常规速调管空间功率合成微波源

基于常规速调管,研制了用于开展空间功率合成实验的微波源系统。介绍了50 MW超大功率速调管发射机的系统组成、大功率速调管、相位控制及高功率测试系统等。重点阐述了超大功率速调管发射机的关键技术,并针对超大功率发射机的设计难点提出了具体的解决方案。为提高超大功率发射机的可靠性,设计了基于绝缘栅双极晶体管（IGBT）的感应叠加型全固态调制器。给出了超大功率发射机的测试结果,并探讨了超大功率速调管发射机的改进方法。最后对基于常规速调管,研制用于空间功率合成微波源系统的发展进行了展望。     

Photoluminescence of a ZnO/GaN Heterostructure Interface

Growth of a ZnO/GaN heterostructure is carried out using pulsed laser deposition. By etching the ZnO layer from the ZnO/GaN structure, the photoluminescence （PL） of the associated GaN layer shows that the donor- acceptor luminescence of CaN shifts to about 3.27eV, which is consistent with the electroluminescence （EL） of n-ZnO/p-GaN already reported. XPS shows that oxygen diffuses into the CaN crystal lattice from the surface to 20nm depth. The PL spectra at different temperatures and excitation densities show that oxygen plays the role of potential fluctuation. The associated PL results of the interface in these LEDs could be helpful to understand the mechanism of EL spectra for ZnO/CaN p-n junctions.     

2-((2-氧代丙基)硒基)-N-(4-乙基苯基)苯甲酰胺的合成、晶体结构及抑癌活性

以2-氯硒基苯甲酰氯为原料,合成了2-((2-氧代丙基)硒基)-N-(4-乙基苯基)苯甲酰胺（3）,其结构经¹H NMR、 ¹³C NMR、 HR-MS（ESI）和XRD表征。结果表明：3（CCDC: 1944723）属单斜晶系,P2₁/c空间群,晶胞参数为a=18.0933(6) Å, b=9.4337(2) Å, c=9.8684(3) Å, β=91.797(3)°, V=1683.57(8) ų, Z=4, D_c=1.421 g/cm³, F(000)=736.0, R_gt(F)=0.0422, wR_ref(F²) =0.1145, S=1.028, μ=3.068 mm¹。用MTT法测得3（100 μg/mL）对食管癌细胞（EC109）的体外增殖抑制率为14.94±0.60%。      

关于广义线性模型拟似然估计弱相合性的几个问题

基于响应变量一维时广义线性模型$\E(\,y\,|X)= \mu(X’\beta)$的拟似然方程$\sum_{i=1}^n X_i(y_i-\mu(X_i’\beta))=0$, 研究了其拟似然估计的弱相合性及其他性质. 在误差$\{e_i=Y_i-\mu(X_i’\beta_0),1\leqslant i\leqslant n\}$不相关及其他条件下, 证明了 $\hat{\beta}_n-\beta_0=O_p(\underline{\lambda}_n^{-1/2})$, 其中 $\hat{\beta}_n$为上述拟似然方程的一个解, β₀ 为参数 β的真值, $\underline{\lambda}_n$ 为矩阵$S_n=\sum_{i=1}^nX_iX_i’$的最小特征值. 进一步, 在误差独立且不含渐近退化子列及其他条件下, 证明了上述收敛速度是确切的. 此外, 平行于Drygas (1976)关于线性回归模型的一个经典结果, 证明了对于广义线性模型, 为保证拟似然估计的弱相合性的必要条件 是当$n\to\infty$时, $\,S_n^{-1}\to 0$.     

