a-Si:H和a-SiNx:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合

应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载流子的非辐射复合。 关键词：     

a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合

应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载流子的非辐射复合。     

在线计算机与核技术应用

一、引 言 由于小型计算机和微计算机的迅速发展,计算机在线技术得到迅速的发展,小型计算机和微计算机具有功能强、灵活、体积小、可靠性高等许多优点,在核技术应用的在线数据获取和处理、过程自动控制以及仪器仪表的智能化等方面得到愈来愈多的应用. 将计算机在线技术用于实验     

用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜中的界面缺陷

本文报道应用正电子湮没技术(PAT)对a-Si:H/a-SiNx:H(x≈0.5)多层膜系列样品所进行的研究。发现,由于a-Si:H和a-SiNx:H在结构方面的失配,导致在a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面区,产生大量缺陷。在a-Si:H子层中,紧靠界面的是应变层,厚度约为8;在应变层之后是过渡层,厚度约为50。在过渡层中存在大量缺陷,这就是所谓界面缺陷。     

用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面缺陷

本文报道应用正电子湮没技术(PAT)对a-Si:H/a-SiN_x:H(x≈0.5)多层膜系列样品所进行的研究。发现,由于a-Si:H和a-SiN_x:H在结构方面的失配,导致在a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜中的界面区,产生大量缺陷。在a-Si:H子层中,紧靠界面的是应变层,厚度约为8?;在应变层之后是过渡层,厚度约为50?。在过渡层中存在大量缺陷,这就是所谓界面缺陷。 关键词：