在C70固体/p-GaAs结构中的甚深深能级

发展了恒温电容瞬态数据处理方法，称新方法为恒温电容瞬态时间积谱(ICTTS).用ICT TS方法测量分析了C₇₀固体/p GaAs异质结的深能级，结果发现在C₇₀固体中存在两个很深的空穴陷阱，H C₁和H₂，它们的能级位置分别为Ev⁺⁰856eV和 Ev+1037eV. 关键词： 70')" href="#">C₇₀ 深能级 恒温电容瞬态     

气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10~(-15)cm~2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10~(-17)cm~2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。     

C2H4在Ru(10(1-)0)表面吸附与分解的研究

用X射线电子能谱(XPS)、热脱附谱(TDS)和紫外光电子能谱(UPS)方法研究了乙烯(C2H4)在Ru(10(1-)0)表面的吸附,在低温下(200K以下)乙稀(C2H4)可以在Ru(10(1-)0)表面上以分子状态稳定吸附,在200K以上乙烯(C2H4)则发生了脱氢分解反应.TDS结果表明乙烯(C2H4)分解后的主要产物为乙炔(C2H2).乙烯(C2H4)分解后C的1s能级向低结合能方向移动了0.3eV,而价态σCC和σCH轨道能级向高结合能方向分别移动了0.5和1.1eV.     

光电容法研究电子辐照GaP中的深能级

本文提出含多个深能级响应的光电容瞬态分析方法:在不考虑各能级之间电子、空穴跃迁的条件下,可出“多指数过程分离法”,将总的瞬态过程分离为各能级上指数型瞬态过程之和.运用这一方法,对lMeV(4×1015cm-2电子辐照GaP LED进行了定态和两种注入条件的瞬态光电容测量,观察到H1、H2、H3三个空穴能级(0.51、0.75、1.15eV)和E1、E2、E3、E4四个电予能级(0.68、0.84、0.89、1.01eV),并得到各能级的光离化截面谱.外量子效率及发射谱测量结果表明;电子辐照引入的深能级(H1-H3,E1-E4)表现出无辐射复合中心的性质.     

中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷

利用深能级瞬态谱(简称DLTS),恒温下瞬态电容技术及红外吸收光谱,研究了中子辐照氢气氛中生长的n型区熔硅。相应于间隙氢的红外吸收谱带中子辐照后强度减弱。首次观察到未经退火就出现了能级为E_c=0.20eV的一个新的缺陷——Z中心,由于该中心的能级很接近于A中心,而浓度又较A中心低得多,通过改变中子剂量使费密能级处于A中心以下几个kT处,才能精确地测定Z中心的DLTS峰所在的温度。根据实验判断Z中心很可能是氢与空位的复合物,讨论了它的可能电子结构。 关键词：     

GaAsP混晶中的DX中心

用高分辨率深能级瞬态谱、光照深能级瞬态谱及光电容谱方法,对不同组份的掺Te的GaAsP混晶进行了实验研究,结果表明,所有被测样品中同时存在三种施主深能级,其热发射激活能各为0.18,0.28,0.38eV.通过仔细测量与分析它们的电学和光学性质后,认为它们是由Te施主杂质形成的三种类DX中心,可能对应于Te运动会替位施主的不同原子构形. 关键词：     

部分气体双原子分子的完全振动能谱和离解能的精确研究

鉴于气体双原子分子H2、O2、N2和CO的高振动激发态能级和离解行为在实际研究中的重要性,本文应用代数方法(AM)和代数能量方法(AEM),以部分气体双原子分子有限的实验能级[Ev]为基础,获得了H2-X1∑ g、O2-A3∑ u、O2-c1∑-u、N2-X1∑ g和CO-X1∑ 共5个电子态的完全振动能谱{Ev}及其分子的离解能,为研究部分离解气体的物理和化学性质提供了重要的高振动激发态能级和可靠的离解能数据.     

