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采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致 发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的 研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普 通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaA s量子点的限制作用,同时切断了载流子的
关键词:
InGaAs量子点
InAlAs浸润层
PL谱 相似文献
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