单壁BC3纳米管晶格动力学研究

基于力常数模型计算了一系列扶手椅型、锯齿型和手性单壁BC₃纳米管的声子色散关系.描述了单壁BC₃纳米管结构的表征方式,比较详细地给出了其结构、对称性和晶格动力学分析.基于数值计算结果,讨论了拉曼活性模和红外活性振动模的频率与管径的关系.由分析结果做出推断,BC₃纳米管的拉曼光谱和红外光谱比单壁碳纳米管更为复杂. 关键词： 3纳米管')" href="#">BC₃纳米管 声子色散关系 晶格动力学     

BaTiO3和Ce:BaTiO3晶体极性声子和电磁激元的喇曼散射研究

从声子-电磁激元频率色散关系的普遍公式出发,推导出了单轴晶体的Merten方程和电磁激元的频率色散关系。测量了BaTiO₃和Ce:BaTiO₃晶体的简正模和斜声子的喇曼散射谱,并根据Merten方程,拟合出了斜声子的方向色散曲线;记录了A₁类电磁激元在不同波矢值下的喇曼谱,观察到其频率色散现象.根据以上结果,对A₁(TO)模喇曼谱中两个宽的非对称峰的归属和BaTiO₃晶体的结构相变机制进行了讨论;计算出了这两种晶体的受夹介电常数;分析了掺Ce对BaTiO₃晶体结构的影响。 关键词：     

碱土氟化物离子晶体中点缺陷形成能计算

基于以前通过经验参数化途径得到的碱土氟化物电子壳模型参数和离子间互作用势参数,计算了CaF₂,SrF₂和BaF₂晶体中点缺陷形成能．计算并对比了SrF₂和BaF₂的声子色散曲线与非弹性中子散射实验数据,再一次复验了经验参数集的质量. 关键词：     

LiNH2 的晶格动力学、介电性质和热力学性质第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,在局域密度近似下采用线性响应的密度泛函微扰理论计算了LiNH₂的晶格动力学、介电性质和热力学性质,得到了布里渊区高对称方向上的声子色散曲线和相应的声子态密度,分析了 LiNH₂的红外和拉曼活性声子频率,同时给出它的介电张量和玻恩有效电荷张量. 研究表明,LiNH₂存在小的各向异性,计算所得结果与实验值和其他理论值符合较好.最后,利用得到的声子态密度进一步预测了LiNH₂的热力学性质 关键词： 密度泛函理论 晶格动力学 热力学性质 第一性原理计算     

BaVS3晶格动力学研究

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,在局域密度近似下采用线性响应的密度泛函微扰理论研究了具有六角结构的BaVS₃化合物的晶格动力学性质,得到了整个声子谱.计算得到的Γ点拉曼频率和实验数据进行了比较,其中E²_2g模、A_1g模和实验测量值符合得比较好.对于E³_2g模,采用线性响应计算的结果与实验值差别较大.对该模应用冻结声子方法研究后认为差异主要是由于E³_2g模的较强的非谐性引起的.此外V原子在平面内的振动模E¹_2u出现了虚频.虚频的出现预示着六角相的BaVS₃结构的不稳定性,从而很好地解释了该材料由六角相到正交相的结构相变. 关键词： 晶格动力学 密度泛函 赝势方法 3')" href="#">BaVS₃     

六方相InGaN外延膜的显微Raman散射

用X射线衍射(XRD)技术和显微Raman散射方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的六方相In_xGa_1-xN薄膜样品进行了研究，观察到了相分离现象和LO声子-等离子耦合模(LPP⁺)，讨论了In_xGa_1-xN的A₁(LO)模被屏蔽的主要物理机制.同时，对Raman谱中E₂和A₁(TO)声子模进行了分析和讨论.在In_xGa_1-xN样品的低温Raman谱中还观察到单电子跃迁产生的Raman散射信号. 关键词： Raman散射 X射线衍射 相分离 应力 LO声子-等离子耦合     

Eu3+掺杂Bi2O3-PbO-B2O3-ZnO玻璃光谱性质

用高温融熔法制备了Eu³⁺掺杂浓度为1%的(60-x)Bi₂O₃xPbO30B₂O₃10ZnO(x=0,10,30,摩尔分数)玻璃.测定了玻璃的差热分析曲线、吸收光谱、声子边带谱、发射光谱与激发光谱.由发射光谱与稀土Eu³⁺离子光学跃迁矩阵元的特点,计算了Eu³⁺光学跃迁的J-O参数Ω₂与Ω₄.结果显示强度参数Ω₂随着PbO量的增加而略减少,表明材料的对称性略增加,Eu—O键强减弱,共价性降低.PbO组分的增加,使玻璃的结晶起始温度与软化温度差降低,导致玻璃的热温度性变差.随着PbO的增加,电-声子耦合减弱.     

