Y-Ba-Cu-O的电阻与热电势率

在77一310K温区内测量了三个典型的Y-Ba-Cu-O样品的电阻(R)、热电势率(S)与温度(T)的关系,发现R-T曲线与S-T曲线有对应关系,但热电势率对载流子输运过程的反应比电阻灵敏得多。由实验结果可得出结论:Y-Br-Cu-O体系靠近带界处的Fermi面是畸变的,样品的Debye温度远大于300K。     

记录光强变化对光折变晶体多重存储衍射效率均匀性的影响

光折变晶体多重存储中,为获得均匀的衍射效率,要根据记录晶体的时间常数计算相继写入全息图的曝光时间,而晶体的时间常数是记录光强的幂函数.本文分析了光强变化对衍射效率的影响.结果表明,对曝光时间加以适当修正,可补偿光强变化对衍射效率均匀性的影响.     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶a-b平面热电势率的各向异性

测量了Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶a方向的热电势率Sa和b方向的热电势率Sb与温度T的关系,发现在a-b平面内热电势率存在各向异性。认为Sa与Sb的差异来源于b方向的调制结构,并用扩散热电势率Sd,声子曳引热电势率Sg和相关跳跃热电势率Sh三种贡献,对实验结果进行了解释。     

1,3-二(乙氧基甲基)-5-N,N-二甲氨基-6-甲基尿嘧啶的合成

报道了1,3-二(乙氧基甲基)-5-N,N-二甲氨基-6-甲基尿嘧啶方便、高产率的合成方法. 以6-甲基尿嘧啶(1)为起始物, 经硝化、嘧啶N¹,N ³-烷基化、还原及氨基甲基化, 首次高产率合成了1,3-二(乙氧基甲基)-5- N,N -二甲氨基-6-甲基尿嘧啶(5), 并对其化学结构进行了表征.     

壳模型对143Pm核跃迁几率的计算

原子核跃迁几率理论计算和实验对比是分析描述原子核内部结构的主要手段之一。目前采用重离子核反应观测到^143Pm核（Z=61，N=82）高自旋能级结构:激发态最大能级达x=8397．6keV，对应自旋J=47／2（h=1）。利用核壳模型在计算^143Pm核能级结构及对应的自旋宇称基础上，系统地对其γ级联跃迁链以及纯E2跃迁进行了计算，并与实验数据进行对比。采用OXBASH程序的单粒子跃迁公式计算了^143Pm的跃迁几率。At present, the high spin state of ^143 Pm（Z = 61, N = 82） have been investigated. The level scheme of ^143Pm has been extended up to an excitation energy Ex = 8 397.6 keV and spin J =47/2（ h = 1 ）. Based on the nuclear shell model （NSM）, we have calculated the sequences of γ-ray transition rates and the pure E2 reduced transition probabilities of ^143Pm, and compared with experimental data. The formula of single-particle transition probability in the OXBASH code was applied in this paper.     

微分法测量材料热电势率的装置

研制了一套用微分法测量材料在4.2—300k温度范围内的绝对热电势率的装置,给出了康铜和NbSe_3的测量结果。     

氧缺位对多相YBaCuO体系热电势率的影响

测量了多相Y Ba Cu O体系的热电势率与温度的关系,结果表明:在高温区热电势率为负,在低温区热电势率为正。由此推断在高温区以电子导电为主,在低温区以空穴导电为主,并且由实验结果推测,空穴导电与氧缺位正相关,即氧缺位越多,越无序,空穴导电的温区越宽。     

直流电场下聚吡咯薄膜导电机理的研究

测量了液氮温区导电聚吡咯薄膜在直流电场下的电阻，发现电阻对电场有依赖关系。所有的结果在变程跳跃理论上得到很的解释。     

毫微晶Pd的热电势率

测量了晶粒尺寸为6.6～23nm 的亳微晶 Pd 从77K 到273K 的热电势率.结果表明,毫微晶 Pd 的热电势率强烈地依赖于晶粒尺寸.我们认为这可能是由于过渡金属 Pd 的电子能带结构或费米能随晶粒尺寸变化所致.     

NbSe_3的热电势率

测量了NbSe_3从4.2K 到273K的热电势率(S)与温度(T)之间的关系.由 S-T 曲线分析了在相变点附近由于形成 CDW,被破坏的 Fermi 面占总 Fermi 面的百分比α随温度的变化规律.实验发现 S-T 曲线在10K 附近还存在一个峰.