La2CuO4在平行CuO2面磁场中的磁转变

本文在平均场近似下,给出一个关于在平行CuO₂面的磁场作用下,La₂CuO₄的磁转变理论。理论给出的临界磁场随温度T的变化,在定性上与实验相符。但是,从本文理论看,不存在多重临界点。简单讨论了理论和实验不符合的原因。 关键词：     

临界厚度d0和纵场临界电流曲线

本简报对理想第二类超导平板的纵场临界电流曲线进行的分析表明了,当平板厚度d大于临界厚度d₀时,曲线呈倒U字形;当d小于d₀时,曲线呈现出峰值效应。 关键词：     

Kubo线性输运系数公式

在这篇短文中,作者对霍裕平等和陈式刚在文[1]—[4]中,提出的和争论的问题,陈述一些不同的看法。 关键词：     

合金薄膜的临界磁场

本文把文献[2]的理论推广到含有杂质的超导薄膜情形,得出合金薄膜的二极相变临界磁场。本文得到的结果,在2d》ξ₀而l任意时,或者2d《ξ₀而l<<2d时,趋于Гинэбург-Ландау理论;在2d<ξ₀而l>2d时,与Гинэбург-Ландау理论不同(l是杂质所决定的电子平均自由程)。理论符合Blumbers实验。     

过渡金属的超导电理论

1.实验证明,过渡族超导体的很多性质可以在BCS理论中获得解释,只要形式上把BCS理论中的N(0)理解成Fermi能级处s带和d带态密度之和。这些性质有:比热,临界磁场,能隙等。 过渡金属的特点是s带和d带重迭,Fermi能级位于s带和d带之中。过渡金属的很多性质和这个特点有关。Suhl,Matthias和Walker把BCS理论推广到重迭能带的情形,企图给出较为合理的过渡金属超导电理论。在二能带模型的基础上,BCS哈密顿量推广成     

McMillan Tc公式的解析推导(Ⅲ)

本文把作者在前面两篇文章导出的T_c公式推广成下面形式:T_c=αω_log(ω_log/ω_c)^{(μ*/(λ-μ*))exp{-(1+λ)/(λ-μ*)},并从线性Eliashberg方程出发,导出了计算α的方程组。α一般是λ和μ*的函数。在弱耦合极限下,由上述方程组解得,α=2γ/π,其中lnγ=C=0.5772是Euler常数。这个结果表明了,前面两篇文章得到的T_c公式在弱耦合极限下是正确的。作者进而在Einstein谱和μ*=0情形,用数值计算方法从定α的方程组算出当λ=0.23,0.25,0.38和0.48时,a的数值。结果表明,至少在0.23≤λ≤0.45区间中,α变化很小,近似等于1/1.30。此时,本文的T_c公式实际上就是Allen及Dynes修改后的经验的McMillan T_c公式。 关键词：}     

一个新的Tc公式

从Eliashberg方程导出了一个适用于λ小的超导体的T_c公式。 关键词：     

关于一级近似T_c级数解的收敛问题

本文通过一个实例说明:μ~* =0时,一级近似T_c级数解的收敛半径既不是由z_(ph)=-integral from n=0 to (ω_(ph)) (dωg(ω)·ω＇/ω_(ph)~2-ω~2),也不是由z_(ph)=integral from n=0 to (ω_(ph)) (dωg(ω)ω~2/ω_(ph)~2 ω~2)决定的。     

Tc级数解的收敛半径问题

本文从Eliashberg方程出发,证明了一个计算T_c级数解收敛半径1/Λ的公式。它和作者之一及其合作者在前一篇文章中猜测的公式实际上是相符的,从而肯定了他们建议的计算Λ的方法是正确的。 关键词：     

McMillan T_c公式的解析推导(Ⅱ) μ~*≠0情形

本文把文献[1]的理论以及所得到的T_c公式推广到μ≠0情形,得到 T_c=2r/πω_(log)·(ω_(log)/ω_c)~μ/(λ-μ)·exp{-(1 λ)/(λ-μ)}.nγ=C=0.5772是Euler常数。