一种评估液晶显示器件中使用的SiO2膜层性能的新方法

玻璃基片上的ＳｉＯ２膜已在液晶显示器件制造业中得到了广泛应用，ＳｉＯ２膜性能在很大程度上决定了液晶显示器件的化学稳定性及使用寿命，ＳｉＯ２膜致密性及膜厚可由Ｐ－蚀刻法测量出。本文提出了一种评估液晶显示器件中使用ＳｉＯ２膜层性能的简便而又快捷的方法。     

紫外激光SiO2减反膜的制备

介绍溶胶－凝胶制备ＳｉＯ２减反膜的溶液配制，基片清洗和膜层制备过程，利用正硅酸乙酯的碱性催化水解，通过浸入移液法在石英透镜的表面涂敷一层多孔ＳｉＯ２减反膜，涂膜后石英透镜的透过率在３５０ｎｍ波长处达到９８．０％以上。     

非晶Si/SiO2超晶格结构的交流电致发光

设计并用磁控溅射方法制备了非晶Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格结构,以高纯多晶Ｓｉ为靶材,当以Ａｒ＋Ｏ２为溅射气氛时,得到ＳｉＯ２膜,仅以Ａｒ为气氛时,得到Ｓｉ膜。重复地开和关Ｏ２气,便交替地得到ＳｉＯ２和Ｓｉ膜。衬底在靶前往返平移,改变平移的速度或者改变溅射的功率,可以控制膜的厚度。通过透民镜的照片可以看出ＳｉＯ２和Ｓｉ膜具有均匀的周期结构,用低角Ｘ－射线反射谱表征了超晶格的周期结构和各层的厚度。透射光谱表     

离子束溅射沉积Ir膜真空紫外反射特性研究

根据吸收材料基底上单层金属膜数学计算模型,对不同基片上各种厚度的Ir膜真空紫外反射率进行了优化计算.采用离子束溅射沉积技术,在石英、K9玻璃和Si基片上沉积了不同厚度的Ir膜,研究了基片、表面厚度、离子束能量及镀后热处理对Ir膜反射率的影响,在波长120 nm处获得了近30％正入射反射率.     

反应离子镀光学薄膜的微观结构分析

用反应离子镀方法制备了ＴｉＯ２单层膜及ＴｉＯ２／ＳｉＯ２多层膜，用透射电子显微镜分别观察了由反应离子镀方法及传统蒸镀法二种不同工艺制得的ＴｉＯ２单层膜及ＴｉＯ２／ＳｉＯ２多层膜的断面结构，并对ＴｉＯ２单层膜进行了喇曼分析和卢瑟福背散射分析。     

磁控溅射制备Ta2O5／TiO2薄膜及其光学与电学性能的研究

用直流平面磁控溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ和玻璃基片上制备了Ｔａ２Ｏ５／ＴｉＯ２混合薄膜,薄膜的透射光谱研究结果表明,在ＴｉＯ２掺入浓度为０到１７％,薄膜的折射率从２．０８到２．２３。薄膜折射率与掺入ＴｉＯ２的浓度呈近线性关系。薄膜的ＭＯＳ电容器的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ测量表明,经过退火处理能够提高Ｔａ２Ｏ５／ＴｉＯ２混合薄膜的介电常数。     

微波等离子体处理聚乙烯膜的表面结构分析

以ＥＳＣＡ和ＥＰＭＡ等主手段，探讨并比较了微波场下Ｎ２，Ｈｅ，ＣＯ２，Ｏ２，Ｈ２Ｏ及空气放电产生的等离子体对聚乙烯膜的表面改性与蚀刻作用，结果表明不同的等离子处理均使样品表面引入化学形式相同但含量有所不同的含氧（－Ｃ－Ｏ－，－ＣＯ－Ｏ－）和含氮（－ＮＨ－，－ＮＨ２）极性基团，没有生成羰基（Ｃ＝Ｏ）并使样品受到不同程度的蚀刻，处理后的样品表面亲水性增强，其中以Ｎ２和Ｈｅ等离子体处理的样品亲水性提高较     

Y稳定的ZrO2基体上YBa2Cu3O7／SrTiO3／YBa2Cu3O7异质外延三层…

采用磁控溅射方法在（１００）ＹＳＺ基底上沉积了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＳｒＴｉＯ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７异质外延三层膜。利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能，利用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征。研究结果表明，膜层的结晶质量较好，临界转变温度Ｔｃ在８３．５Ｋ和８６．７Ｋ之间。ＹＢＣＯ膜层中的绝大多数甚至全部）晶粒为ｃ取向，在有些膜中只存在少量的ａ或ｂ取向的ＹＢＣＯ晶     