单个铂酞菁分子在正负偏压激发下的电致发光特性研究

本文利用扫描隧道显微镜诱导发光技术,系统地研究了铂酞菁分子在正负偏压激发下的电致发光行为及其相关的电子激发机制. 铂酞菁分子在正负偏压激发下均可以发光,但发光特征有所不同. 在负偏压激发下,观察到了源于中性PtPc分子LUMO→HOMO跃迁的峰位在637 nm处的荧光峰. 荧光强度在三个不同的激发区域呈阶梯状增加. 当激发偏压处于区域(I)时,可以产生较强的荧光,其主导激发机制是载流子注入激发机制;当激发偏压处于区域(II)时,可以产生中等发光强度的荧光,其主导激发机制是非弹性电子散射激发机制;当激发偏压处于区域(III)时,激发电子能量小于荧光光子能量,存在上转换现象,荧光峰非常弱,其激发过程需要自旋三重态作为中继态,并由载流子注入和非弹性电子散射两种机制共同作用产生. 在正偏压激发下,分子的电致发光光谱特征变得更加复杂,具有多个发光峰. 911 nm处的尖锐发光峰起源于PtPc^-阴离子的LUMO+1→LUMO跃迁,其激发主要是由载流子注入激发机制主导.     

应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究

对化学气相沉积(MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光(PL)光谱进行了测量，用Raman光谱和x射线衍射(XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定，通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的影响，从而研究Mg掺杂对p型GaN的DAP跃迁影响规律. 关键词： 光致发光 应力 Raman光谱     

金刚石薄膜在多晶铜和磷脱氧铜基片上的生长

分别采用99.99%的多晶铜片和99.95%的磷脱氧铜片作为沉积金刚石薄膜的基片，通过热丝化学汽相沉积法在两种基片上都获得了大面积、自支撑的多晶金刚石膜.使用高分辨率光学显微镜、扫描电子显微镜、Raman光谱和X射线衍射比较分析了两种铜基片上的金刚石膜.脱氧铜上的金刚石膜质量并不亚于多晶铜上的金刚石膜，而且它的成核密度、生长速率以及应力都高于多晶铜上金刚石膜的同类参数.特别采用了退火工艺和优化的生长条件来获得大面积的连续金刚石膜. 关键词：     

2-((2-氧代丙基)硒基)-N-(2，4，6-三甲基)苯甲酰胺的合成、晶体结构及抑癌活性

以2-氯硒基苯甲酰氯为原料,合成了2-((2-氧代丙基)硒基)-N-(2,4,6-三甲基)苯甲酰胺（3）,其结构经¹H NMR、¹³C NMR、 HR-MS（ESI）和XRD表征。结果表明：3（CCDC: 1944721）属于单斜晶系,P2₁/c空间群,晶胞参数为a=23.3910(4)Å,b=8.30202(2)Å,c=9.21781(19)Å,β=90.3953(18)°,V=1789.98(7)ų,Z=4,Dc=1.389g/cm³,F(000)=768.0,R_gt(F)=0.0404,wR_ref(F²)=0.1172,S=1.035,μ=2.906 mm¹。用MTT法测得3（100 μg/mL）对食管癌细胞（EC109）的体外增殖抑制率为21.31±1.04%。      

金刚石薄膜的蓝光发射

利用氮化铝陶瓷作为衬底，在不同甲烷与氢气的配比流量下，利用热丝ＣＶＤ方法制备了一个系列的金刚石薄膜，通过测量样品在４３０ｎｍ处的光致荧光（ＰＬ）谱及其Ｒａｍａｎ光谱，给出了金刚石薄膜的结构与生长信息，薄膜ＰＬ强度随甲烷浓度增加到３％时达到最大，继续增加了甲烷浓度ＰＬ强度下降。     

氮气氛下(100)织构金刚石薄膜的成核与生长研究

利用热丝化学气相沉积法研究了氮气浓度对金刚石薄膜成核和生长的影响.实验发现氮气的 加入对金刚石成核密度影响不大,但促进了已形成的金刚石核的长大.适量的氮气不仅使金 刚石生长速率得到很大的提高,而且稳定了金刚石薄膜(100)面的生长,使金刚石薄膜具有 更好的(100)织构.利用原位光发射谱对衬底附近的化学基团进行了研究.研究表明,氮气的 引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变化.含氮基团的萃取作用提高 了金刚石表面氢原子的脱附速率,从而提高了金刚石膜的生长速率.而含氮基团的选择吸附 使金刚石 关键词： 氮气 金刚石薄膜 织构 原位光发射谱