Si（Li）谱仪测定X射线荧光谱中CrKβ谱线化学位移的探索

采用放射源＾２４１Ａｍ５９．６ｋｅＶγ射线分别激发金属Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３和Ｋ２ＣｒＯ４，用Ｓｉ（Ｌｉ）谱仪比较测量其Ｋｘ射线的能量。实验表明Ｋ２ＣｒＯ４和ＣｒＫβ能峰相对于金属Ｃｒ有２．１２±０．２７ｅＶ的位移。     

封面说明

中国科学院高能物理研究所以北京正负电子对撞机上的同步辐射装置为依托 ,从 2 0世纪 90年代初开始微细加工技术研究 ,主要以ＬＩＧＡ、准ＬＩＧＡ技术为主 .目前实验室具有开展微细加工所必需的洁净环境以及各种加工、检测设备 ,可以开展多种镀膜、多种光刻、干 湿法腐蚀、电铸、模压塑铸等多种技术的复合加工 .目前加工出的微结构最小线宽达 5 0ｎｍ ,最大深度达 2ｍｍ ,微结构的深度 宽度之比最高达 10 0 .图为深度光刻获得的高深宽比微结构的扫描电镜照片封面说明$中国科学院高能物理研究所@彭良强…     

仲态电子偶素湮没辐射能量的改进测量

用充氧气的气凝硅胶作仲态电子偶素源,用¹⁹²Ir精密γ能量作标准,以时间选择能谱仪和滑动比较法改进测量仲态电子偶素2γ湮没能量,得到hv=510995.34±0.69eV.经电子偶素结合能修正,得正、负电子对静止质量,与电子质量比较,表明正、负电子质量在1.4ppm内一致.     

LIGA—EDM复合技术的研究

提出LIGA-EDM复合技术技术,即采用LIGA技术制备工具电极的微细电火花加工技术,通过同步辐射尝试光刻得到的胶结构厚度达2mm深宽比约为100,使用电铸技术得到厚度达1mm的铜工县电极,利用该电极进行微细电火花加工实验,在不锈钢上加工出异形小孔阵列．     

同步辐射讲座第五讲微电子机械系统加工新方法--LIGA技术

简述了微电子机械系统的起源和特点，介绍了LIGA技术的基本原理以及一些相关技术，对同步辐射深度光刻的技术要求进行了详细地说明，并介绍了国内外利用LIGA技术进行微电子机械系统研发的现状。     

氟化锂团簇基纳米相薄膜的慢正电子研究

用慢正电子束流装置研究了氟化锂团簇沉积在单晶硅衬底上构成的纳米相薄膜,获得了正电子湮没S参数和有效扩散长度L_eff. 讨论了制备条件(如衬底温度、蒸发速率、惰性气体分压等)对薄膜微观结构的影响.     

纳米孔径核孔模的制备研究

高能硫、氪、氙离子轰击聚酯（PET）和聚碳酸酯（PC）膜后,对样品进行陈化和紫外线照射敏化。用电导法着重研究蚀刻条件对样品的归一化径迹蚀刻速率（灵敏度）的影响,结果表明优化条件下灵敏度较通用条件下提高约2倍,PET的灵敏度可达1000,PC的灵敏度可达2000,可以用于制备纳米孔径核孔膜。核孔膜中填充的铜纳米线的电镜照片显示出纳米线最小直径为20nm。用电导法计算纳米孔的孔径,该值与纳米线直径的电镜测量值在孔径大于30nm时符合良好。     

BSRF上同步辐射浓度光刻的实验研究

大结构深度和高深宽比是同步辐射深度光刻的突出优点。提出采用现有掩模，进行多次曝光、显影的方法，实验获得厚2.2mm的胶结构。系列研究掩模、光刻胶、基底、光谱和光强对深宽比的影响，实验获得深宽比104的胶结构。     

核孔膜的非常规蚀刻法

不对称蚀刻法的分桥表明,在灵敏度不变时可以得到小孔径核孔膜。实验显示,由于孔径不均匀现象的制约,核孔膜的孔径可减小到1／2。温度梯度蚀刻法的分桥表明,导通时间的减小与膜两面的温度差成正比,在实际条件下孔径减小到1／5。模拟计算表明,采用该方法可得到控状孔核孔膜,但蚀刻过程很难控制。     

BSRF上同步辐射深度光刻的实验研究

大结构深度和高深宽比是同步辐射深度光刻的突出优点.提出采用现有掩模,进行多次曝光、显影的方法,实验获得厚2.2mm的胶结构.系列研究掩模、光刻胶、基底、光谱和光强对深宽比的影响,实验获得深宽比104的胶结构.