首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8篇
  免费   21篇
晶体学   4篇
数学   3篇
物理学   22篇
  2005年   2篇
  2004年   4篇
  2003年   1篇
  2002年   1篇
  2001年   4篇
  1999年   3篇
  1998年   3篇
  1997年   1篇
  1996年   1篇
  1995年   1篇
  1994年   1篇
  1992年   1篇
  1990年   1篇
  1988年   1篇
  1987年   2篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有29条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
实验发现在一定Si—H键浓度下,相对于平坦的硅衬底而言,在其上沉积的a-Si:H薄膜具有压缩应力,a-SiN_x:H薄膜具有伸张应力。当a-Si:H和a-SiN_x:H层厚度比近似于1:2时,硅衬底上生长的a-Si:H/a-SiN_x:H/c-Si样品,弯曲最小,并能保持很长时间。文中还给出了应力随退火变化的情况,并对实验结果进行了讨论。  相似文献   
2.
热灯丝CVD金刚石膜硼掺杂效应研究   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
廖克俊  王万录  张振刚  吴彬 《物理学报》1996,45(10):1771-1776
利用Raman谱和X射线衍射微分析研究了金刚石膜硼掺杂效应.研究发现,在硼浓度较低时,金刚石膜中非晶碳(Sp2键合)含量减少,而随着硼浓度增加,金刚石膜的Raman特征峰(Sp)向低频方向漂移,并且展宽和出现不对称.这是由于硼掺杂引起晶格变化及Fano互作用所致 关键词:  相似文献   
3.
研究了多壁碳纳米管(MWNTs)薄膜的湿敏特性,实验所用的多壁碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成的.分别对未修饰和修饰的多壁碳纳米管膜温度和湿度特性进行研究后发现,修饰的多壁碳纳米管对温度和湿度非常敏感,且对湿度的响应时间和恢复时间短,重复性好.而未修饰的多壁碳纳米管对温度和湿度不太敏感.对修饰多壁碳纳米管的湿敏特性进行了理论分析,给出了其理论表示式. 关键词: 多壁碳纳米管 化学修饰 湿敏特性 物理吸附  相似文献   
4.
金刚石膜压阻效应的理论研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在Fuchs-Sondheimer薄膜理论(F-S理论)和修正的价带分裂模型的基础上,考虑晶格散射、杂质散射和表面散射,通过求解弛豫近似下的Boltzmann方程,利用并联电阻模型从理论上研究了p-型异质外延金刚石膜的压阻效应,给出了压阻效应的计算表达式. 从理论上得到了和实验一致的压阻效应的主要特性. 提出了应力作用下分裂带间距变化的模型,对大应力时饱和压阻的理论和实验误差给出了合理解释.  相似文献   
5.
王万录  廖克俊 《物理学报》1987,36(12):1529-1537
实验发现在一定Si—H键浓度下,相对于平坦的硅衬底而言,在其上沉积的a-Si:H薄膜具有压缩应力,a-SiNx:H薄膜具有伸张应力。当a-Si:H和a-SiNx:H层厚度比近似于1:2时,硅衬底上生长的a-Si:H/a-SiNx:H/c-Si样品,弯曲最小,并能保持很长时间。文中还给出了应力随退火变化的情况,并对实验结果进行了讨论。 关键词:  相似文献   
6.
根据相界面摩擦原理,在推导出计算Ni2MnGa系统热动力学参量的一般表示式的基础上,结合马氏体相变温度分别在室温以下、室温附近、室温以上三种非正配分比Ni2MnGa单晶自发相变应变和交流磁化率随温度变化的测量结果,计算了三种样品马氏体相变过程中界面摩擦所消耗的能量.结果进一步表明正是相变过程中的界面摩擦导致了相变的热滞后,而三种样品马氏体相变过程的摩擦耗能和相变热滞后存在较大差别的原因在于三种样品马氏体相变生成物具有不同的结构. 关键词: 马氏体相变 应变 界面摩擦  相似文献   
7.
Ni50.5Mn24.5Ga25单晶的预马氏体相变特性   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的预相变应变、磁致伸缩和磁化强度测量,系统研究了近正配分比Ni50.5Mn24.5Ga25单晶的预马氏体相变特性.在自由样品中观察到预马氏体相变应变.在预相变点,沿[010]方向施加大小约为80kA/m的磁场,在晶体母相的[001]方向上获得了高达505ppm的磁致伸缩,该值是相同条件下晶体母相磁致伸缩量的5倍多.同时,报道了不同方向磁场对预相变应变干预的结果.利用软模凝结的概念和依据单晶生长的特点,分析了预相变应变产生的机理.而磁场干预预相变应变的机理是磁场增大的磁弹耦合导致的晶格形变与材料内禀形变的竞争.利用磁性测量结果证实和解释了预相变过程中[001]和[010]轴方向间进一步增大的各向异性.进而对磁场沿[001]和[010]两个晶体学方向所导致的应变特性的差别,包括最大磁致伸缩、饱和预相变应变、饱和场等,进行了分析和讨论.  相似文献   
8.
结合Mayadas-Shatzkes多晶模型 ,对硼掺杂多晶金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论 .结果认为 ,价带分裂和晶界散射的联合作用是导致P型多晶金刚石薄膜具有显著压阻效应的主要原因 .推导出考虑晶界散射时压阻因子的近似计算公式 ,计算结果与实际情况相符 .  相似文献   
9.
在p型硅(100)衬底上,采用衬底负偏压微波等离子体CVD方法进行了p型异质外延金刚石膜的生长.用O2等离子体刻蚀技术将金刚石膜刻蚀成长条形,利用四探针法在0—5T的磁场范围内测量了样品的磁阻.实验结果表明,p型异质外延金刚石膜可以产生较大的磁阻.在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理论的基础上考虑晶格散射、杂质散射和表面散射,通过求解Boltzmann方程,利用并联电阻模型研究了p型异质外延金刚石膜的磁阻效应,给出了磁阻和金刚石膜厚度、迁移率、空穴密度及磁场的关系.讨论了表面散射和价带形变对p型异质外延金刚石膜磁阻的影响,初步解释了p型异质外延金刚石膜产生较大磁阻的原因 关键词: 金刚石膜 异质外延 磁阻效应 电导率  相似文献   
10.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号