合肥国家同步辐射实验室同步辐射光刻研究

同步辐射光刻技术是Ｘ射线光刻技术的重要发展，适用于深亚微米乃至纳米级图形的 超微细加工，特别是ＬＩＧＡ技术的出现大大拓展了同步辐射光刻的应用领域．使它不仅适合于超大规模 集成电路等平面微结构的加工，也适合于具有复杂构造的三维立体结构和器件的制作．文章简要介绍了 ＮＳＲＬ光刻光束线和实验站概况及研究工作进展．     

同步辐射X线光刻

X线光刻是未来亚微米应用的重要微光刻技术、近年来,同步辐射X线光源的应用是技术上一个重要发展,本文叙述了同步辐射X线光刻在微电子技术未来发展中的作用、现状及其基本技术问题。并介绍了我国同步辐射X线光刻的发展情况。     

同步辐射X线光刻

X线光刻是未来亚微米应用的重要微光刻技术、近年来,同步辐射X线光源的应用是技术上一个重要发展,本文叙述了同步辐射X线光刻在微电子技术未来发展中的作用、现状及其基本技术问题。并介绍了我国同步辐射X线光刻的发展情况。     

深度同步辐射光刻初探

ＬＩＧＡ技术被认为是制作微机械最有前途的方法，而ＬＩＧＡ技术较为关键的一步是深度同步辐射光刻。报道了深度同步辐射光刻的进展，刻蚀出了外圆直径为３８μｍ～３９μｍ，叶长约８μｍ，高约２５μｍ的扇叶状微结构元件。     

用同步辐射光刻直接在有机玻璃板上制备高深宽比亚微米光栅

为了将平面金属膜紧密耦合到纳米光栅形成的表面等离子体共振传感器,以提高灵敏度,以及利用亚微米光栅调整共振反射波长,需要制备亚微米结构光栅。介绍了一种基于X光光刻的亚微米结构光栅的制造技术。该结构光栅是利用日本立命馆大学的同步辐射光源进行同步辐射光光刻,在有机玻璃(PMMA)板上直接得到亚微米光栅。用此纳米加工技术获得的光栅线宽为250 nm,周期为500 nm,深宽比为8的PMMA亚微米结构光栅。还优化了曝光近接间隔、曝光剂量和显影时间等同步辐射光刻参数。     

集成电路同步幅射光刻镜扫描控制系统

在进行大规模集成电路光刻时 ,采用同步辐射光源是一项新技术。本文介绍了同步辐射光刻镜扫描控制系统。通过提高光刻镜扫描的控制精度和优选扫描振动频率 ,能够改善光栅的均匀度 ,以满足曝光的需要     

LIGA—EDM复合技术的研究

提出LIGA-EDM复合技术技术,即采用LIGA技术制备工具电极的微细电火花加工技术,通过同步辐射尝试光刻得到的胶结构厚度达2mm深宽比约为100,使用电铸技术得到厚度达1mm的铜工县电极,利用该电极进行微细电火花加工实验,在不锈钢上加工出异形小孔阵列．     

同步辐射讲座第五讲微电子机械系统加工新方法--LIGA技术

简述了微电子机械系统的起源和特点，介绍了LIGA技术的基本原理以及一些相关技术，对同步辐射深度光刻的技术要求进行了详细地说明，并介绍了国内外利用LIGA技术进行微电子机械系统研发的现状。     

微纳加工技术在微纳电子器件领域的应用

微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度，光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术，同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术，文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重要作用。     

封面说明

中国科学院高能物理研究所以北京正负电子对撞机上的同步辐射装置为依托 ,从 2 0世纪 90年代初开始微细加工技术研究 ,主要以ＬＩＧＡ、准ＬＩＧＡ技术为主 .目前实验室具有开展微细加工所必需的洁净环境以及各种加工、检测设备 ,可以开展多种镀膜、多种光刻、干 湿法腐蚀、电铸、模压塑铸等多种技术的复合加工 .目前加工出的微结构最小线宽达 5 0ｎｍ ,最大深度达 2ｍｍ ,微结构的深度 宽度之比最高达 10 0 .图为深度光刻获得的高深宽比微结构的扫描电镜照片封面说明$中国科学院高能物理研究所@彭良强…     

深度同步辐射X射线光刻技术

深度同步辐射Ｘ射线光刻技术深度同步辐射Ｘ射线光刻是ＬＩＧＡ技术的关键技术之一，而在８０年代中期，德国Ｗ。Ｅｈｒｆｅｌｄ教授［１］及同事创造的ＬＩＧＡ技术被认为是进行三维超微细加工最有前途的加工方法。ＬＩＧＡ技术是深度Ｘ射线刻蚀、电铸成型和塑料铸模等技...     

