首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   24篇
  免费   14篇
  国内免费   4篇
化学   12篇
晶体学   1篇
力学   1篇
综合类   1篇
数学   3篇
物理学   24篇
  2023年   2篇
  2022年   2篇
  2020年   1篇
  2017年   2篇
  2016年   2篇
  2015年   1篇
  2014年   2篇
  2012年   4篇
  2011年   3篇
  2010年   2篇
  2009年   1篇
  2007年   3篇
  2005年   6篇
  2003年   4篇
  2000年   3篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1995年   1篇
  1988年   1篇
排序方式: 共有42条查询结果,搜索用时 109 毫秒
1.
The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron- mobility transistors (E-mode HEMTs) are investigated. The results show that having been irradiated by^60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad (Si), the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode A1GaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.  相似文献   
2.
The effects of 60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron-mobility transistors (E-mode HEMTs) are investigated. The results show that having been irradiated by 60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad (Si), the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode AlGaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.  相似文献   
3.
研究了单端加载铁电叉指电容的微带半波长谐振器的压控特性.铁电材料为LaAlO3衬底上脉冲激光淀积的SrTiO3,叉指电容电极为金.测量了谐振器77K下的压控谐振性能.谐振频率在6GHz左右,70V偏压下的压控频率范围大于180MHz.在10~40V内,谐振频率与偏置电压之间呈良好的线性关系,谐振器的有载Q值为60~90.  相似文献   
4.
建立不同粒径球阻抗理论计算方法,提出球阻抗理论计算公式为6ρ/pd(ρ和d分别为球材料电阻率和球粒径),球阻抗理论计算数值与球粒径呈反比。通过实验测量3种不同粒径钢球阻抗数值,实验结果与理论计算相近。为计算不同粒径阻抗编码微球的理论阻抗数值提供数学公式。  相似文献   
5.
锂离子电池正极材料层状LiMn02的掺杂改性   总被引:1,自引:0,他引:1  
层状LiMnO2具有成本低、无毒和比容量高等优点,是一种非常有发展前景的正极材料.本文介绍了近年来国内外层状LiMnO2的研究进展.主要阐述了层状LiMnO2的结构与性能的关系.结合笔者的工作,着重探讨了离子掺杂改性对层状LiMno2的电化学性能的影响.最后,简要指明了层状LiMnO2将来的可能研究方向.  相似文献   
6.
李同信  宋永瑞  刘兴无 《化学学报》1988,46(10):1027-1030
测定了环戊基(苯)膦-镍(II), 钯(II)和铂(II)十五种配合物的可见-紫外光谱, 并参照各吸收谱带的归宿, 推断了配合物的空间构型及其在溶液中的构型异构化现象.  相似文献   
7.
理想完全互溶双液系是两个组分都严格遵守Raoult定律的体系,从数学角度看,其平面相图有着确定的函数关系。本文以Clausius-Clapeyron方程为基础,推导了该类理想体系的p-x、T-x及p-T相图的函数解析式。  相似文献   
8.
在全平面上解析的Laplace-Stieltjes变换的正规增长性   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
罗茜  刘兴臻  孔荫莹 《数学杂志》2014,34(6):1181-1186
本文研究了应用Knopp-Kojima的方法得到的Dirichlet级数正规增长性.利用Dirichlet级数和Laplace-Stieltjes变换的关系,得到了Laplace-Stieltjes变换在全平面上的正规增长级的等价条件.  相似文献   
9.
应用CNDO/2研究了铼系聚吡咯络全物的结构及吸附小分子的行为,探究了吸附过程的微观机制。优化了各个体系的几何构型,得到了稳定性与相对于能量、结合能、吸附取向、分子间距的依存关系。  相似文献   
10.
在激光分子束外延实验中,用RHEED原位监测了SrTiO3基片初始、退火以及同质外延过程中的表面形态.通过对RHEED图案分析,获取了表面面内的晶格常数振荡与衍射条纹的半高宽振荡现象,前者是由退火重构表面与薄膜之间的界面造成的,后者与二维岛边界的弛豫相关.另外还观察到了等离子体对入射电子束的影响而导致的RHEED强度振荡行为的相位移现象. 关键词: 反射高能电子衍射 SrTiO3 表面晶格常数及衍射强度振荡  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号