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本文报导了在 Ge_Si_(1-x)/Si 超晶格中观察到了超晶格周期不均匀导致的折叠声学声子拉曼谱线展宽,这种谱线展宽与折叠指数(m)有关,折叠声学声子的谱线越宽,m 相同的折叠声学声子具有相同的线宽。 相似文献
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运用AMPS- ID程序研究了a-SiC:H/a-Si1-rGer:H/a-Si:H薄膜太阳能电池的光电特性.分析了a-SiC:H/a-Si1-xGes:H/a-Si:H薄膜太阳能电池短路电流、断路电压、填充因子和光电转化效率随Ge成分(或含量)x和a-Si1-sGes:H层厚度的变化.计算结果表明x=0.1和a-Si1-xGex:H厚度h=340 nm时,转化效率达到最大值 9.19%.另外,讨论了各种因素对太阳能电池性能的影响. 相似文献
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利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系(包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格)中声学声子的喇曼散射谱.结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同,呈现出许多独特的性质.对有限周期数的超晶格,由于边界的存在,喇曼谱中除了理想超晶格中存在的折叠声学声子峰(主峰)外,还会出现一系列等间距分布的卫星峰.对耦合超晶格体系,理想超晶格中存在的主峰将出现分裂.对层厚起伏变化的超晶格,主峰呈现非对称展宽,展宽主要出现在高波数端.计算结果和实验测得的谱线作了比
关键词: 相似文献
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本文报道了a-Si:H/a-SiNx:H超晶格薄膜光致发光某些性质的研究。实验发现,这种超晶格薄膜光致发光的强度和峰值能量随交替层a-Si:H厚度,测量温度及光照时间等而变化。同时还发现,在阴、阳两极上,利用GD法沉积的样品,发光强度和峰值能量也有所不同。文中对这些实验结果作了初步解释。 相似文献
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本文首次利用室温非共振喇曼后向散射测得具有7.3%晶格失配的ZnSe-ZnTe应变层超晶格限制在ZnSe层中的纵光学声子模。计算了限制效应引起的声子模频率的红移,以及弹性应变引起的声子模的移动,它比前者大得多。ZnSe层所受拉伸应变引起声子频率红移,ZnTe层所受压缩应变引起声子频率蓝移。同时在喇曼光谱中观察到由于这种效应导致出现的纵光学声子折叠模。 相似文献
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在等离子体增强化学气相淀积系统中,采用aSi:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了aSi:H/SiO_2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源,对aSi:H/SiO_2多层膜进行辐照,使纳米级厚度的aSi:H子层晶化.Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明,经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的aSi:H子层内形成,晶粒尺寸可以根据aSi:H层的厚度精确控制.还研究了样品的光致发光(PL)特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响.
关键词:
脉冲激光
多层膜
限制结晶 相似文献
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采用在等离子体增强化学汽相沉积系统中沉积a-Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si:H/SiO2多层膜.改变a-Si:H层的厚度,首次在室温下观察到来自a-Si:H/SiO2多层膜较强的蓝色光致发光和从465到435nm的蓝移.x射线能谱证明,SiO2层是化学配比的SiO2;C-V特性表明,a-Si:H/SiO2界面得到了很好的钝化;透射电子显微镜表明,样品形成了界面陡峭的多层结构.结合光吸收谱和光致发光谱的研究,对其发光机理进行了讨论.用一维量子限制模型对光致发光峰随着a-Si:H层厚度的减小
关键词:
a-Si:H/SiO2多层膜
光致发光 相似文献
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F. Kezzoula A. Hammouda M. KechouaneP. Simon S.E.H. AbaidiaA. Keffous R. CherfiH. Menari A. Manseri 《Applied Surface Science》2011,257(23):9689-9693
Amorphous silicon (a-Si) and hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films were deposited by DC magnetron sputtering technique with argon and hydrogen plasma mixture on Al deposited by thermal evaporation on glass substrates. The a-Si/Al and a-Si:H/Al thin films were annealed at different temperatures ranging from 250 to 550 °C during 4 h in vacuum-sealed bulb. The effects of annealing temperature on optical, structural and morphological properties of as-grown as well as the vacuum-annealed a-Si/Al and a-Si:H/Al thin films are presented in this contribution. The averaged transmittance of a-Si:H/Al film increases upon increasing the annealing temperature. XRD measurements clearly evidence that crystallization is initiated at 450 °C. The number and intensity of diffraction peaks appearing in the diffraction patterns are more important in a-Si:H/Al than that in a-Si/Al layers. Results show that a-Si:H films deposited on Al/glass crystallize above 450 °C and present better crystallization than the a-Si layers. The presence of hydrogen induces an improvement of structural properties of poly-Si prepared by aluminium-induced crystallization (AIC). 相似文献
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在本征氢化非晶硅(a-Si:H(i))/晶体硅(c-Si)/a-Si:H(i)异质结构上溅射ITO时, 发现后退火可大幅增加ITO/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)的少子寿命(从1.7 ms到4 ms). 这一增强效应可能的三个原因是: ITO/a-Si:H(i)界面场效应作用、退火形成的表面反应层影响以及退火对a-Si:H(i)材料本身的优化, 但本文研究结果表明少子寿命增强效应与ITO和表面反应层无关; 对不同沉积温度制备的a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)异质结后退火的研究表明: 较低的沉积温度(<175 ℃)后退火增强效应显著, 而较高的沉积温度(>200 ℃)后退火增强效应不明显, 可以确定“低温长高温后退火”是获得高质量钝化效果的一种有效方式; 采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究不同沉积温度退火前后a-Si:H(i)材料本身的化学键构造, 发现退火后异质结少子寿命大幅提升是由于a-Si:H(i)材料本身的结构优化造成的, 其深层次的本质是通过材料的生长温度和退火温度的优化匹配来控制包括H含量、H键合情况以及Si原子无序性程度等微观因素主导作用的一种竞争性平衡, 对这一平衡点的最佳控制是少子寿命大幅提升的本质原因. 相似文献
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本文用较完整的热激电导理论分析方法,处理非晶态半导体的热激电导谱,获得a-Si:H薄膜和a-Si:H/a-SiNx:H超晶格中能隙上半部缺陷态密度的分布。其结果与用Fritzsche的理论分析方法获得的态密度分布一致。进一步比较了两种处理方法的主要特点,讨论了它们的特征参量,最大热发射能级Em与准费密能级Eq之间的关系。结果证明,a-Si:H热激电导的分析应用弱复合情况处理,热激载流子的再俘获不能忽略。表明Gu等人的理论分析进一步改进了对非晶态半导体热激电导谱的处理。
关键词: 相似文献