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1.
高端芯片制造所需要的极紫外光刻技术位于我国当前面临35项"卡脖子"关键核心技术之首.高转换效率的极紫外光源是极紫外光刻系统的重要组成部分.本文通过采用双激光脉冲打靶技术实现较强的6.7 nm极紫外光输出.首先,理论计算Gd18+—Gd27+离子最外层4d壳层的4p-4d和4d-4f能级之间跃迁、以及Gd14+—Gd17+离子最外层4f壳层的4d-4f能级之间跃迁对波长为6.7 nm附近极紫外光的贡献.其后开展实验研究,结果表明,随着双脉冲之间延时的逐渐增加,波长为6.7 nm附近的极紫外光辐射强度呈现先减弱、后增加、之后再减弱的变化趋势,在双脉冲延时为100 ns处产生的极紫外光辐射最强.并且,在延时为100 ns处产生的光谱效率最高,相比于单脉冲激光产生的光谱效率提升了33%.此外,发现双激光脉冲打靶技术可以有效地减弱等离子体的自吸收效应,获得的6.7 nm附近极紫外光谱宽度均小于单激光脉冲打靶的情形,且在脉冲延时为30 ns时刻所产生的光谱宽度最窄,约为单独主脉冲产生极紫外光谱宽度的1/3.同时... 相似文献
2.
Rui Feng Zi-Ying Li Zhao-Quan Yao Zi-Ang Guo Yi-Nan Zhang Hao-Xiang Sun Wei Li Xian-He Bu 《中国科学:化学(英文版)》2022,65(1):128-134
The rational designability and chemical tunability of metal-organic frameworks(MOFs)are enabling tributes to efficaciously enhance their room temperature phosphorescence(RTP)performance.A family of stable anionic MOFs,[Zn2(4,5-ImDC)2]M2(NKU-132,M=(CH3)2NH2or(CH2CH3)2NH2),featuring significant RTP have been synthesized.By rational cation selection and in-situ replacement from dimethylammonium to diethylammonium,the phosphorescence lifetime is increased from 30.88 to126.3 ms,along with less sensitivity to air.This work provides an anti-quenching and lifetime tuning example for RTP-MOFmaterials via facile host-guest chemistry. 相似文献
3.
4.
Hierarchical motion planning at the acceleration level based on task priority matrix for space robot
Nonlinear Dynamics - A capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) due to many benefits is being considered as an imaging and therapeutic technology recently. The critical challenge is to... 相似文献
5.
Zhao Tianqi Luo Tianzi Fang Bo Shi Lijiang Jin Yongxing Zhou Pengwei Yao Dong Li Chenxia Jing Xufeng Hong Zhi 《Journal of Russian Laser Research》2021,42(5):586-597
Journal of Russian Laser Research - The zero-refractive-index metamaterials have excellent electromagnetic properties, which provide new ideas and methods to realize the control of electromagnetic... 相似文献
6.
BIT Numerical Mathematics - In this paper, a new kind of multigrid method is proposed for the ground state solution of Bose–Einstein condensates based on Newton iteration scheme. Instead of... 相似文献
7.
研究了Delannoy数与Schr?der数.利用分析方法和组合技巧,建立了任意多个Delannoy数乘积的一些和式公式,并对Schroder数的和式公式进行了类似的研究. 相似文献
8.
利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜,研究了退火气氛(v(N2)∶v(O2)=1∶1(体积比)、空气和N2)及退火时间对Ga2O3薄膜晶体结构、表面形貌和光学性质的影响。研究结果表明,退火前的氧化镓处于亚稳态,不同退火气氛下退火后晶体结构发生明显改变,而且退火气氛中N2比例增加有利于Ga2O3重结晶。在N2气氛下退火达到30 min,薄膜结构已由亚稳态转变成择优取向的β-Ga2O3。而且表面形貌分析表明,退火30 min后表面形貌开始趋于稳定,表面晶粒密度不再增加。另外实验样品在 400~800 nm的平均透射率几乎是100%,且光吸收边陡峭。采用N2气氛退火,对于富氧环境下沉积的Ga2O3更利于薄膜表面原子迁移,以及择优取向Ga2O3重结晶。 相似文献
9.
为了改善GaN HEMT的自热效应,集成高热导率的金刚石衬底有助于增强器件有源区的热量耗散。然而,化学气相淀积(CVD)生长的多晶金刚石(PCD)具有柱状晶粒结构,导致了各向异性的材料热导率,且其热导率值与生长厚度有关。为此,通过建模金刚石生长过程中晶粒尺寸的演变过程,计算了金刚石沿面内和截面方向的热导率。基于该PCD热导率模型,利用计入材料非线性热导率的GaN器件热阻解析模型,计算得到了GaN HEMT沟道温度的波动范围,并分析了其与器件结构(栅长、栅宽、栅间距、衬底厚度)和功耗的依赖关系。最后,通过与有限元(FEM)仿真结果对比,分区域提取了GaN HEMT器件中PCD衬底的有效热导率,分别为260~310 W/(m·K)和1 250~1 450 W/(m·K)。本文的计算为预测金刚石衬底上GaN HEMT器件的沟道温度提供了快速、有效的方法。 相似文献
10.
Ding Q. Yao M. Wu Sh. Zeng M. Xue N. Wu D. Xu J. 《Journal of Applied Spectroscopy》2022,89(4):712-718
Journal of Applied Spectroscopy - Based on partial least squares (PLS) analysis, the effects of different smoothing points and different preprocessing methods on the accuracy and precision of the... 相似文献