Bi4Se3薄膜的声子结构及电声子相互作用的第一性原理研究

基于密度泛函微扰理论,运用第一性原理研究两种终结面的Bi₄Se₃薄膜的声子结构和电-声子相互作用.结果表明两种终结面的Bi₄Se₃薄膜体系都是动力学稳定的. Bi₄Se₃薄膜中插入的Bi₂双原子层与Bi₂Se₃五原子层的声子投影态密度并不完全匹配,这会阻碍部分声子的输运,降低热导,从而有利于提高材料的热电性能.另外,两种终结面的Bi₄Se₃薄膜的电-声子耦合系数都不太大（约0.278）,有利于制备基于室温工作的电子学器件.     

Ta对C—15相V2Hf和V2(Zr0.5Hf0.5)系列声子性能的影响

本文用中子飞行时间方法对C-15相的超导材料V₂Hf,V₂Ta和V₂Hf_0.8Ta_0.2以及V₂Zr_0.5。Hf_0.5和V₂Zr_0.5Hf_0.33Ta_0.17的热中子非弹性散射谱作了测量,并计算出相对的广义声子态密度。结果与早先发表的Nb对C-15相V₂Zr和V₂(Hf_0.5Zr_0.5)系列声子性能的影响一致:声子频率随超导转变温度T_c增加而软化,随T_c减小而硬化。这表明,对于此类材料弹性软化在一定程度上对提高T_c起了作用。结果还进一步表明V₂Zr或V₂Hf与V₂(Zr_0.5Hf_0.5)之间有着质的差别,V₂Hf加Ta后,T_c增加,声子频率软化,而V₂(Zr_0.5Hf_0.5)加Ta后,T_c减小,声子频率则略有硬化。这与V₂Zr和V₂(Hf_0.5Zr_0.5)加Nb的结果是一致的。此结果可以用角动量分波表象的能带论方法分析电-声耦合相互作用得出的杂化理论来定性解释。 关键词：     

La1.6(MoO4)3:Eu0.43+纳米晶合成及发光特性

采用燃烧法合成了La_1.6(MoO₄)₃:Eu_0.4³⁺纳米晶末,研究了其声子-掺杂-晶格相互作用和发光性质.X射线粉末衍射(XRD)分析表明,在500~900 ℃退火后,La_1.6(MoO₄)₃:Eu_0.4³⁺样品为单一晶相.对样品进行了光致发光(PL)测量,激发Mo⁶⁺-O^2-电荷迁移带,观察到Eu³⁺的系列发光,表明Mo⁶⁺-O^2-带和Eu³⁺间存在能量传递,中心波长分别在λ₁=469 nm和λ₂=426 nm处的两个one-phonon边带,相应的声子能量分别为767和1202 cm^-1,分别对应于 Mo=O 和Mo-O-Mo伸缩振动.同时,计算了两个局域模电子-声子耦合强度的黄昆因子分别为S₁=0.055和S₂=0.037,为揭示其三价离子高传导特性及其负热膨胀物理特性提供了实验基础.     

CALCULATIONS OF STRETCHING VIBRATIONAL ENERGY LEVELS OF THE CH3I MOLECULE BY A NONLINEAR MODEL

A nonlinear model, i.e. the quantized discrete self-trapping equation, is applied to calculate the highly excited CH stretching vibrational energy levels of the CH₃I molecule in the liquid phase at the electronic ground state up to n=8. The obtained results agree well with the experimental data and with those obtained from local mode model calculations. We note that the dominant feature of the methyl CH stretching vibrational energy levels of the CH₃I molecule is a pattern of local mode pairs. When n≥7, all the vibrational energy of the CH₃ group can nearly be localized on a single CH bond.     

金红石结构TiO2晶体点缺陷形成能的经验途径计算

基于经验参数化途径,通过对晶体结构、晶格形成能、介电性质和弹性实验数据拟合确定金红石结构氧化物晶体TiO₂的电子壳模型参数和非Coulomb互作用势参数.计算点 缺陷形成能.论证Schottky缺陷是金红石结构TiO₂中的本征缺陷. 关键词： 2')" href="#">金红石TiO₂ 点缺陷形成能 电子壳模型 经验途径计算     

用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中的极化电荷

研究发展了用肖特基电容电压特性数值模拟确定调制掺杂Al_xGa_1-xN/GaN异质结中极化电荷的方法.在调制掺杂的Al_0.22Ga_0.78N/GaN异质结上制备了Pt肖特基接触,并对其进行了C-V测量.采用三维费米模型对调制掺杂的Al_0.22Ga_0.78N/GaN异质结上肖特基接触的C-V特性进行了数值模拟,分析了改变样品参数对C-V特性的影响.利用改变极化电荷、n-AlGaN 关键词： xGa_1-xN/GaN异质结')" href="#">Al_xGa_1-xN/GaN异质结 极化电荷 电容电压特性 数值模拟     

HYBRID ORBITALS OF CARBON ATOMS IN THE D6hC36 MOLECULE UNDER THE ROTATING ELLIPSOID MODEL

The hybrid orbitals of carbon atoms in the D_6h C₃₆ molecule are studied using two rotating ellipsoid models. The model 1 is 1.66R for the short semi-axis and 2.34R for the long semi-axis, and the model 2 is 1.78R and 2.26R respectively, where R is the C-C bond length. By comparison,we think the model 2 to be more proper in revealing the electronic properties of the D_6h C₃₆ molecule. The component of s orbitals in the π states hybridized for each of the atoms is much larger than C₆₀, in which the s-orbit component is 0.0380 and the p-orbit is 0.9620. The most component is 0.2098 and the least is 0.0482 for model 1; the most is 0.1764 and the least is 0.0656 for model 2.     