薄SiO_2膜厚度的椭偏测量方法

应用常规椭偏方法测量膜厚小于 ３００Ａ的薄ＳｉＯ２膜厚度时，由于膜的折射率对已知参数比较敏感，因而测量误差较大．本文给出一种薄ＳｉＯ２膜厚度的椭偏测量方法，引入等效入射角的概念，用曲线拟合求交点的办法精确确定了膜的折射率和厚度．     

PbZr0.53Ti0.47O3/SiO2/Si复合薄膜的取向生长及铁电性研究

利用超薄的ＳｉＯ２做缓冲层,用脉冲激光沉积法在Ｓｉ（１００）上制备了具有良好铁电性的高度（１００）取向的ＰＺＴ薄膜．通过对不同条件下在ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）上生长的ＰＺＴ薄膜的研究,分析了ＳｉＯ２厚度、沉积温度、退火时间对ＰＺＴ性能的影响     

透射光谱法测试双面薄膜的光学参数

由于普通的化学气相沉积法制作高掺Sn的二氧化硅薄膜比较容易产生结晶,而溶胶-凝胶法制备薄膜化学组成比较容易控制,可以制作出掺Sn浓度较大的材料。文章采用了溶胶-凝胶的方法制备出了66 mol%和75 mol%两种不同浓度的掺Sn的SiO₂薄膜,用浸渍法多次提拉薄膜以增加薄膜的厚度,之后用紫外-可见分光光度计测量了薄膜的透射光谱。之前基于透射光谱的方法计算玻璃基底上薄膜的光学参数都是针对单面薄膜,该文针对浸渍法产生的双面薄膜,建立了相对应的薄膜模型,并分别用包络线法计算出了两种不同薄膜样品的光学参数。计算结果表明两种不同薄膜样品的折射率随着波长的增加而增加,薄膜的厚度都为900 nm左右。     

Antireflection microstructures fabricated upon fluorine-doped SiO(2) films

Two-dimensional periodic structures were fabricated upon a fluorine-doped SiO(2) film in which the fluorine content changed gradually in the direction of film thickness. The films were deposited by plasma-enhanced chemical-vapor deposition. The film was periodically patterned into a 1-mum period and an ~1-mum -groove depth by inductive coupled plasma reactive-ion etching followed by chemical etching in a diluted HF solution. A surface reflectance of 0.7% was attained at 1.85-mum wavelength, a value that is one fifth as large as the 3.5% Fresnel reflection of a SiO(2) substrate with a flat surface.     

ZrO2/SiO2溶胶-凝胶薄膜膜层间的渗透行为

 分别以丙醇锆和正硅酸乙酯为原料，采用溶胶-凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO₂和SiO₂溶胶。用旋转镀膜法在K9玻璃上分别制备了单层SiO₂薄膜、单层ZrO₂薄膜、ZrO₂/ SiO₂双层膜和SiO₂/ZrO₂双层膜。采用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌，用椭偏仪测量薄膜的厚度与折射率，用紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透射率。对薄膜的透射光谱和椭偏仪模拟的数据进行分析，发现SiO₂/ZrO₂双层膜之间的渗透十分明显，而ZrO₂/SiO₂双层膜之间几乎不发生渗透。利用TFCalc模系设计软件,采用三层膜模型对薄膜的透射率进行模拟，得出的透射曲线与用紫外-可见光分光光度计测量的透射曲线十分符合。     

ZnO/SiO2 复合薄膜的光学性能

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备ZnO/SiO₂复合薄膜,分别用XRD、TEM、SEM对样品的结构和形貌进行表征,并研究了不同ZnO含量对复合薄膜透过率及荧光特性的影响。结果表明,样品经500 ℃退火处理生成了SiO₂和ZnO,其晶粒尺寸为18.7 nm,薄膜具有双层结构。复合薄膜的透过率随着其中ZnO含量的增加而降低,禁带宽度减小,光学吸收边红移。样品在355 nm波长激发下产生了384 nm的紫外发射峰和440 nm的蓝光发射带,并随ZnO含量的增加而增强,它们分别来自ZnO的电子-空穴复合发光和缺陷发光,及ZnO/SiO₂复合薄膜双层结构的缺陷发光。     