双异质结AlxGa1-xAs/GaAs发光管中与氧有关能级的测量

用DLTS和单次脉冲瞬态电容技术研究了液相外延生长的双异质结AlxGa1-xAs/GaAs发光管,掺Si的n-Al0.05Ga0.95As有源层中的深能级。着重分析了一个与氧有关的电子陷阱,其发射激活能为EC-ED=0.29eV。我们发现该电子陷阱随正向注入脉冲宽度tp的增加DLTS峰向低温移动,即在确定的温度下发射率随tp的增加而增加。用DLTS首次测得该能级的俘获瞬态谱,发现俘获峰随反向撤空脉冲宽度tR的增加向低温端移动,即在确定的温度下俘获率随tR的增加而增加,并且俘获激活能从△Eσ=0.28eV变化到0.26eV,用位形坐标图讨论了引起变化的原因。     

分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

分别应用光致发光、电容电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的011eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.     

分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.     

金属锡表面吸附氢同位素的量子力学计算

根据原子分子反应静力学与群论,确定了H2、D2和T2的基电子状态为1∑+g(D∞v),SnH、SnD和SnT的基电子状态为2∑+( C∞v).应用基函数SDD**和6-311G**,密度泛函B3P86方法,计算了氢同位素分子及其锡化物的结构、能量E、定容热容Cv和熵S.H2 (D2, T2) ,SnH(D , T)和SnH2(D2, T2)的基电子状态分别为1∑+g(D∞h ),2∑+(C∞v)和3B1(C2v).H2、D2和T2的离解能为4.591 8 eV,SnH(D, T)分子的离解能为2.714 7 eV,SnH2(D2, T2)分子的离解能为4.833 9 eV.用总能量中的电子和振动能量近似代表SnHn、SnDn和SnTn(n=1,2)分子处于固态时的能量,用总熵中的电子和振动熵近似代表SnH、 SnD和SnT分子处于固态时的熵,从而计算了锡与H2、D2和T2反应过程的△Hf°,△Sf°,△Gf°和平衡压力, 并导出他们与温度的函数关系.X     

Additivity rule for electron scattering on hydrocarbon molecules—considering two different shielding effects

Considering the overlapping among atoms in the molecule and the not full transparency of the molecule by electron, we propose a new formulation of the additivity rule (AR). Here the new AR is employed to calculate the total cross sections (TCS) for electron scattering on hydrocarbon molecules C_2H_2, C_2H_4, C_2H_6, and C_3H_8 over an incident energy range of 10－2000eV. The results are compared with the experimental data and other available theoretical calculations. This gives good agreement.     

Molar volume, thermal expansivity and isothermal compressibility of trans-decahydronaphthalene up to 200MPa and 446K

The molar volume isotherms of trans-decahydronaphthalene （C10H18） between 293 and 446 K and at pressures from 10 to 200 MPa have been determined. A modified Tait equation of state is used to fit each experimental molar volume isotherm with a maximum average deviation of 0.029%. The thermal expansivity （cubic expansion coefficient） α and isothermal compressibility κ were determined by fitting the slopes of the isobaric curves and isotherms, respectively. The coefficients in the equation Vm=C1＋C2T＋C3T^2-C4p-C5pT have been fitted with an average deviation of 1.03%.     

Double correlation technique (DDLTS) for the analysis of deep level profiles in semiconductors

A very sensitive technique is presented which can be applied to determine deep level profiles in space-charge layers of Schottky barriers orpn-junctions. The method uses an extended transient capacitance technique with correlation similar to Lang's DLTS technique. The extension of DLTS to double correlation DDLTS is necessary to resolve the deep level profile and to exclude the field dependence of the capture cross-section and contact effects. By using a double-pulse capacitance transient and correlation, these undesired effects can be subtracted. Profiles can be determined for deep levels at concentrations 10⁴ times lower than the background doping. Results are reported for epitaxial GaAs which showed one major deep level at 0.18 eV below the conduction band. Near the interface to the substrate, a slight shift in energy from 0.18 to 0.19 eV is observed. A second level at 0.43 eV decays into the epi-layer in the form of a diffusion tail.     

