γ射线辐照氢气氛生长硅产生的Si—H中心红外吸收带及其指认

用Fourier变换红外吸收光谱(FT-IR)和深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了γ射线辐照与中子辐照硅,发现γ射线辐照单晶硅中双空位的产生率很低,可以用它帮助鉴别辐照点缺陷。γ射线辐照氢气氛生长硅产生的Si—H中心伸缩振动吸收带数目较中子辐照的为少,只产生了1832,2054和1980cm^-1三条新的谱带。本文讨论了它们的模型并估算了它们的光吸收截面。     

中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷

利用深能级瞬态谱(简称DLTS),恒温下瞬态电容技术及红外吸收光谱,研究了中子辐照氢气氛中生长的n型区熔硅。相应于间隙氢的红外吸收谱带中子辐照后强度减弱。首次观察到未经退火就出现了能级为E_c=0.20eV的一个新的缺陷——Z中心,由于该中心的能级很接近于A中心,而浓度又较A中心低得多,通过改变中子剂量使费密能级处于A中心以下几个kT处,才能精确地测定Z中心的DLTS峰所在的温度。根据实验判断Z中心很可能是氢与空位的复合物,讨论了它的可能电子结构。 关键词：     

中子辐照氢气氛生长硅的红外吸收

用傅里叶变换红外吸收光谱技术测量了中子辐照氢气氛生长区熔硅在1800—2300cm^-1和400—1200cm^-1频段的吸收光谱。给出了较强谱带的退火曲线。与质子注入硅的红外光谱及中子辐照氢气氛生长硅的深能级瞬态谱结果相比较,讨论了相应于一些谱带的硅氢中心的可能结构。 关键词：     

深能级瞬态谱仪

一、引 言 众所周知,如果在半导体中存在着某些杂质或缺陷,相应地在半导体的禁带中就出现一些能级.离开导带底较远或者离开价带顶较远的能级,都称为深能级.深能级的存在对于半导体的电学、光学和热学性质都有深刻的影响.对二极管和晶体管的开关特性与击穿特性,对发光二极管及半     

硅中的辐照点缺陷

点缺陷是指晶体中一个原子尺度的缺陷.半导体中的点缺陷包括晶格空位、间隙原子、化学杂质以及它们的复合物.由于这些缺陷的存在,使半导体晶格周期性的规则排列遭到破坏,因而往往在禁带中引入能级.半导体的许多重要性质与杂质和缺陷紧密相关,因而它们是半导体研究中基本的和重要的课题之一. 近一二十年来,硅中点缺陷的研究有了显著进展.这是因为电子顺磁共振技术、结谱法以及光学测量等得到成功的应用.用电子顺磁共振技术(EPR)可以测定具有顺磁性的点缺陷的原子组态、电子结构及其点群对称性,在此基础上又发展了电子-核磁双共振(ENDOR)…     

原子氢、氘钝化以及质子注入掺杂硅的红外吸收

用FTIR研究了原子氢、原子氘钝化掺硼硅以及质子注入掺杂单晶硅,当原子氘钝化条件不同时分别产生了1360cm^-1和1263cm^-1的[BD]对局域振动模红外吸收带,这表明氘在单晶硅的硼受主邻近有两种可能的状态。质子注入掺杂硅的红外吸收光谱与不掺杂硅的明显不同,氢原子优先结合于硼的附近,注入氢仅约1%生成光效的缺陷,而绝大部份生成无光效的中心,它们可能是氢分子。 关键词：