ZrO_2/SiO_2溶胶-凝胶薄膜膜层间的渗透行为

分别以丙醇锆和正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO2和SiO2溶胶。用旋转镀膜法在K9玻璃上分别制备了单层SiO2薄膜、单层ZrO2薄膜、ZrO2/SiO2双层膜和SiO2/ZrO2双层膜。采用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌,用椭偏仪测量薄膜的厚度与折射率,用紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透射率。对薄膜的透射光谱和椭偏仪模拟的数据进行分析,发现SiO2/ZrO2双层膜之间的渗透十分明显,而ZrO2/SiO2双层膜之间几乎不发生渗透。利用TFCalc模系设计软件,采用三层膜模型对薄膜的透射率进行模拟,得出的透射曲线与用紫外-可见光分光光度计测量的透射曲线十分符合。     

A novel trilayer antireflection coating using dip-coating technique

We report a new structure for broadband antireflection coating by dip-coating technique, which has minimal cost and is compatible with large-scale manufacturing. The coatings are prepared by depositing SiO 2 sol-gel film on a glass substrate, subsequently depositing SiO 2 single-layer particle coating through electrostatic attraction, and depositing a final very thin SiO 2 sol-gel film to improve the mechanical strength of the whole coating structure. The refractive index of the structure changes gradually from the top to the substrate. The transmittance of a glass substrate has been experimentally found to be improved in the spectral range of 400 1 400 nm and in the incidence angle range from 0 to at least 45 . The mechanical strength is immensely improved because of the additional thin SiO 2 sol-gel layer. The surface texture can be applied to the substrates of different materials and shapes as an add-on coating.     

一种可溯源的光谱椭偏仪标定方法

提出了一种用X射线反射术标定光谱椭偏仪的方法.作为一种间接测量方法,光谱椭偏术测得的薄膜厚度依赖于其光学常数,不具有可溯源性.在掠入射条件下,X射线反射术能测得薄膜的物理厚度,测量结果具有亚纳米量级的精密度且与薄膜光学常数无关.在单晶硅基底上制备了厚度分别为2nm,18nm,34nm,61nm及170nm的SiO2薄膜标样,并用强制过零点的直线拟合了两种方法的标样测量结果,拟合直线的斜率为1.013±0.013,表明该方法可在薄膜厚度测量中标定光谱椭偏仪.     

Formations and morphological stabilities of ultrathin CoSi₂ films

In this paper we investigate the formations and morphological stabilities of Co-silicide films using 1-8-nm thick Co layers sputter-deposited on silicon(100) substrates.These ultrathin Co-silicide films are formed via solid-state reaction of the deposited Co films with Si substrate at annealing temperatures from 450℃ to 850℃.For a Co layer with a thickness no larger than 1 nm,epitaxially aligned CoSi2 films readily grow on silicon(100) substrate and exhibit good morphological stabilities up to 600℃.For a Co layer thicker than 1 nm,polycrystalline CoSi and CoSi2 films are observed.The critical thickness below which epitaxially aligned CoSi2 film prevails is smaller than the reported critical thickness of the Ni layer for epitaxial alignment of NiSi2 on silicon(100) substrate.The larger lattice mismatch between the CoSi2 film and the silicon substrate is the root cause for the smaller critical thickness of the Co layer.     

石英衬底上GaN薄膜沉积及其光学性能的研究

GaN薄膜材料广泛应用于发光二极管(LED),激光二极管(LD)等光电器件。但是GaN基器件的制备与应用以及器件推广很大一部分取决于其器件的价格,常用的方式是在单晶蓝宝石衬底上沉积制备GaN薄膜样品,单晶蓝宝石衬底晶向择优,可以制备出高质量的GaN薄膜样品,但是单晶蓝宝石衬底价格昂贵,一定程度上限制了其GaN基器件推广使用。如何在廉价衬底上直接沉积高质量的GaN薄膜,满足器件的要求成为研究热点。石英玻璃价格廉价,但是属于非晶体,没有择优晶向取向,很难制备出高质量薄膜样品。本研究采用等离子体增强金属有机物化学气相沉积系统在非晶普通石英衬底上改变氮气反应源流量低温制备GaN薄膜材料。制备之后采用反射高能电子衍射谱、X射线衍射光谱、室温透射光谱和光致光谱对制备的薄膜进行系统的测试分析。其结果表明：在氮气流量适当的沉积参数条件下,所制备的薄膜具有高C轴的择优取向,良好的结晶质量以及优异的光学性能。