Dissociation of H_2 on Mg-coated B_(12)C_6N_6

The dissociation of H_2 molecule is the first step for chemical storage of hydrogen, and the energy barrier of the dissociation is the key factor to determine the kinetics of the regeneration of the storage material. In this paper, we investigate the hydrogen adsorption and dissociation on Mg-coated B_(12)C_6N_6. The B_(12)C_6N_6 is an electron deficient fullerene, and Mg atoms can be strongly bound to this cage by donating their valance electrons to the virtual 2p orbitals of carbon in the cluster. The preferred binding sites for Mg atoms are the B_2C_2 tetragonal rings. The positive charge quantity on the Mg atom is 1.50 when a single Mg atom is coated on a B_2C_2 ring. The stable dissociation products are determined and the dissociation processes are traced. Strong orbital interaction between the hydrogen and the cluster occurs in the process of dissociation, and H_2 molecule can be easily dissociated. We present four dissociation paths, and the lowest energy barrier is only 0.11 eV, which means that the dissociation can take place at ambient temperature.     

新型镧配合物的合成与荧光性质

在氮气保护下,以无水乙醇为溶剂,制备了硝酸镧与4-氨基-1,2,4-三氮唑缩对二甲氨基苯甲醛(L)配合物,单晶结构分析确定其组成为LaL_3(NO_3)_3·(H_2O)_2·(C_2H_5OH)_2,配合物中La~(3+)分别与3个硝酸根、2个水分子和2个分子乙醇中的氧原子配位,配位数为10,并与4-氨基-1,2,4-三氮唑缩对二甲氨基苯甲醛以氢键形式结合形成立体结构分子.通过元素分析、红外光谱、固体荧光光谱等手段对合成的配体及配合物进行了表征.实验结果表明,4-氨基-1,2,4-三氮唑缩对二甲氨基苯甲醛是一种多晶粉末状的发光材料,固体荧光谱图显示荧光发射峰在451 nm处,为蓝色荧光,色纯度高,荧光量子效率高,而合成的配合物的荧光发射峰则红移至464 nm左右,同时荧光强度显著增强近一倍.     

外电场作用下乙炔分子的激发态研究P

本文采用密度泛函方法(B3LYP)和组态相互作用原理(CIS)在6-311++G**水平上研究了外电场对乙炔分子的激发态的影响规律,结果表明,外电场的大小和方向对乙炔分子的激发态都有明显的影响,沿分子方向的外加电场对分子偶极矩的影响比垂直于分子方向的外加电场更大.     

若丹明6G共振增强苯(C6H6)的受激拉曼散射实验研究

报道了若丹明6G乙醇溶液中苯的受激拉曼散射Stokes波共振放大的实验研究.在特定的染料溶液浓度下,1阶、2阶Stokes波得到有效放大,放大倍数分别为3.81和6.1.对荧光共振放大SRS的物理机制进行了分析讨论.     

偏二甲肼在氟化镁涂层表面的吸附与反应

研究了偏二甲肼在氟化镁涂层表面的吸附和化学反应情况.首先用液相或气相偏二甲肼沾染氟化镁涂层表面,再将涂层置于真空环境足够长时间,然后通过对比沾染前、后涂层表面的红外吸收光谱、X射线光电子能谱和漫反射率,了解涂层表面的吸附状况和性能变化.实验表明,覆盖于氟化镁涂层表面的偏二甲肼液膜分子,在真空环境下充分脱附的时间约为2h,充分脱附后的涂层表面只有单层化学吸附存在,其质量密度约为27ng/cm2,实验后氟化镁涂层表面的漫反射率下降了10%～15%;在-10℃的偏二甲肼饱和蒸气中沾染10min后,氟化镁涂层表面的原子组成和漫反射率变化很小,红外吸收光谱也没有偏二甲肼特征峰出现.     

对二氯苯喇曼谱用于激光喇曼分光计中杂散光的半定量测试

本文详细研究了近波数区(20cm~(-1)附近)对二氯苯喇曼谱峰背比与激光喇曼分光计中杂散光的定量关系,并在此基础上提出了一种测试激光喇曼分光计中杂散光的半定量方法。