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1.
相变域硅薄膜材料的光稳定性   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定,衰退率较少;高晶化率微晶硅材料性能稳定,基本不存在光衰退;在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退,但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池. 关键词: 射频等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 Staebler-Wronski(SW)效应 稳定性  相似文献   
2.
多帧叠加平均处理是去除扫频光学相干层析系统散斑噪声、获得较为清晰结构信息的有效方法,但眼睛的震颤、漂移、微眼跳等生理特性和系统光路特性会使图像之间存在错位,导致叠加效果不佳、结构稳定性差,为此本文提出一种基于灰度分布信息和目标几何信息相结合的配准算法。该方法根据图像平均灰度分布提取包含目标信息的感兴趣区域,通过相位相关算法和基于分段拟合的灰度投影算法的双重作用校正图像的平移变换;通过拟合视网膜上边界作为特征点迭代确定最佳旋转参数,并再次重新估计平移参数,实现图像的刚性配准;最后通过轴向扫描一对一映射法以能量函数为约束条件实现图像的非刚性配准。对活体兔眼进行实验,结果表明,本文算法配准后的叠加图像边界清晰,结构信息增强,信噪比和对比度平均有效提高一倍多。本算法适用于强噪声视网膜B-Scans图像的配准,能满足多种类型OCT系统的叠加成像需要,具有较高的鲁棒性和图像配准精度。  相似文献   
3.
This paper reports that a double N layer (a-Si:H/μc-Si:H) is used to substitute the single microcrystalline silicon n layer (n-μc-Si:H) in n/p tunnel recombination junction between subcells in a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cells. The electrical transport and optical properties of these tunnel recombination junctions are investigated by current-voltage measurement and transmission measurement. The new n/p tunnel recombination junction shows a better ohmic contact. In addition, the n/p interface is exposed to the air to examine the effect of oxidation on the tunnel recombination junction performance. The open circuit voltage and FF of a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cell are all improved and the current leakage of the subcells can be effectively prevented efficiently when the new n/p junction is implemented as tunnel recombination junction.  相似文献   
4.
采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明,本征微晶硅薄膜结构对n型掺杂层具有强烈的依赖作用,微晶n型掺杂层能够有效减少n/i界面非晶孵化层的厚度,改善本征微晶硅薄膜的纵向均匀性,进而提高微晶硅n-i-p太阳电池性能. 关键词: 孵化层 微晶硅薄膜 纵向均匀性 n-i-p太阳电池  相似文献   
5.
This paper reports that high-rate-deposition of microcrystalline silicon solar cells was performed by very-highfrequency plasma-enhanced chemical vapor deposition.These solar cells,whose intrinsic μc-Si:H layers were prepared by using a different total gas flow rate (F total),behave much differently in performance,although their intrinsic layers have similar crystalline volume fraction,opto-electronic properties and a deposition rate of ~ 1.0 nm/s.The influence of F total on the micro-structural properties was analyzed by Raman and Fourier transformed infrared measurements.The results showed that the vertical uniformity and the compact degree of μc-Si:H thin films were improved with increasing F total.The variation of the microstructure was regarded as the main reason for the difference of the J-V parameters.Combined with optical emission spectroscopy,we found that the gas temperature plays an important role in determining the microstructure of thin films.With F total of 300 sccm,a conversion efficiency of 8.11% has been obtained for the intrinsic layer deposited at 8.5 A/s (1 A=0.1 nm).  相似文献   
6.
侯国付  卢鹏  韩晓艳  李贵君  魏长春  耿新华  赵颖 《物理学报》2012,61(13):138401-138401
如何提高硅基薄膜太阳电池的光稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题. 为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳定性, 本文首先给出了良好光稳定性非晶硅顶电池的结果, 然后重点研究了N/P隧穿结和微晶硅底电池本征层硅烷浓度梯度对叠层电池光稳定性的影响. 经过初步优化, 连续光照1000 h后非晶硅/微晶硅叠层电池的最小光致衰退率只有7%.  相似文献   
7.
实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,实现了微晶硅硅薄膜的高速沉积,并通过改变气体总流量改变气体滞留时间,考察了气体滞留时间在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率以及光电特性和结构特性的影响.采用沉积速率达到12?/s的高速微晶硅工艺制备微晶硅电池,电池效率达到了5.3%. 关键词: 气体滞留时间 高速沉积 微晶硅 超高频等离子体增强化学气相沉积  相似文献   
8.
采用常规的射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了可以用于微晶硅薄膜太阳电池的n型的掺杂窗口层材料.通过掺杂窗口层材料在电池中的应用发现:微晶硅薄膜太阳电池由于其电子和空穴的迁移率相差比较小而显示出磷掺杂的n型的微晶硅材料也可以像硼掺杂的p型的微晶硅材料一样,可作为微晶硅薄膜太阳电池的窗口层材料;两种窗口层制备电池的效率差别不大,而且量子效率(QE)测试结果显示两种电池的n/i和p/i界面没有明显的区别;电池的双面不同波长拉曼光谱的测试结果给出:不论是n/i/p还是p/i/n型的电池,在起始生长本征层阶段均 关键词: n型的掺杂窗口层 p型的掺杂窗口层 微晶硅薄膜太阳电池  相似文献   
9.
采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速(沉积速率约为1.2 nm/s)沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,并通过Raman谱和XRD谱的测试,研究了高速沉积时本征微晶硅薄膜的微结构演变特性及其对电池性能的影响.针对其微结构特性及高速沉积本身存在的离子轰击作用强的特点,提出了在沉积微晶硅薄膜过程中采用功率梯度的方法,达到有效地控制薄膜微结构变化的目的,并在一定功率梯度范围内降低了电子温度,提高了薄膜质量,从而使电池效率明显提高.最后在沉积速率为1.2 nm/s时,制备 关键词: 高速沉积 微晶硅薄膜 微结构演变 功率梯度  相似文献   
10.
采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究,并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测试.结果表明:能反映材料晶化程度的I[SiH*/I[Hβ*比值在沉积时间为100 s之内有下降的趋势,且反应气体总流量Tfl越小下降趋势越明显,这与拉曼散射光谱对材料的结构测试结果一致;沉积5 min时I 关键词: 高速沉积 微晶硅薄膜 电子温度  相似文献   
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