同步辐射激发直接干化学刻蚀

同步辐射激发直接光化学刻蚀是近年来发展的一项新技术 ,它不需要常规光刻中的光刻胶工艺 ,用表面光化学反应直接将图形写到半导体材料的表面上。由于所用的同步辐射在真空紫外 (VUV)波段 ,理论上的分辨率可以达到电子学的量子极限 ,且没有常规工艺中的表面损伤和化学污染 ,是一种非常具有应用潜力的技术。本文的最后部份重点讨论了与上述技术密切相关的VUV和软X射线激发的表面光化学反应机理。     

同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究

利用热氧化法在硅晶片上生长SiO₂薄膜，结合光刻和磁控溅射技术在SiO₂薄膜表面制备接触型钴掩模，通过掩模方法在硅表面开展了同步辐射光激励的表面刻蚀研究，在室温下制备了SiO₂薄膜的刻蚀图样.实验结果表明：在同步辐射光照射下，通入SF₆气体可以有效地对SiO₂薄膜进行各向异性刻蚀，并在一定的气压范围内，刻蚀率随SF₆气体浓度的增加而增加，随样品温度的下降而升高；如果在同步辐射光照射下，用SF₆和O₂的混合气体作为反应气体，刻蚀过程将停止在SiO₂/Si界面，即不对硅刻蚀，实现了同步辐射对硅和二氧化硅两种材料的选择性刻蚀；另外，钴表现出强的抗刻蚀能力，是一种理想的同步辐射光掩模材料. 关键词： 同步辐射刻蚀 接触型钴掩模 二氧化硅薄膜     

合肥扭摆器光源的特性和利用

国家同步辐射实验室正在设计和制造一台６Ｔ单周期超导扭摆器，把合肥同步辐射光源的可用范围延伸到Ｘ射线，满足部分Ｘ射线用户的要求，利用扭摆器光源装备四条光束线，分别用于Ｘ射线吸收精细结构，生物大分子晶体多波长反常衍射，Ｘ射线深度光刻和高分辩Ｘ射线衍射的研究。     

硫化铅探测器的光刻技术

<正> 一、引言光刻是一种精密的表面加工技术,是由照相和化学腐蚀相结合,在集成电路和半导体器件表面修刻的关键工艺。随着电子抗蚀胶的发展,为PbS器件的光敏面成形和电极成形提供了一个精密加工的重要手段。二、感光树脂光刻原理PbS光刻技术中所采用的感光胶称为光致     

软X射线相位型聚焦波带片的研制

软X射线波带片是软X射线光学中聚焦、色散和成像的重要元件。以激光全息-离子束刻蚀技术制作金的振幅型软X射线聚焦波带片,以此为掩模,利用接触式同步辐射光刻和离子束刻蚀技术在聚酰亚胺衬底上,分别制作出了镍和锗的软X射线相位型聚焦波带片。     

纳米光刻技术的现状和未来

纳米技术是21世纪信息科学的一项关键技术，纳米结构制作是纳米技术的重要组成部分，纳米光刻技术是制作纳米结构的基础，具有重要的应用前景，文章对光学光刻技术进行了概述，介绍了几种纳米光刻技术的新途径，发展现状和关键问题，最后讨论了纳米光刻技术的应用前景。     

许多国家兴建最新同步辐射光源

同步辐射光源从发展角度来看,大致可分为三代:第一代是回旋加速器的附产物,兼作同步辐射光源用;第二代有专为同步辐射实验而设计的装置;目前正在兴建的第三代是为了获得最佳辐射,弥补现存机器不足处,以便为各方用户提供更多、更佳的使用机会.其特点是在装置中可安装更多插入元件──即波荡器(undulator)和摇动器(wiggler).正、负电子经这些元件产生辐射.同步辐射光源具有从红外到X射线的光滑连续谱,单色性和准直性好,辐射强度和亮度高,广泛用于光核反应、原子和分子物理、固体物理、表面物理、化学、生物学、医学、材料科学、光刻技术和显…     

BSRF上同步辐射浓度光刻的实验研究

大结构深度和高深宽比是同步辐射深度光刻的突出优点。提出采用现有掩模，进行多次曝光、显影的方法，实验获得厚2.2mm的胶结构。系列研究掩模、光刻胶、基底、光谱和光强对深宽比的影响，实验获得深宽比104的胶结构。     

软X射线投影光刻技术及其发展

软X射线投影光刻的研究近年来取得了突破性进展，所采用的新型光学系统由于无污染激光等离子光源及分辨率大视场投影光刻系统组成，该技术多采用无应力光学装调工艺、深亚纳米级的镜面加工和多层膜制备技术及低缺陷反射式掩摸技术，该技术还采用表面成像光刻胶技术并涉及到精密扫描机构等技术，本文介绍了这一技术的发展历史，关键技术以及研究进展。