合方法计算了声的衰减和色散,得到在高频区间,声的衰减有反常发散行为,在低频极限声衰减的临界指数为2.5.当T→T_c⁺时,本文的理论曲线大体上与实验结果相一致。     

Kl3介子衰变

本文通过强作用K-π中间态,利用色散关系理论计算了Г(K_μ3⁺)/Г(K_α3⁺),Г(K₂⁰→πμ⁺ν)/Г(K₂⁰→πe⁺ν),{Г(K₂⁰→πe⁺ν)+Г(K₂⁰→πe^-ν)}/Г(K_α3⁺)分支比及K_μ3⁺衰变中的μ谱,当选择定则|ΔI|=1/2及ΔS=+ΔQ被破坏,并且I_z=1/2及I_z=3/2的振幅f^{3/2 1/2}(0)及f^{3/2 3/2}(0)不等时,上述分支比与实验能很好符合。在本文的理论中,形式因子不是常数。     

中子平面晶体谱仪的分辨宽度

本文分析了中子平面晶体谱仪的分辨宽度,给出它的近似表示式为:△θ=((α₁²α₂²+α₁²β²+α₂²β²)/(α₁²+4β²+α₂²))^1/2;同时对几种常见情况也作了简略的讨论。为了确定计算参量△θ,又给出了晶体摇动曲线半宽度的近似表示式为:△γ=1/2(α₁²+4β²+α₂²)^1/2。以上两式中的α₁,α₂是第一、第二准直器的散开角;β是晶体单色器嵌镶结构(mosaic)分布半宽度。最后,依据上述结果,计算了我们仪器的分辨宽度,另外从该仪器测量的中子共振截面估计了它的分辨宽度,并作了比较。     

INTERNAL FRICTION AND ULTRASONIC ATTENUATION RELATED TO CARRIERS IN HIGH Tc SUPERCONDUCTORS

For both BiSrCaCuO and TlBaCaCuO samples, internal frictions (Q^-1) in the kHz range reveal a plateau (Q^-1_p) above T_c and a rapid drop below T_c with the turning points located just at T_c for various samples with different T_c. This anomaly cannot be observed in non-superconducting samples. The ultrasonic attenuation (α) in TlBaCaCuO displays similar results to the internal friction. Moreover, it is discovered that the Q^-1_p is nearly proportional to the carrier density for Y(Pr)BaCuO and Gd(Pr)BaCuO with different Pr contents. These results show that the drop of Q^-1 and a below T_c is closely related to superconducting condensation. The Q^-1_p and α_p can be explained using coupling-model of carriers with local dynamic distortion because high T_c superconductors are strong-correlation systems. Furthermore, by taking account of the smearing of superconducting gap structure resulting from the recombination of quasi-particles and by modifying the BCS relative jump rate as S(E, E', Γ) = Re{1-Δ²/[(E-iΓ)(E'-iΓ)]}, the calculated results of internal friction and ultrasonic attenuation below T_c are in good agreement with the experimental data. The superconducting gap Δ and the damping rate Γ for both BiSrCaCuO and TlBaCaCuO have also been obtained, they are in accordance with those got by tunneling spectrum and NMR methods, etc.     

小注入下晶体管Ic-VBE特性的指数因子的研究

本文讨论了影响小注入下晶体管的l_c-V_BE特性的各种因素。作者发现发射结势垒区准费米能级降落的影响对于解释实验中发现的n^*≡d(V_BE/V_T)/dInl_c<1的情况是重要的。文中也给出了精确测量集成晶体管对的n^*值的差分方法。     

THERMAL PROPERTIES OF KERR-NEWMAN-DE SITTER XY BLACK HOLES

Hawking radiation of scalar particles of Kerr-Newman-de Sitter XY (KNdSXY) black holes is studied by using complex analytical continuation (CAC) technique. We derive the surface gravity κ_h,κ_c and Hawking temperature T_b,T_c of the event horizons r₊,r₊₊. All of them are proportional to (|A|)^1/2, where A is an indefinite multiple of KNdSXY metric.     

Ti+(CO2)2Ar和Ti+(CO2)n(n=3-7)络合物离子的红外光解离光谱 (cited: 1)

利用脉冲激光溅射-超声分子束载带方法制备了气相Ti⁺(CO₂)₂Ar和Ti⁺(CO₂)_n(n=3-7)络合物离子．采用红外光解离光谱研究了这些选定的质量离子的振动光谱． 对于每一种络合物离子, 在CO伸缩振动频率范围都观察到了振动峰,表明这些离子具有插入的OTi⁺CO(CO₂)_n-1结构． 对于n≦5的OTi⁺CO(CO₂)_n-1离子,其CO振动和CO₂的反对称伸缩振动频率都比自由的CO和CO₂的频率要高,表明CO和CO₂配体与中心金属离子之间主要是静电相互作用．实验结果还表明TiO⁺可以直接络合五个配体(1个CO和4个CO₂分子)．对于n=2络合物体系,除了插入的OTi⁺CO(CO₂)结构以外,还观察到了具有弯曲结构的OCO-Ti⁺-OCO异构体的存在     

硫酸(氢)根吸附层对Pd(111)电极上甲酸氧化反应的影响研究

本文使用循环伏安法和电势阶跃法分别研究了添加和不添加Na₂SO₄的0.1 mol/LH₂SO₄+0.1 mol/LHCOOH溶液中Pd(111)电极上甲酸氧化反应(FAO)的动力学行为,并与同样条件下0.1 mol/LHClO₄中的动力学行为进行比较. 加入0.05 mol/L或者0.1 mol/LNa₂O₄后,在相同的电位下负向扫描的FAO电流比正向扫描的显著减小. 本文推测在(SO₄^*_ad)_m+[(H₂O)_n-H₃O⁺]或(SO₄^*_ad)_m+[Na⁺(H₂O)_n-H₃O⁺]吸附层相转变电势以正的电位, 这个吸附层的结构可能随着电位的增加或Na₂SO₄的加入变得更加致密和稳定. 因此,破坏或者脱附致密的硫酸(氢)根吸附层变得更加困难,使得FAO 动力学在较高电位和随后的负扫电位受到明显的抑制.     

TWO PHOTONS EXCITED 4d RYDBERG STATE OF AsH3

In this paper, by using resonance enhanced (2+1) multiphoton ionization (REMPI) of AsH₃ and detecting the daughter molecular ions AsH⁺ and As⁺, a long progression discrete structure was obtained from 267 to 291 nm, which obeys the formula ν₀(cm^-1)=68875.3+504.1v′₂+5.26v′²₂. Analysis of the spectrum has revealed that it belongs to 4d Rydberg state transition. Our assignment yields the 4d Rydberg state parameters T_e′=67881.1 cm^-1, ω_e′=495.1 cm^-1 and δ=0.962. Finally the 4d Rydberg state structure of AsH₃ was discussed.