电光调QCO2激光器的六温度模型理论与速率方程理论比较分析

分别利用速率方程理论和六温度模型理论对Q开关CO₂激光器动力学过程进行了理论分析比较,实验上测得电光调Q射频波导CO₂激光器脉冲激光建立时间及峰值功率与速率方程理论和六温度模型理论计算结果一致.但速率方程理论计算的激光脉冲宽度较“窄”,并且几乎没有拖尾,而六温度模型理论计算的脉冲激光波形有明显的拖尾,符合实际测量的波形.另外,六温度模型理论可以全面反映激光器工作气体中不同分子能级的能量转移过程,因此六温度模型理论分析更全面 关键词： 2激光器')" href="#">电光调QCO₂激光器 六温度模型理论 速率方程理论     

Al2O3:V3+晶体局域结构及其自旋哈密顿参量研究

提出了解释掺杂离子局域结构畸变的配体平面移动模型，建立了此模型下晶体微观结构与自旋哈密顿参量之间的定量关系.在考虑自旋与自旋、自旋与另一电子轨道和轨道与轨道作用等微小磁相互作用的基础上，采用全组态完全对角化方法，对Al₂O₃晶体中V³⁺的局域结构和自旋哈密顿参量进行了系统的研究.结果表明，V³⁺掺入Al₂O₃晶体后，上下配体氧平面间距离增大了0.0060 nm.从而成功地解释了Al₂O₃:V³⁺晶体的自旋哈密顿参量.在此基础上，研究了三角晶场下3d²离子自旋哈密顿参量的微观起源.研究发现，自旋三重态对自旋哈密顿参量的贡献是主要的，微小磁相互作用对自旋哈密顿参量的贡献只与自旋三重态有关.     

Composition-induced structural modifications in the quaternary CuIn1-xGaxSe2 thin films： bond properties versus Ga content

In this paper the dependence of structural properties of the quaternary CuIn1-xGaxSe2 films with tetragonal structure on the Ga content has been systematically investigated by Raman scattering and x-ray diffraction spectra. The shift of the dominant A1 mode, unlike the lattice constants, does not follow the linear Vegard law with increasing Ga content x, whereas exhibits approximately polynomial change from 174 cm^-1 for CuInSe2 to 185 cm^-1 for CuGaSe2. Such behaviour should be indicative of presence of the asymmetric distribution of Ga and In on a microscopic scale in the films, due to Ga addition. The changes in the tetragonal distortion η lead to a significant variation in the anion displacement parameter U, which should be responsible for the evolution of bond parameters and resultant Raman bands with x.     

非晶态Mg70Zn30合金结构因子的预峰

利用X射线衍射仪对非晶态Mg₇₀Zn₃₀合金的结构进行了研究,获得了强度曲线、结构因子、双体分布函数和原子间最近邻距离.结果表明,Mg₇₀Zn₃₀合金在小Q区间存在强烈的预峰现象.根据预峰的特性,提出了Mg₇₀Zn₃₀熔体的结构模型,即Mg原子位于中心,8个Zn原子位于顶角所形成的简单立方结构模型.该模型以共享顶点的方式相连接,能够满足预峰对Mg—Mg原子间距离的要求.Mg< 关键词： 非晶态 70Zn₃₀合金')" href="#">Mg₇₀Zn₃₀合金 结构因子 预峰     

氮化硅α，β和γ相的解析状态方程和热物理性质

对固体通用状态方程考虑热效应的Einstein模型进行修正，提出一种利用参考温度下的实验数据计算绝对零度下物质参数的方法，并用于Baonza方程以考虑热效应.结果表明，对于Baonza方程，零温下的参数可以解析地求解出来，常用的热物理量也可以推出解析表达式.将得出的公式用于研究氮化硅α，β和γ相的热物理性质.通过对文献的分析确定了这三种相的方程参数，计算的体积随压强变化和热膨胀系数随温度变化的结果与实验数据符合很好.     

HEM11模磁绝缘线振荡器的高频分析

作为小型化和紧凑型的高功率微波源,磁绝缘线振荡器(MILO)在过去十几年里得到了广泛的研究和发展.在大多数研究中,最低的对称模一直被当作器件的主模.然而,由于结构的对称性或者电子发射均匀度不理想等原因,很容易激励起非对称模式.计算了MILO同轴结构中同时包含对称模和非对称模的本征方程.在此基础上,通过对结构的优化设计,提出了一种HEM₁₁模工作的MILO,并开展了原理性实验.在二极管的电压为480kV,电流为39kA条件下得到了功率为1.2GW,脉冲宽度为40ns的微波输出,功率转换 关键词： 磁绝缘线振荡器 高频特性 11模')" href="#">HEM₁₁模 开放腔