The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode A1GaN/GaN high-electron-mobility transistors

The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron- mobility transistors （E-mode HEMTs） are investigated. The results show that having been irradiated by^60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad （Si）, the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode A1GaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.     

The effects of ⁶⁰Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

The effects of 60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron-mobility transistors (E-mode HEMTs) are investigated. The results show that having been irradiated by 60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad (Si), the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode AlGaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.     

基于SSCVD方法的a-b轴取向ZnO薄膜制备

以Zn₄(OH)₂(O₂CCH₃)₆·2H₂O为单一固相有机源,采用单源化学气相沉积法(Single sour cechem icalvapor deposition,SSCVD)在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)分析ZnO薄膜样品的晶体结构和微观形貌,并用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的锌氧化学计量比进行了分析。研究结果表明:在非平衡条件下所得到的ZnO薄膜沿a-b轴取向生长,基片温度对ZnO薄膜生长过程影响较大,随着基片温度的升高,薄膜呈现c轴生长趋势;晶粒成柱状、尺寸均匀、膜层结构致密;薄膜样品中n_Zn:n_O=0.985。     

掺Cd对ZnO薄膜光学性能的影响

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动.UV透射曲线表明,薄膜具有明显的紫外吸收边,通过改变Cd的掺入浓度,可以使吸收边向长波方向移动并被控制在一定范围内,从而使薄膜的禁带宽度连续可调;薄膜的光致发光(PL)谱显示,ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光峰和蓝光发光带组成,通过掺入Cd可使紫外带边发射的峰位向低能端方向红移,这与透射谱中吸收带边的红移相吻合,由紫外发光峰得到的光禁带宽度和由透射谱拟合得到的光禁带基本一致.对不同掺杂浓度的薄膜进行了比较,发现Cd掺入量为8;摩尔分数时ZnO薄膜具有最佳的结构性能和发光性能.     

涡发生器结构对翼型绕流场的影响

为了研究涡发生器在风力机叶片上的应用,以进一步提高风力机气动效率,本文采用CFD数值模拟方法,分析涡发生器几何形状对其绕流场和翼型边界层特性的影响.涡发生器几何形状为同样高度的矩形、梯形和三角形。翼型为风力机专用翼型DU97-W-300。首先对数值模拟结果与实验值进行了对比,验证了数值方法的可信性。然后详细讨论了各种涡发生器所产生的集中涡涡量、翼型边界层特性、以及绕流场等沿流向的发展演变。总体上看,三角形涡发生器较适合用于风力机翼型的流动控制。     

高三数学总复习的实践与思考

1993年我校高三数学会考、高考取得较好的成绩,会考优秀率达72％,高考平均分为113.5分(市均分为101分)。以下结合我们的教学实践,谈谈高三总复习工作的若干做法。 1 紧扣考纲,加强基础 综观近几年的高考试题,特别是自从国家     

解析几何中求最值的几种方法

解析几何中最值问题,把中学阶段的代数、几何、三角等知识密切地融汇在一起,具有高度的综合性和灵活性,对各种能力都提出了很高的要求,本文介绍一些解析几何求最值的常用方法。1 利用配方法求最值把解析几何中的量转化为二次函数的形式,利用配方法求最值是一种常见的方法。     

高考试题中的复数问题

高考试题中的复数问题２０１５００上海市金山县中学戴丽萍复数内容由于涉及的知识面广，对能力要求高，高考试题每年都有涉及复数问题的内容．本文结合近年来高考试题，根据复数问题的不同形式，进行分类并作出解法探讨．１复数基本概念问顾此类问题，应理解实部，虚部，...     

巧用三角函数线解题

巧用三角函数线解题２０１５００上海市金山县中学戴丽萍在现行全国统编教材的三角内容中，介绍了用单位圆上的有向线段──三角函数线来表示三角函数．但教材限于篇幅对三角函数线的应用，仅在描绘三角函数的图象，探究三角函数的性质时作了部分应用．如在解题时，能恰当...     

瓜环与链状客体自组装包结配合物结构模式的考察

以2，3或4-醛基吡啶和不同长度碳链的二胺为原料，合成了一系列的N，N′-二(吡啶甲基)二氨基烷烃，以核磁共振技术为研究手段，系统考察了瓜环(cucurbit[n=5～8]ufils)为主体，链状多元胺化合物N，N′-二(吡啶甲基)-二氨基烷烃为客体的主客体包结实体自组装过程，对其中具有特殊结构的主客体包结实体进行了详细描述，实验结果表明，对于不同瓜环与不同的客体相互作用，所形成的主客体包结配合物的结构各不相同，不仅如此，某一特定瓜环与某一特定客体相互作用，所形成的主客体包结配合物的结构也有可能是多种模式的,这些结构还得到ESMS质谱分析的支持。