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| GaAsP混晶中的DX中心 | |
| 引用本文： | 张元常,黄启圣,康俊勇,吴正云,余辛.GaAsP混晶中的DX中心[J].物理学报,1995,44(8):1256-1262. |
| 作者姓名： | 张元常 黄启圣 康俊勇 吴正云 余辛 |
| 作者单位： | 厦门大学物理系,厦门361005 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金红外物理国家重点实验室资助的课题. |
| 摘 要： | 用高分辨率深能级瞬态谱、光照深能级瞬态谱及光电容谱方法,对不同组份的掺Te的GaAsP混晶进行了实验研究,结果表明,所有被测样品中同时存在三种施主深能级,其热发射激活能各为0.18,0.28,0.38eV.通过仔细测量与分析它们的电学和光学性质后,认为它们是由Te施主杂质形成的三种类DX中心,可能对应于Te运动会替位施主的不同原子构形.
关键词： |
| 关 键 词： | GaAsP 混晶 DX中心 |
| 收稿时间： | 6/1/1994 12:00:00 AM |
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